|
Mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar. Komplementar invertorlar. Optronlar
|
| bet | 1/11 | | Sana | 08.04.2024 | | Hajmi | 272.81 Kb. | | #191439 |
Bog'liq 6-maruza Fayllar tizimida ishlash test, pedagogik texnalogiya, HTML QOLLANMA, kenguru 2012 class 2, 3 kurs ekanomika, Kompyuter kimyo, Raqamli hisoblash mashinasi - Vikipediya, Sana 14-mart Sinf 8,,B’’ Fan Chizmachilik Mavzu Modelning be, 00 Бизнес режа нима, jadval bo`yicha, optika, bayonnoma 2 ko`chirma, Asinxron mashinalar, 2022 Fermentlar maruza (2), Academic-Data-341201109566 (1)
MA’RUZA. EMITTERLARI BOG’LANGAN MANTIQ. MDYA TRANZISTORIDA YASALGAN MANTIQIY ELEMENTLAR. KOMPLEMENTAR INVERTORLAR. OPTRONLAR.
6.1. Emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar.
Zamonaviy emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementnlarning yaratilishiga raqamli qurilmalarning tezkorligini oshirish muammosi yechish sabab bo‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq xolda bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda BT to‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BT dagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin. Ushu qaralayotgan EBM shunday sxemotexnikaviy yechimlardan biri deyish mumkin.
BT ning to‘yinmagan rejimi nagruzka va parazit sig‘imlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi elementning ulanish vaqti minimal qiymatga ega bo‘ladi. Bu vaqtda BT ning berkilish vaqti davomiyligi ortmaydi. Shu sababdan EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega bo‘ladi.
Tok qayta ulagichi. Tok qayta ulagich sxemasi ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan bo‘lib, ularning har biri tranzistor va rezistordan iborat (6.1-rasm). Umumiy emitter zanjirida BTG I0 ishlaydi.
6.1-rasm. Tok qayta ulagichining sxemasi
Kirishlarning birortasi (VT2) tayanch deb ataluvchi doimiy kuchlanish manbai masalan- U0 ga ulangan bo‘ladi. Tokning I0 qiymati tranzistorning aktiv ish rejimiga mos tushadi hamda EBM ning negiz elementlarida I0 = 0,5÷2 mA ga teng. BTG sxemaning mavjudligi sababli baza potentsiallarining ixtiyoriy qiymatlarida emitter o‘tishlarda avtomatik ravishda shart o‘rnatiladi. Sxema simmetrik, shuning uchun ikkala BT baza potentsiallari teng bo‘lganda (UKIR = U0) va har bir yelkadan oqib o‘tayotgan tok I0 / 2 ga teng bo‘ladi.
Tayanch kuchlanish U0 = 1,2 V.
Agar UKIR qiymati Δ ≤ 0,1 V ga kamaysa, u holda IE1 tok I0 ga nisbatan 1 % gacha kamayadi, IE2 tok esa 99 % gacha ortadi.
Demak, kirish signali U-KIR ≤ U0 – Δ (mantiqiy 0) bo‘lganda VT1 tranzistor berk bo‘ladi, VT2 tranzistordan esa to‘liq I0 toki oqib o‘tadi.
Agar UKIR qiymati Δ ≥ 0,1 V ga ortsa, u holda IE1 tok I0 ga nisbatan 99 % gacha ortadi, IE2 tok esa 1 % gacha kamayadi.
Demak, kirish signali U+KIR ≥ U0 + Δ (mantiqiy 1) bo‘lganda VT2 tranzistorni berk deb hisoblash mumkin, VT1 tranzistordan esa to‘liq I0 tok oqib o‘tadi.
Natijada ideal tok qayta ulagichiga ega bo‘lish mumkin.
Sathlar orasidagi farq - qayta ulanish kichikligi uning kamchiligi hisoblanadi, chunki qayta ulanish sohasi kirish signallarini tayanch kuchlanish U0 dan UQU=U+KIR–U-KIR=2Δ≈ 0,3 V qiymatga o‘zgarishi bilan aniqlanadi. Demak, xalaqitbardoshlik ham kichik bo‘ladi. Lekin mantiqiy o‘tish vaqtining kichikligi hamda to‘yinish rejimining yo‘qligi hisobiga tok qayta ulagichining qayta ulanish vaqti juda kichik bo‘lib, 3 ns dan oshmaydi.
Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi.
Qayta ulagichlarda ketma –ketligi ishlashini ta’minlash uchun kirish va chiqishlar bo‘yicha mantiqiy 0 va mantiqiy 1 sathlar muvofiqlashtirish talab qilinadi. Lekin, mazkur turdagi qayta ulagichlarda sathlar mosligi mavjud bo‘lmaydi, chunki U1 va U2 chiqishlardan olinayotgan chiqish kuchlanishi doim U0 dan katta bo‘ladi. Shuning uchun bunday qayta ulagichlarni ketma - ket ulash mumkin emas. Buning uchun maxsus muvofiqlashtiruvchi kaskadlar qo‘llaniladi. Ular kuchlanish sathini siljitish qurilmasi deb ataladi. Emitter qaytargichlar bunday qurilmaning sodda sxemasi bo‘lib xizmat qiladi. Qaytargichda chiqish (emitter) potentsialining sathi tayanch potentsial sathidan U* kattalikka past bo‘ladi.
Tok qayta ulagichini EBM elementga o‘zgartirish uchun uning chap yelkasini parallel ulangan (kirishlari bo‘yicha) tranzistorlar bilan almashtirish kerak.
6.2-rasm. Ikki kirishga ega bo‘lgan EBM ME ning sxemasi
Chiqishda emitter qaytargichlarning qo‘llanilishi mantiqiy o‘tishni 0,7V gacha va xalaqitlarga bardoshlikni deyarli 0,3V gacha oshiradi. Bundan tashqari, emitter qaytargichdagi kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortadi va yuklamadagi sig‘im qayta zaryadlanishi tezlashadi.
Manbaning manfiy qutbi umumiy deb olingan EBM sxemaning kamchiligi bo‘lib chiqish signali mantiqiy sathlarining kuchlanish manbai qiymatiga bog‘liqligi hisoblanadi. Bundan tashqari, chiqish umumiy nuqta bilan qisqa tutashganda emitter qaytargich tranzistori ishdan chiqadi.
Kuchlanish manbai EM ning musbat qutbini umumiy nuqtaga ulab aytib o‘tilgan kamchiliklarni bartaraf etish mumkin. Bunda, sxemaning ish printsipi, albatta o‘zgarishsiz qoladi.
EBM elementlar o‘ta yuqori tezlikda ishlovchi tizimlar uchun negiz hisoblanadi. Elementlarni montaj usulda birlashtirish yo‘li bilan turli funktsiyalarni amalga oshirish imkoniyati tug‘iladi.
6.3-rasm. 500 markali EBM elementning tuzilish sxemasi
TTMga nisbatan EBM sxemotexnikasi funktsional tomondan yahshi moslanuvchan hamda turli murakkablikdagi mantiq algebrani yaratish imkonini yaratadi. Bu xossa esa matritsali kristallar asosida maxsus KIS lar yaratish imkonini beradi.
Yana, ko‘pgina maxsus maqsadlar uchun ishlab chiqilgan EBM sxemalar ham mavjud.
6.4-rasm. Ikki kirishga ega EBM elementning shartli garfik belgilanishi
Element musbat mantiq uchun bir vaqtning o‘zida ikkita funktsiyani amalga oshiradi: U1 chiqish bo‘yicha 2YoKI-EMAS (Pirs elementi) va U2 chiqish bo‘yicha 2YoKI (diz’yunktsiya).
|
| |
