|
Noorganik materiallardagi nanokristallitlar
|
| bet | 44/51 | | Sana | 19.12.2023 | | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor5.2.Noorganik materiallardagi nanokristallitlar
Yarimo'tkazgichli nanokristallarni olish uchun noorganik matritsa sifatida turli xil yuqori zichlikdagi va g'ovakli oynalar, ion kristallari, zeolitlar, kompozit materiallar qo'llaniladi.
Yuqori zichlikdagi shisha hajmida nanokristallitlar boshqariladigan diffuziya jarayonlarini o'tkazish orqali o'stiriladi. Bu usul bilan rangli optik filtrlar va fotoxrom oynalar tayyorlanadi. Shu maqsadda silikat va boro-silikat oynalari ishlatiladi. Bu tizimlarda kristallitlarning hosil bo'lishi va o'sishi to'yingan eritmalarda fazaviy o'tishlar tufayli sodir bo'ladi. Jarayon Tər.m harorat oralig'ida amalga oshiriladi Tər–-shisha o'tish harorati Tm va matritsa materialining erish harorati. Ko'zoynaklardagi nanokristallarning haqiqiy hosil bo'lish harorati kristallitlarning o'lchamiga va matritsa materialiga qarab (550÷700)ºC oralig'ida o'zgarishi mumkin. Shisha matritsalarda A2B6 və A3B5yarimo'tkazgich birikmalarining (1÷10) nm o'lchamdagi nanokristallitlarini olish uchun boshqariladigan diffuziya jarayonlaridan foydalaniladi.
Zeolit - diametri ~1 nm bo'lgan teshiklari bo'lgan davriy ravishda joylashgan Al-O-Si kristalli modda. Ushbu teshiklarda yarimo'tkazgichli materiallarni sintez qilish orqali yarim o'tkazgich kvant nuqtalaridan iborat davriy tuzilmani yaratish mumkin. Bunday kvant nuqtalari bir xil o'lchamdagi nanokristallitlardan iborat. Ushbu usul bilan CdS, PbJ2və Ge nanokristallitlar hosil bo'ladi.
Yarimo'tkazgich-dielektrik tarkibi klasterli yotqizish yoki ion implantatsiyasi usullari bilan yaratiladi. SiO2
yoki bu usullar CaF2 matritsasida Si va Ge kvant nuqtalari va kvant teshiklarini tayyorlash uchun ishlatiladi.
Klaster yotqizish usulida, odatda, yarimo'tkazgich yoki dielektrik atomlari va molekulalaridan iborat bo'lgan plitalar shaklida boshlang'ich tarkibni hosil qilish uchun kimyoviy yotqizish, elektron-nurli yoki lazerli bug'lanish, shuningdek, magnetronli püskürtme ishlatiladi. Agar substratning harorati kristallanishni rag'batlantirish uchun etarlicha yuqori bo'lsa, yarimo'tkazgichli nanokristallitlar cho'kish jarayonida to'g'ridan-to'g'ri ko'k rangga aylanadi. Nanokristallarning hajmini oshirish uchun bu qatlam yuqori haroratlarda termal qayta ishlanadi.
O'z-o'zidan tashkil etilgan nanostrukturalarni yaratish uchun ion implantatsiyasi usuli klasterni joylashtirish usulidan faqat dastlabki kompozitsiyani tayyorlash jarayonida farq qiladi. Dastlabki tarkibni tayyorlash uchun Ge yoki Si atomlari SiO2 qatlamiga kiritiladi. Bunday implantatsiya qilingan yarimo'tkazgich atomlari plastinka qalinligi bo'ylab notekis taqsimlanadi: ularning kontsentratsiyasi chuqur qatlamlarda maksimaldir. Namunalar kerakli o'lchamlarga ega bo'lgan nanokristallitlarni hosil qilish uchun termal qayta ishlanadi. Kvant nuqtalari va nano o'lchamdagi kvant teshiklari ion implantatsiyasi usuli bilan SiO2 qatlamida nanokristallitlar shaklida yaratilgan
.
|
| |
