|
9– laboratoriya ishi integral kuchaytirgich xarakteristika va parametrlarini tadqiq etish Ishning maqsadi
|
| bet | 1/3 | | Sana | 20.04.2024 | | Hajmi | 0.9 Mb. | | #202577 |
Bog'liq 9-Lab 1. Energetik jihatdan qaraganda turg‘unlik mezoni-fayllar.org, Mavzu Ko\'p o\'lchovli regressiya. Reja Ko\'p o\'lchovli regressiy
9– LABORATORIYA IshI
Integral kuchaytirgich xarakteristika va parametrlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Tajriba yo’li bilan unipolyar tranzistorning volt-amper xarakteristikasini (VAX), kuchaytirgich bosqichining amplituda va amplituda - chastotaviy xarakteristikalarni o’lchash, kuchaytirgich elementlari parametrlari uning xususiyatlariga qanday ta’sir ko’rsatishini o’rganishdan iborat.
Zatvori teskari siljitilgan r-n o’tish bilan boshqariladigan unipolyar tranzistor stok-zatvor xarakteristikalari va stok xarakteristikalari oilalari 9.1-rasmda keltirilgan.
O’rganilayotgan r-kanalli KP103I turdagi tranzistorning ish rejimi UZI>0 mos keladi.
9.1- rasm. r-n o’tish bilan boshqariladigan unipolyar tranzistor
stok-zatvor xarakteristikalari va stok xarakteristikalari oilalari
Bunda zatvor toki nolga yaqin bo’ladi (0,001 mkA ga yaqin, teskari ulangan r-n o’tish toki).
Odatda tranzistorning ishchi nuqtasi dinamik stok-zatvor xarakteristika to’g’ri chiziqli sohasining o’rtasi yaqinida olinadi. Bunda bipolyar signallar uchun dinamik diapazonning maksimal qiymatiga erishiladi.
9.2-rasmda kuchaytirgich bosqichining printsipial sxemasi ko’rsatilgan. SR1 va SR2 kondensatorlar kaskadlarni o’zgarmas tok bo’yicha ajratib turadi. R3 rezistor esa zatvor zanjirida zaryadlarning oqishini ta’minlaydi.
Unipolyar tranzistorli sxemalar ishlashini tahlil qilishda tranzistorning kichik signal (differentsial) parametrlari ishlatiladi; R1– ichki (differentsial) qarshilik, S-stok-zatvor xarakteristikasining ishchi nuqtadagi tikligi. Yuqori chastotalarda tranzistorning elektrodlari orasidagi (SZI, SZS, SSI – nomlanishi mos ravishda kirish, uzatish va chiqish) sig’imlari hisobiga olinishi kerak. O’rta chastotalarda – sxemaning reaktiv komponentalari hisobga olinmasa, kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koefitsientini hisoblash uchun K0=S(RYu) formulani topish qiyin emas, bu erda RYu– yuklama qarshiligi.
9.2- rasm. Kuchaytirgich bosqichining printsipial sxemasi.
Yuqori chastotalarda yuklamani shuntlovchi sig’imlarni e’tiborga olmaslikni iloji yo’q. Shuntlovchi sig’imlarni berilgan kaskadning chiqish sig’imi, keyingi kaskadning kirish sig’imi (yuklama sig’imi) va montajning parazit sig’imi tashkil etadi. Bu sig’imlar o’zaro parallel ulangan. Tranzistorning turi va RYu berilgan holda o’tkazish oralig’i kengligini faqat sig’im qarshilik (RC) qiymatini kichiklashtirib kengaytirish mumkin. Lekin bu holda kuchaytirish koeffitsienti KU kamayadi.
Past chastotalarda (PCh) ajratuvchi kondensator (SR) ning qarshiligi sezilarli bo’ladi. Kuchaytirgichning o’tkazish polasasini PCh tomoniga kengaytirish uchun SR va RYu qiymatlarini oshirish zarur.
Kuchaytirgichning chastotasi bo’yicha o’tkazish oralig’ini kengaytirishning va demak, kuchaytirilgan impul signallarining buzilishini kamaytirishning usullaridan biri kuchaytirgichga korrektorlovchi qo’shimcha maxsus zanjir ulashdan iborat. Bunday zanjirli kuchaytirgich printsipial sxemasi 9.3. a-rasmda keltirilgan. RF, SF zanjir kuchaytirgichning past chastotadagi xususiyatlarini, LK drossel esa – yuqori chastotadagi xususiyatlarini yaxshilaydi. Ularning ta’siri korrektsiyalanmagan kuchaytirgichda kuchaytirishni pasayishi kuzatiladigan ma’lum chastotatalr oralig’ida tranzistorning chiqish (stok) zanjirida qarshilikni oshirishga asoslangan. Past chastotatalarda chiqish zanjirining ekvivalent sxemasini 9.3. b-rasmda keltirilgandak ko’rsatish mumkin. Uni chizishda R1 va RF qiymati RS dan juda katta deb faraz qilingan (chastota bo’yicha keng oraliqli kuchaytirgichlarda amaliyotda, ko’p hollarda, shunday bo’ladi). Ushbu ekvivalent sxemadan ko’rinib turibdiki, agar Rf Sf va RYu SR ko’paytmalar tengligi bajarilsa, chiqish kuchlanishi chastotaga bog’liq bo’lmaydi.
LK drossel (tranzistorning stok zanjirida yuqori chastotani korrektsiyalovchi element) qo’shish kuchaytirgichning chiqish zanjirida parallel tebranish kontur hosil qiladi. Bu tebranish konturining rezonans chastotasi fREZ korrektorlanmagan kuchaytirgich yuqori chegaraviy chastotasiga yaqin qilib olinadi. Rezonans chastotasida va uning yaqinidagi chastotalarda parallel LC konturning qarshiligi korrektsiyalanmagan kuchaytirgich tranzistori chiqish zanjiri qarshiligidan katta bo’lgani sababli korrektsiyalangan kuchaytirgichning (fREZ atrofidagi) chiqish kuchlanishi ham katta qiymatga ega bo’ladi. O’tkichi, amplituda-chastotaviy va faza-chastotaviy xarakteristikalarining eng yaxshi shakllarini hosil qilish uchun tebranish konturi assilligi Q qiymati kichik qilib olinadi.
|
| |
