IMS tuzilish sxemasi. MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash

IMS tuzilish sxemasi.

MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash

MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash texnologiyasi

ikkita omil bilan bog’liq;

• 
  Kanallari bir xil o’tkazuvchanlikka ega integral MDYA – tranzistorlar uchun tuzilmalarni izolatsiyalash operatsiyasi talab etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokka nisbatan teskari o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi.Shuning uchun istok – asos va stok – asos p-n o’tishlarning biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida teskari ulanadi va izolatsiyani ta’minlaydi.
  
• 
  Barcha tayyorlash jarayoni faqat MDYA – tuzilmani hosil qilishga olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida , balki rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.
  

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

MDYA – tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida yaratiladi.Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya va ochilgan darchalarga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish orqali bajariladi.

MDYA – tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo’lganligi uchun unga alohida talablar qo’yiladi. Xarakteristika tikligini oshirish uchun:

ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak.