Komplementar emitter qaytargich

10.2. Komplementar emitter qaytargich

• 10.2. Komplementar emitter qaytargich
• 3 – rasmda komplementar tranzistorlarda: VT1 – tranzistor n-p-n turli va VT2 – tranzistor p-n-r turli bajarilgan V sinfiga mansub sodda ikki taktli chiqish bosqichi sxemasi keltirilgan. Yuklama tranzistorlarning emitter zanjiriga ulanadi, demak ular kuchlanish qaytargichlari rejimida ishlaydilar. Quvvat kuchayishi tok kuchayishi bilan amalga oshiriladi. Ikki qutbli kuchlanish manbalari (+EM va –EM) qo‘llanilganiga alohida e’tibor qaratamiz. Shu sababli sokinlik rejimida ikkala tranzistor berk holatda bo‘ladi, chunki emitter o‘tishlardagi kuchlanish nolga teng bo‘ladi. Natijada, sokinlik rejimida sxema energiya iste’mol qilmaydi.

Kirishga Rkir signalning musbat yarim davri berilsa VT1 ochiladi va RYu yuklama orqali 1 strelka yo‘nalishida tok oqib o‘tadi. Manfiy yarim davr mobaynida p-n-r turli tranzistor ochiladi va tok 2 strelka yo‘nalishida oqib o‘tadi. Quvvat kuchaytirish koeffisienti taxminan emitter va baza toklari nisbatiga teng bo‘ladi

• Kirishga Rkir signalning musbat yarim davri berilsa VT1 ochiladi va RYu yuklama orqali 1 strelka yo‘nalishida tok oqib o‘tadi. Manfiy yarim davr mobaynida p-n-r turli tranzistor ochiladi va tok 2 strelka yo‘nalishida oqib o‘tadi. Quvvat kuchaytirish koeffisienti taxminan emitter va baza toklari nisbatiga teng bo‘ladi

• 3 – rasm. 4– rasm.

Lekin, V turli kuchaytirgich bo‘la turib, sxema katta nochiziqli buzilishlar koeffisientiga ega (KG>10 %). Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida kuchaytirgich murakkablashtiriladi. R1 va R2 rezistorlar, hamda VD1 va VD2 diodlar yordamida tranzistor bazalariga individual siljish kiritiladi (4 - rasm). Natijada dastlabki ishchi nuqta ikkala tranzistor ozgina ochiq holatdagi (AV rejim) sohada joylashadi, lekin ulardan A turli kuchaytirgichlardagiga nisbatan ancha kichik tok oqib o‘tadi.

• Lekin, V turli kuchaytirgich bo‘la turib, sxema katta nochiziqli buzilishlar koeffisientiga ega (KG>10 %). Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida kuchaytirgich murakkablashtiriladi. R1 va R2 rezistorlar, hamda VD1 va VD2 diodlar yordamida tranzistor bazalariga individual siljish kiritiladi (4 - rasm). Natijada dastlabki ishchi nuqta ikkala tranzistor ozgina ochiq holatdagi (AV rejim) sohada joylashadi, lekin ulardan A turli kuchaytirgichlardagiga nisbatan ancha kichik tok oqib o‘tadi.