|
Iii bob. Tranzistorlar, ularning tuzilishi, ishlash printsipi va qo`llanish sohalari
|
| bet | 2/7 | | Sana | 22.12.2023 | | Hajmi | 254,43 Kb. | | #126816 |
Bog'liq O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’limi Ишланма, 7-мавзу, 1681232202, TV-Kanal Light site, 59887 7 MAVZU, Iqtisodiyot” kafedrasi “Biznesni rejalshtirish” fanidan kurs ish, Biznes etikasi va psixologiyasi-fayllar.org, ekspulutatsiya MUSTAQIL ISH 1818, 2-amaliy, Neftni qayta ishlash usullari, Bo’lajak maktabgacha ta’lim pedagoglarini kreativ qobiliyatlarin-fayllar.org, 3-variant Enigma shifrlash mashinasi va uning bardoshligi, Nurmatov Nozimjon 176-21 guruh , 2. Kuchaytirgichlarda teskari bog‘lanish
Unipolyar tranzistor elektr maydoniga ega bo‘lgan tranzistor bo‘lib, tok bir turdagi asosiy tok tashuvchi hisobiga hosil qilinadi.
Elektr maydoniga ega bo‘lgan yoki “maydon”li so‘zning mohiyati shundan iboratki, unipolyar tranzistor chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqarilishini bildiradi. Unipolyar tranzistorlarning sxemada belgilanishi 1- jadvalda keltirilgan.
(1- jadval)
Tranzistorning
turi
|
p-turli
|
n-turli
|
Boshqaruvchi p-n
o‘tish
|
|
|
MDP turli tranzistor kanali induksiyalanadigan
|
|
|
Kanali hosil qilingan
|
|
|
-Tiristorlar to‘rt qatlamli, ya’ni uchta p-n o‘tishli yarim o‘tkazgich asbobdir.
Chetki p-qatlam anod n-qatlam – katod deb ataladi. Ichki p va n-qatlamlar boshqaruvchi elektrodlar yoki ba‘za deyiladi.
22-rasm. Tristorning tuzilishi
Bipolyar tranzistorlar uchta chegaraviy muhitni o‘z ichiga oladi va p-n o‘tish bilan ajratilgandir. O’rta chegaradagi elektr o‘tkazuvchanlik ikki chekkadagi elektr o‘tkazuvchanligiga qarama-qarshi holatda bo‘ladi. Agar tranzistor p-n-p strukturaga ega bo‘lsa, n-soha baza bo‘lib xizmat qiladi, n-p-n strukturaga ega bo‘lsa R-soha tranzistorning bazasi bo‘ladi. 23 va 24- rasmga qarang.
Trazistordagi baza p-n-p va n-p-n qatlamlaridan o‘tayotgan toklarni boshqarib turadi. Tranzistorlarning asosiy ko‘rsatgichlaridan biri tok kuchaytirish koeffitsienti bo‘lib, quyidagicha ifodalanadi:
K ;
E
UE const
(3.1.1)
bu yerda - tranzistorlarning tok kuchaytirish koeffitsienti;
к
e
kollektor toklarini o‘zgarishi;
emitter toklarini o‘zgarishi;
Tranzistorlarning tok kuchaytirish koeffitsienti
0,8 0,98 ga
K ;
B
UE const
(3.1.2)
Tranzistorlar elektr zanjiriga quyidagi uslubda ulanadi:
Yaxlit baza bo‘yicha ulash a-rasm;
Yaxlit kollektor bo‘yicha ulash v-rasm;
Yaxlit emitter bo‘yicha ulash s-rasm;
25-rasm
Tranzistorlarni s-rasmda ko‘rsatilgandek umumiy emitter usulda ulashda quvvatni kuchaytirish koeffitsienti katta qiymat oladi; Amaliy elektronikada umumiy emitter chizmasi bo‘yicha tranzistorlarni ulash keng tarqalgandir. Murakkab elektron qurilmalar hammasi shu chizma asosida yig‘ilgandir.
|
| |
