Mavzu: Xotira turlari va xususiyatlari
Ishdan maqsad: Xotira turlari haqida nazariy ma’lumotlarga ega bo‘lish.
Ularning asosiy va funksional xususiyatlarinio‘rganish.
Nazariy qism
Asosiy xotira – kompyuterning dasturlar va ma’lumotlarni saqlash uchun mo‘ljallangan komponentidir. Xotira ma’lum bir uzunlikka ega bo‘lgan axborotlarni saqlovchi yacheykalardan iborat bo‘ladi. Hozirgi kompyuterlarning xotirasi 8-bitli, ya’ni bir baytli yacheykalardan iborat bo‘lib, xotiraga ana shu baytlarning adreslari orqali murojaat qilinadi. Baytlarni guruhlarga birlashtirilib so‘zlar (rus tilida – слово) hosil qilinadi. 1, 2, 4 va 8 baytli, ya’ni 8, 16, 32 va 64- bitli yoki razryadli so‘z uzunliklariga ega kompyuterlar mavjud [1,5,11]. Ushbu qo‘llanmada kompyuter xotirasining so‘z uzunliklarini, protsessorlar ichki registrlarining uzunliklarini ifodalashda va boshqa holatlarda razryad iborasi qo‘llanilgan. 2.1-rasmda 8-razryadli so‘z uzunligiga ega asosiy xotira tasvirlangan.
Ushbu asosiy xotirada yacheykalar adreslarining qiymati 0000 dan FFFF gacha o‘zgarishi mumkin. Asosiy xotiraning umumiy hajmi 64 Kbayt (FFFF – 16 bit, 216=65536 bayt). Hozirda bunday hajmli xotiralar – o‘rnatiladigan kompyuterlarda, ya’ni kontrollerlarda ishlatilmoqda. Odatda asosiy xotira adreslari
lik sanoq sistemasida ifodalanadi. 2.2-rasmda so‘z uzunligi 32-razryadga teng bo‘lgan asosiy xotira tasvirlangan. Bunday so‘z uzunligiga ega xotiralar, Pentium protsessorlari o‘rnatilgan kompyuterlarda ishlatilmoqda. Ularda yacheykalarning adreslari 0000 0000 dan FFFF FFFF gacha o‘zgarishi mumkin. Xotiraning umumiy hajmi 4 Gbayt (FFFF FFFF – 32 bit, 232= 4294967296 bayt). So‘z uzunligi 32-razryadli xotiralarda baytlar o‘ngdan chapga yoki chapdan o‘ngga qarab joylashtirilishi mumkin.
2.2-rasmda keltirilgan xotirada Pentium protsessorli kompyuterlardagi kabi, baytlar o‘ngdan chapga qarab joylashtirilgan. Bu baytlarni teskari tartibda joylashtirish deb ataladi (rus tilida – обратный порядок следования байтов). 2.3-rasmda esa baytlar to‘g‘ri tartibda joylashtirilgan xotira chizmasi keltirilgan. Bu xildagi xotira baytlar to‘g‘ri tartibda joylashtirilgan xotira deb ataladi (rus tilida – прямой порядок следования байтов) va u SPARС oilasiga mansub protsessorlarga ega bo‘lgan serverlarda ishlatiladi.
Buyruqlarni xotiradan o‘qish misolida, xotiraga murojaat qilish qanday amalga oshirilishini ko‘rib chiqamiz. 2.4-rasmda asosiy xotiraga murojaat qilish jarayoni ko‘rsatilgan. Protsessorning IP (Instruction Pointer) yoki PC (Program Counter) deb nomlanuvchi registri, tartib bo‘yicha bajarilishi kerak bo‘lgan buyruq adresini ko‘rsatish uchun ishlatiladi. Ushbu registr buyruqlar sanagichi yoki buyruqlar ko‘rsatgichi deb nomlanadi. PC registrida yozilgan adres, ya’ni navbatdagi bajarilishi kerak bo‘lgan buyruqning adresi, protsessorning adres shinasi yordamida asosiy xotira bilan bog‘lanuvchi porti – adres registri orqali xotiraning, xotira adresi registriga uzatiladi. Shundan so‘ng xotiraning ma’lumotlar registriga ushbu adres bo‘yicha yozilgan ma’lumot chiqariladi. Bu ma’lumot, ma’lumotlar shinasi orqali protsessorning registrlaridan biriga, masalan akkumulyatorga, ya’ni A registriga kelib tushadi.
Zamonaviy kompyuterlarda asosiy xotiraga murojaat kilishning ikki xil rejimi mavjud (2.5-rasm):
Real rejim – 1 Mbayt gacha bo‘lgan asosiy xotira uchun, bu rejim kompyuter MS DOS operatsion tizimida ishlagan paytida qo‘llanilagan. Hozirda bu, MS DOS operatsion tizimini emulyatsiya qilishda ishlatiladi.
Himoyalangan rejim – xotira hajmi 1 Mbaytdan ko‘p bo‘lgan holda , ya’ni bu kompyuterlar Windows operatsion tizimida ishlay boshlagandan buyon qo‘llanilgan rejim hisoblanadi.
2.5-rasm. Real va himoyalangan rejimlarda asosiy xotiraning tuzilishi.
Real rejimda xotiraga murojaat qilish segmentlarga murojaat qilish orqali,
himoyalangan rejimda esa, sahifalarga murojaat qilish orqali amalga oshiriladi. Bitta segmentning hajmi – 64 Kbayt, sahifaning hajmi esa
– 4 Kbaytga ega bo‘ladi. Protsessorlar har doim xotiraga nisbatan tez ishlagan. Protsessorlar ham, xotira ham parallel ravishda takomillashtirilib kelinmoqda. Konveyerli va superskalyar arxitekturali, unumdorligi juda katta bo‘lgan protsessorlar ishlab chiqarilmoqda. Xotira qurilmalarini ishlab chiqaruvchilar esa birinchi galda, uning hajmini oshirishga harakat qilmoqdalar, tezkorligini emas. Shuning uchun ham protsessorlar va xotiralarning ishlash tezliklari orasidagi farq yana ham kattalashmoqda. Tezliklarning bunday farqlari tufayli, protsessor xotiraga unga kerakli so‘zni o‘qib olish uchun murojaat qilganida, bir nechta mashina sikllarini bekor o‘tkazib yuborishiga to‘g‘ri kelayapti. Xotira protsessorga nisbatan
qanchalik sekin ishlasa, shunchalik ko‘proq sikllar davomida protsessor uni kutib turishi kerak bo‘layapti. Bu muammoni hal qilishning bir nechta yo‘llari mavjud ekan. Shulardan biri, uncha katta bo‘lmagan hajmga ega, ammo nisbatan ancha tez ishlaydigan, protsessor bilan asosiy xotira orasida joylashgan xotiradan foydalanish ekan (2.6-rasm). Bunday xotira kesh-xotira deb ataladi («cacher» – fransuz tilida
«yashirish» degan so‘zni anglatadi). Kesh-xotirada dastur tomonidan ko‘p ishlatiladigan so‘zlar yoki asosiy xotiraning ma’lum bir qismi saqlanadi. Asosiy xotiraning bu qismi, o‘sha paytda ishlayotgan dastur tomonidan ko‘proq foydalanilishi mumkin bo‘lgan qismi bo‘ladi. Bu lokallik tamoili deb ataladi (rus tilida – принцип локальности).
Buyruqlar va ma’lumotlarni qanday saqlanishiga qarab kesh-xotiraning ikki xili mavjud. Buyruqlar ham, ma’lumotlar ham birgalikda saqlanadigan kesh-xotira
birlashtirilgan kesh-xotira deb ataladi (rus tilida - объединенная кэш-память). Buyruqlar alohida, ma’lumotlar alohida saqlanadigan kesh-xotira esa alohida ajratilgan kesh-xotira deb ataladi (rus tilida – разделенная кэш-память). Hozirgi kompyuterlarda ko‘proq alohida ajratilgan kesh-xotiradan foydalanilmoqda Kesh- xotirani qo‘llashning – bir, ikki va uch sathli variantlari mavjud. 2.7-rasmda uch sathli kesh-xotiraga ega bo‘lgan tizim keltirilgan. Birinchi sath kesh-xotirasi (L1) markaziy protsessor ichida joylashgan bo‘lib, u buyruqlar uchun (L1-I) va ma’lumotlar uchun (L1-D) mo‘ljallangan odatda 16 dan 64 Kbayt gacha hajmga ega bo‘lgan alohida ajratilgan kesh-xotiradan iboratdir. Protsessor yonida u bilan bitta blokda joylashgan ikkinchi sath kesh-xotirasi (L2) esa, 512 Kbayt dan 1 Mbayt gacha hajmga ega bo‘lishi mumkin bo‘lgan, buyruqlar ham, ma’lumotlar ham birgalikda saqlanadigan, birlashtirilgan kesh-xotiradan iborat bo‘ladi. Uchinchi sath kesh-xotirasi protsessor joylashgan plataga o‘rnatilgan bo‘lib, u bir necha megabayt hajmga ega bo‘lgan statik tezkor xotira qurilmasidan (TXQ) iborat bo‘ladi (rus tilida – статическое оперативное запоминающее устройство – ОЗУ).
2.7-rasm. Uch sathi kesh-xotiraga ega tizim.
Statik TXQ dinamik TXQ dan ancha tez ishlaydi. Qoida bo‘yicha birinchi sath kesh-xotirasidagi barcha ma’lumotlar, ikkinchi sath kesh-xotirasida, ikkinchi sath kesh-xotirasining barcha ma’lumotlari esa, uchinchi sath kesh-xotirasida ham yozilgan bo‘ladi. Kesh-xotiraning bir necha xillari mavjud: to‘g‘ridan-to‘g‘ri akslantiriluvchi kesh-xotira (rus tilida – кэш-память прямого отображения) va
assotsativ kesh-xotira. Xotira modullarini yig‘ish va ularning xillari. Hozirda xotira mikrosxemalari, odatda 8 ta yoki 16 tali guruhlarga birlashtirilib bitta kichikroq plataga o‘rnatilgan holda ishlab chiqarilmoqda va sotilmoqda (2.8-rasm). Bunday platalar xotira modullari deb ataladi.
2.8-rasm. Xotira modullari.
Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud: - SIMM (Single Inline Memory Module) – ulanish nuqtalari bir tomonda joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida – модуль памяти с односторонним расположением выводов);
DIMM (Dual Inline Memory Module – ulanish nuqtalari ikki tomonda joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida – модуль памяти с двухсторонним расположением выводов).
SIMM platalarda bir tomonda joylashtirilgan ulanish nuqtalariga (kontaktlarga) ega bo‘lib, bunday modullarda bir taktli siklda ma’lumotlarni uzatish tezligi 32 bitni tashkil qiladi.
DIMM platalari esa ikki tomonda joylashgan, har birida 84 tadan, jami 168 ta ulanish nuqtasiga ega. Ushbu xildagi modullarda bir taktli siklda ma’lumotlarni uzatish tezligi 64 bitni tashkil qiladi, ya’ni avvalgisidan ikki barobar tezkorroq.
Avvalgi SIMM va DIMM modullari tarkibida, har biri 256 Mbit (32 Mbayt) hajmga ega 8 ta mikrosxema o‘rnatilgan bo‘lar edi. Bitta xotira modulining umumiy hajmi 256 Mbayt ga teng bo‘lib, 1 Gbayt xotiraga ega bo‘lish uchun to‘rtta ana shunday modulni asosiy plataga o‘rnatish kerak bo‘lar edi. Keyinchalik esa hajmi ikki barobor katta bo‘lgan xotira modullari ham ishlab chiqarila
boshlandi.
Raqamli mantiqiy sathda xotiraning tuzilishi va uni tashkil qiluvchi asosiy qismlari. 2.9 - 2.15 rasmlarda raqamli mantiqiy sathda xotiraning qanday tuzilganligini va u qanday tashkil tashkil etuvchi asosiy qismlardan iborat ekanligini ko‘rsatuvchi chizmalar keltirilgan. 2.9-rasmda tasvirlangan sxema SR- ilgak (rus tilida – защелка) deb ataladi. U ikkita kirishga ega: S (Setting – o‘rnatish) va R (Resetting – olib tashlash). Unda doimo bir-biriga teskari qiymatlarni qabul qiluvchi ikkita chiqish signallari mavjud Q i .
