|
Bipolyar tranzistorlar. Reja: Bipolyar tranzistor haqida umumiy malumotlar
|
| Sana | 07.02.2023 | | Hajmi | 5.14 Kb. | | #41410 |
Bog'liq Bipolyar tranzistorlar. Reja Bipolyar tranzistor haqida umumiy -kompy.info Metodik ishlar, ularni rejalashtirish, tashkil etish va tayyorla, 33333, Yarim o’tkazgichli diodlar-fayllar.org, Dori vositalari xaqida tushuncha dorilarning boshqa omillar bilan uzaro munosabati, Juft korrelyatsion- regression tahlil-fayllar.org (2), gggggg
Bipolyar tranzistorlar. Reja: Bipolyar tranzistor haqida umumiy malumotlar. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
Bipolyar tranzistorlar.
Reja:
1. Bipolyar tranzistor haqida umumiy malumotlar.
2. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari.
3. Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi.
|
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Kuchaytirgichni to‘rtqutbli ko‘rinishida berilishiKuchaytirgich qanday kuchaytirgich (audio kuchaytirgich, lampali kuchaytirgich yoki radiochastota kuchaytirgichi) bo‘lishidan qat’iy nazar ikkita uchlari kirish va ikkita uchlari chiqish hisoblanadigan to‘rt qutbli hisoblanadi. Kuchaytirgichning ulanishi tuzilish sxemasi 1.4- rasmda keltirilgan.
Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB) (28 a-rasm); umumiy emitter (UE) (28 b-rasm); umumiy kollektor (UK) (28 v-rasm). Bu vaqtda umumiy chiqish potentsiali nol`ga teng deb olinadi. Kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo`nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo`lib, juda kam ishlatiladi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo`lib IE =const bo`lgandagi IK= f (UKB) bog`liqlik, UE sxemada esa IB =const bo`lgandagi IK= f (UKE) bog`liqlik hisoblanadi.
Chiqish xarakteristikalari ko`rinishiga ko`ra teskari ulangan diod VAX siga o`xshaydi, chunki kollektor o`tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor o`tishning teskari kuchlanishini o`ngda o`rnatish qabul qilingan (8.8 – rasm).
8.8 – rasm. Tranzistorning VAX
8.8.a- rasmdan ko`rinib turibdiki, UB sxemadagi chiqish xarakteristikalari ikki kvadrantlarda joylashgan: birinchi kvadrantdagi VAX aktiv ish rejimiga, ikkinchi kvadrantdagisi esa – to`yinish ish rejimiga mos keladi. Aktiv rejimda chiqish toki (8.2) nisbat bilan aniqlanadi. Aktiv rejimga mos keluvchi xarakteristika sohalari abstsissa o`qiga uncha katta bo`lmagan qiyalikda, deyarli parallel` o`tadilar
Qiyalik yuqorida aytib o`tilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi. IE=0 bo`lganda (emitter zanjiri uzilganda) chiqish xarakteristikasi teskari siljigan kollektor o`tish xarakteristikasi ko`rinishida bo`ladi.
http://kompy.info
|
| |
