Pirs elementi) va U2 chiqish bо‘yicha 2YOKI (dizyunksiya).
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo iste’mol quvvati va о‘lchamlari katta bо‘lganligi sababli, faqat kichik va о‘rta integratsiya darajasiga ega bо‘lgan IMSlar yaratishdagina qо‘llaniladi.
1962 yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yо‘lga qо‘yildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolyatsiyalovchi chо‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bо‘lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik о‘lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bо‘ladi.
MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA – tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi.
Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki r– kanali induksiyalangan MDYA – tranzistorlardan foydalanish mumkin.
Kо‘proq n– kanalli tranzistorlar qо‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bо‘lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi.
Bundan tashqari, n– MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bо‘yicha TTM sxemalar bilan tо‘liq muvofiqlikka ega.
13.1.-rasm. n– MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bо‘ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
2HAM-EMAS sxemada pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket, 2YOKI-EMAS sxemada esa– parallel ulanadi.
13.2.-rasm. n– MDYA tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS MElari
Invertor statik rejimi va о‘tish jarayonlari tahlil shuni kо‘rsatdiki, tezkorlik va iste’mol quvvati nuqtai nazaridan YEM = (2÷3)U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi.
Demak, U0 = 1,5 ÷ 3 V bо‘lganda YEM = 4,5 ÷ 9 V bо‘ladi.
MDYATM elementlarda real U0CHIQ qiymati U0 = UQOL ≈ 0,2 ÷ 0,3 V dan katta emas, U1CHIQ qiymati esa U1CHIQ ≈ YEM.
Mos ravishda mantiqiy о‘tish
MDYATM elementning yana bir afzalligi – xalaqitbardoshikning yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi (1÷2)U*, ya’ni 0,7÷1,4 V bо‘lganda, MDYATM da U0XAL ≈ 1,5 ÷ 3 V bо‘ladi.
Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi –tezkorlikning kichikligidir.
Yana bir kamchiligi – katta iste’mol kuchlanishi bо‘lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi.
MDYA ISlar asosan uncha katta bо‘lmagan tezkorlikka ega bо‘lgan va kichik tok istemol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qо‘llaniladi.
MDYA ISlarda eng yuqori ntegratsiya darajasiga erishilgan bо‘lib, bir kristalda yuz minglab va undan kо‘p komponentlar joylashishi mumkin.
|
