|
Kirish. Mexatronikaning asosiy tushunchalari
|
bet | 2/3 | Sana | 30.11.2023 | Hajmi | 472,62 Kb. | | #108407 |
Bog'liq 3-ma\'ruza. Fotorezistorlar. Fotodiodlar Bu elektronlarga o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tish uchun kichik energetik bo‘shliq tufayli kamroq energiya talab etiladi. Buning natijasida fotorezistorning turli xil to‘lqin uzunlikdagi yorug’liklarga sezuvchanligi ortadi.
Fotorezistorlarning sxemada belgilanishi
Fotodiodlar – yorug’lik sezuvchanlik xossasiga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli elementlar hisoblanadi. Ularning asosiy vazifasi yorug’lik signalini elektr signaliga aylantirishdir. Fotodiodlarning ishlash printsipi ichki fotoeffekt hodisasiga asoslangan. Fotodiod ichiga joylashtirilgan yarimo‘tkazgichli plastinada yorug’lik nuri ta’sirida muvozanatlashmagan musbat va manfiy zaryad tashuvchilar shakllanadi (elektronlar va kovaklar). Natijada elektr yurituvch kuch hosil bo‘ladi. Fotodiodlar – yorug’lik sezuvchanlik xossasiga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli elementlar hisoblanadi. Ularning asosiy vazifasi yorug’lik signalini elektr signaliga aylantirishdir. Fotodiodlarning ishlash printsipi ichki fotoeffekt hodisasiga asoslangan. Fotodiod ichiga joylashtirilgan yarimo‘tkazgichli plastinada yorug’lik nuri ta’sirida muvozanatlashmagan musbat va manfiy zaryad tashuvchilar shakllanadi (elektronlar va kovaklar). Natijada elektr yurituvch kuch hosil bo‘ladi. Fotodiodlarning asosiy xarakteristikalari - P-i-N. В данном случае на разграничении положительной и отрицательной зон создается дополнительная полоса с собственной проводимостью и достаточно основательным сопротивлением. Это сделано в первую очередь для расширения рабочего диапазона частот.
- Лавинные. За счет так называемого лавинного усиления, реализуемого в устройстве, удается обеспечить максимально высокую чувствительность даже к самому слабому освещению. Но самое главное, лавинные фотодиоды позволяют фиксировать малейшие изменения в освещении.
- С барьером Шоттки. Наличие соединения металла и полупроводника обеспечивает достаточно мощное поле, способное перемещать не дополнительные, а основные носители заряда.
- С гетероструктурой. Речь идет об устройствах, у которых используется два слоя полупроводников. Между ними как раз и располагается этот гетерогенный слой. При грамотном подборе материалов полупроводников, их размеров и ширины зазора добиваются работы прибора в полном волновом диапазоне.
|
| |