Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad

IMS tayyorlash uchun p – o’tkazuvchanlika ega, qalinligi 0,2÷0,4 mm, bo’lgan kremniy asosdan foydalaniladi.

IMS tayyorlash uchun p – o’tkazuvchanlika ega, qalinligi 0,2÷0,4 mm, bo’lgan kremniy asosdan foydalaniladi.

Bunday asosda elementlar soni mingtagacha yoki yuzlarcha bo’lgan o’rta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi(har bir kvadratda bir xil IMS lar joylashadi).

Asos sirtida termik oksidlash yo’li bilan qalinligi 0,5÷1 mkm bo’lgan Sqatlam hosil qilinadi. Shundan so’ng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda “darcha”lar ochish uchun o’tkaziladi. Darchalar orqali 1÷2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush) diffuziya qilinadi. Natijada bo’lg’usi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o’tkazuvchi n+ - soha hosil bo’ladi. Ushbu qatlam yashirin n+ - qatlam (cho’ntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kamaytiradi, natijada tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlamli n+ - n bo’lib qoladi.

Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi 8÷10 mkmni tashkil etuvchi n-turli epitaksial qatlam o’stiriladi va epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi diffuziyani o’tkazish uchun darchalar ochiladi.Aktseptor kiritmalarni (bor) darchalar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to’rtta n – soha (sxemadagi elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n – sohalar bir-biridan p-n o’tishlar yordamida izolatsiyalangan bo’ladi. Ushbu sohalarning biri tranzistorning kollektori bo’lib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolatsiyalangan n – sohalarga akseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchunchi fotolitografiya yordamida shunday o’lchamli darchalar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin.