Maydon tranzistorlarni xosil qilish.
Reja:
Maydonli tranzistorlar.
Emitter tokining o’tkazish koeffitsienti.
Baza tokining o’tkazish koeffitsienti. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti.
Maydonli tranzistorlar
Tranzistor 1948-yilda amerikalik olimlar U. Shokli, D. Bardin, U. Bratteyn, tomonidan ixtiro qilingan. Tranzistor so’zi inglizcha trans-uzatish va resistor- qarshilik degan so’zlaridan olingan bo’lib, qarshilikni uzatish degan maʻnoni anglatadi. Ular barcha Elektronika va signallarni qayta ishlash qurilmalarining asosini tashkil etadi. Tranzistor elektr signallarini kuchaytirish generatsiyalash va boshqa ko’pgina maqsadlarda qo’llaniladi.
Tranzistorlar tuzilishi va ishlash tamoyiliga qarab biqutbiy (bipolyar) va unipolyar (maydon) tranzistorlarga bo’linadi. Unipolyar tranzistorlar maydon tranzistorlari deb ham ataladi. Bipolyar tranzistorlarni ishlashi p – n o’tish
hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa bir turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan Yarim o’tkazgichning o’tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishga asoslangan.
Bipolyar tranzistor deb 2 ta o’zaro taʻsirlashadigan p – n o’tishdan tashkil topgan yarim o’tkazgichli asbobga aytiladi. U Yarim o’tkazgich kristalida 2 ta p – n o’tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Tranzistorni o’tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab p
– n – r va n - p – n turli tranzistorlarga ajratiladi. 3 qatlamdan tashkil topgan tranzistorning har bir sohasining nomi bor:
chap chekka soha emitter deb, o’ng chekka soha kollektor deb o’rtadagi soha esa baza deb ataladi (8.1-rasmga qarang).
8.1-rasm.
p – n – r tranzistorni to’g’ri n - p – n tranzistorni esa teskari tranzistor deb atash qabul qilingan. Bu tranzistorlarning ishlash tamoyili bir xil bo’lib, faqat elektr sxemaga ulanishi bilan farqlanadi. p – n – r tranzistorda asosiy tok tashuvchilar kovaklar, n-p-n tranzistorda asosiy tok tashuvchilar elektronlar hisoblanadi.Tranzistorlar radiosxemada ishlatilganda uning elektrodlaridan biri zanjirning kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy bo’lgan simga, korpusga ulangan bo’ladi. Shunga ko’ra tranzistorlarni uch xil ulanish sxemasi mavjud.
Umumemitter (UE) ulanish sxemasi Umumbaza (UB) ulanish sxemasi Umumkollektor (UK)
ulanish sxemasi
Bu ulanishlar ichida UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda eng qulay hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorlarning asosiy kattaliklari va tavsifnomalari Shu sxema asosida tekshiriladi va qolgan ikki ulanish sxemasiga tadbik etiladi. 8.2-rasmda tranzistorning UB sxemasida ulanishi tasvirlangan. endi
tokini hosil qiladi. Yuqoridagi mulohazalarga asoslanib
kollektor tokini taxminan
emitter tokiga teng deyish mumkin. (
I k I э ). Agar tranzistorning emitter
zanjiridagi kuchlanish biror qonuniyat asosida o’zgarib tursa,
unga mos ravishda
emitter tokining qiymati
Iэ ham o’zgaradi. emitter tokining o’zgarishi esa, kollektor
