|
«Kompyuter injineringi» fakulteti «Kompyuter injineringi» baǵdari II kurs 301-21topar studenti Shamuratova Ayzadanıń
|
| bet | 6/6 | | Sana | 11.01.2024 | | Hajmi | 1,56 Mb. | | #134657 |
Bog'liq ELEKTRONIKA Ayzada 11, Artiqov B. 3-mavzu MT, Синф рахбарларининг синф папакаси, saredor, 16-m. Tarmoq amaliyot tizimlarining dasturiy vositalari va ularning tavsiyanomalari, inson huquqva kafolatlari, 00, G\'iyos domla baza javoblar (2), Nozima (2), 1-Mavzu. Kiberxavfsizlikga oid milliy va xorijiy me’yoriy-huquqi, Mustaqil ish Mavzu Zararli dasturiy vositalarni klassifikatsiya-fayllar.org, 1, Microsoft Word Document — копия (6) — копия — копия, FURQAT EGAMUROTOV SHOVXIDDIN O‘G‘LI, result (28)| Laboratoriya jumısın orınlaw :
LM358 OKniń maximum xarakteristikasi:
Parametr
|
Belgi
|
Reyting
|
Ólshem birligi
|
Tok deregi kernewi
Támiynat deregi
Támiynattı ajıratıw
|
VCC
VCC, VEE
|
32
± 16
|
Vdc
|
Kiris differensial kernewi diapazonı *1
|
VIDR
|
± 32
|
Vdc
|
Kirisiw kernew ulıwma rejim diapazonı *2
|
VICR
|
- 0.3 ten 32 ge shekem
|
Vdc
|
LM358 OKniń elektrik qásiyetleri:
OK sxeması :
VAX:
12- LABORATORIYA JUMÍSÍ
BTda jasalǵan gilt sxemasinin` uzatıw xarakteristikasın izertlew
Jumıstıń maqseti: Bipolyar tranzistorlı ápiwayı gilt sxemasında statikalıq rejimlerdi hám ótiw processlerin tájiriybe jolı menen úyreniw.
Laboratoriya jumısına tapsırma :
Maketda 2N5771 tipli tranzistor qollanılǵan. Maketda tómendegi element parametrleri qollanildi:
G2=10 V, R1=75 kOm, R2=3 kOm, R3=300 kOm, R5=36 kOm, R6=5 kOm, R7=10 kOm, R8=75 kOm, C1=1000 pf, C2=470 pf.
12. 2-súwret. Tranzistorlı gilt sxeması.
Jumıstı orınlaw :
Tranzistorlı gilt sxeması.
13- LABORATORIYA JUMÍSÍ
MTda orinlanǵan gilt sxemaların izertlew
Jumıstıń maqseti: Maydaniy tranzistor (MT) larni gilt rejiminde islew ózgesheliklerin úyreniw. MTni júkleme rezistori retinde qollanılıwın úyreniw.
Laboratoriya jumısın orınlawǵa tayarlanıw :
n- túrdegi kanalı induktsiyalanǵan MDYa tranzistorda orınlanǵan gilt sxeması 13.2- súwretde keltirilgen. Sxema E2 = 9 V derekten támiyinlenedi. Kirisiw kernewi E1 kernew dáreginen beriledi. Shıǵıw kernewi UShIQ hám tutınıw qılınıp atırǵan júzdi ólshew ushın cifrlı voltmetr hám ampermetrlerden paydalanıń. VT1 retinde K176 LP1 mikrosxemadagi n-kanallı tranzistorlardıń birin alın. Islew qolay bolıwı ushın qosımshada keltirilgen mikrosxema principial sxemasın sızıp alıń hám elektrodları nomerlerin belgilep alıń.
Tájiriybeni tómendegi tártipte aparıw usınıs etiledi:
13.2-súwret.n-MDYa ranzistorlarda orınlanǵan gilt sxeması. (Júklemede rezistor)
|
MDYa tranzistor stok shınjırına sızıqlı rezistor R=51 kΩ ni jalǵań ;
- kernew dáregi ma`nisin E2=9 V etip ornatıń ;
- kirisiw kernewin 0 den 9 V ge shekem ózgertirip barıp, UShIQ=f (UKIR) hám IIST=f (UKIR) baylanıslılıǵın ólsheń;
- qarsılıqtıń R=10 kΩ hám 3, 5 kOm bahaları ushın ólshewlerdi tákrarlań;
- tájiriybe nátiyjelerinen paydalanıp UShIQ=f (UKIR) baylanıslılıq grafikların quriń.
Laboratoriya jumısın orınlaw :
|
| |
