Microsoft Word Ashm lr2m doc

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
QARSHI FILIALI


LABORATORIYA ISHI 3

Биполяр транзисторда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш.

Maqsad ishlari: O'qish ish kuchaytiruvchi kaskadlar yoqilgan bipolyar tranzistorlar.

Vazifalar ishlari:

• 
  o'qish usullari hisoblash tranzistor kuchaytirgichlar;
  
• 
  o'rganish ish tranzistor kuchaytirgich tomonidan sxema Bilan umumiy emitent (OE) ta'sir qilish hamkorlik qarshilik yuk, Kuchlanishi tarafkashlik yoqilgan shakl signal Va koeffitsienti kuchaytirish;
  
• 
  o'rganish ish kuchaytirgich tomonidan sxema Bilan umumiy kollektor.
  

1. O'qish kuchaytirgich tomonidan sxema Bilan umumiy emitent

   1. 
      Yugurish hisoblash kuchaytiruvchi kaskad tomonidan sxema Bilan O.E (guruch. 1.1):
      

A) yoqilgan xususiyatlari tranzistor (guruch. 1.2) murojaat qiling yuk bevosita (ma'nosi qarshilik -

nia V zanjirlar kollektor
RC _{_} - ga binoan tab. 1.1 Kuchlanishi manba ovqat E = 12 IN);

b) tanlang ishlaydi nuqta ( UCE _{_} , I _C ), ta'minlash maksimal qamrovi hafta oxiri signal -

la, aniqlash joriy asoslar I _B
V ishlaydi nuqta;

V) aniqlash zarur Kuchlanishi U _BO'LING
kutilgan koeffitsienti kuchaytirish tomonidan kuchlanish;
Va mumkin qamrovi kiritish stress, taxmin qilish

G) hisoblash qiymatlar rezistorlar
R1 _ ,
R2 _ .

1.1-rasm - Umumiy bilan sxema emitent


Chizma 1.2 - Xususiyatlari tranzistor KT815G

2.