2.9-rasm. SR-ilgak. НЕ-ИЛИ ilgagi 0 holatda (a); НЕ-ИЛИ ilgagi 1 holatda
(б);
НЕ-ИЛИ funksiyasining haqiqat jadvali (в).
Tezkor va doimiy xotira qurilmalari. Ko‘rib chiqilgan xotiralarning barcha xillari bitta umumiy xususiyatga ega: ularda axborotni ham yozish, ham o‘qish ikoniyatlarini mavjud. Bunday xotira tezkor xotira qurilmasi (TXQ) deb ataladi (Random Access Memory – RAM, rus tilida - оперативное запоминающее устройство – ОЗУ). Tezkor xotira qurilmasining ikki xili mavjud:
Statik TXQ (Static RAM - SRAM). Bu xildagi xotira D-triggerlar asosida quriladi. Statik TXQsida axborot, unga manba ulangan vaqt davomida saqlanadi: bu vaqtning davomiyligi – sekundlarga, minutlarga, soatlarga va kunlarga ham teng bo‘lishi mumkin. Statik TXQ juda tez ishlaydi, unga murojaat qilish vaqti bir necha nanosekundlarga teng bo‘lishi mumkin. Shu sababli statik TXQ, ko‘pincha ikkinchi sath kesh-xotirasi sifatida ishlatilmoqda.
Dinamik TXQ (Dynamic RAM – DRAM). Bu xildagi xotirani qurishda triggerlar ishlatilmaydi. Dinamik TXQ tranzistorlar va juda kichik kondensatorlardan qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. Kondensatorlar zaryadlangan va zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi mumkin, bu hol 1 va 0 ni saqlash imkonini beradi. Kondensatorda zaryad yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi sababli, bu xildagi xotirada ma’lumotlar yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-vaqti bilan qayta zaryadlanib turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni saqlash uchun 1-ta tranzistor va 1-ta kondensator kerak bo‘ladi. Statik TXQda esa bir bit axborotni saqlash uchun kamida 6-ta tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun asosiy xotira deyarli har doim dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik TXQga nisbatan ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:
FPM (Fast Page Mode) – tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik xotira (rus tilida - быстрый постраничный режим);
EDO (Extended Data Output) – ulanish nuqtalarining imkoniyatlari kengaytirilgan dinamik xotira – (rus tilida – память с расширенными возможностями вывода);
DRAM, SDRAM (Synchronous RAM) – sinxron dinamik TXQlari (rus tilida – синхронное динамическое ОЗУ);
DDR (Double Data Rate) – ma’lumotlarni ikki karra tez uzata oluvchi (rus tilida
– передача данных с двойной скоростью).
Doimiy xotira qurilmalari. Elektr manbai uzilganda ham ma’lumotlarni saqlay
oladigan xotira – doimiy xotira qurilmasi (DXQ) deb ataladi (ROM – Read-Only Memory, rus tilida – постоянное запоминающее устройство - ПЗУ). Odatda doimiy xotira qurilmalaridagi axborotni o‘zgartirish yoki o‘chirib tashlash mumkin emas. Ammo hozirda DXQni ishlab chiqarish paytidagina emas, balki uni qo‘llashdan avval, ya’ni uni ishlatish paytida ham axborotni yozish mumkin bo‘lgan va axborotni o‘chirib yozish mumkin bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari ham ishlab chiqilgan. Ular quyidagicha nomlanadilar:
PROM (Programmable ROM) – programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida – программирумые ПЗУ).
EPROM (Erasable PROM) – axborotni o‘chirish va qayta yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida – стираемое программируемое ПЗУ);
EEPROM (Electronically EPROM) – axborotni elektron tarzda o‘chirish va yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida – электронно-перепрограммируемое ПЗУ); - flesh-xotira.
|
