Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti elektronika

• Oddiy invertorli TTM. Murakkab invertorli va Shottki baryerli TTM.

Reja

1. ТТМ haqida tushuncha.

2. ТТМ ME tushuncha.

3. Sodda invertorli ТТМ.

4. Murakkab invertorli ТТМ.

Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM)

ТТМ- Bipolyar tranzistorlar va rezistorlar asosida tuzilgan raqamli mantiqiy mikrosxemalarning sxematik variantlari (turlari). TTM iborasi - tranzistorlar mantiqiy funktsiyalarni (masalan, HAM, YOKI) bajarish bilan bir qatorda chiqish signalini ham kuchaytirish uchun qo`llanilishi bilan bog'liq.

Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM)

• Mantiqiy IS yoki mantiqiy element deb ikkilik sanoq tizimida berilgan axborotlarni mantiqiy o'zgartishga mo’ljallangan elektron sxemalarga aytiladi. MElarning sxema variantlarini tranzistorli mantiqlar deb atash qabul qilingan. Mantiq turi qo’llanilgan elektron kalit va elementlar orasida o'rnatilgan bog'liqlik bilan aniqlanadi. TTM mantiq keng tarqalgan va ko'p ishlab chiqariladigan IS hisoblanadi va ular o'rtacha tezlik va quvvat iste`moliga ega..

ТТМ МE sxemasi tarkibi

2 ta mantiqiy kirish, ko'p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan. Ko'p emitterli tranzistor (KET) umumiy baza va umumiy kollektorga ega bo'lgan tranzistorli tuzilma bo'lib, teskari yoki to'yish rejimlarida ishlashi mumkin.

Bipolyar tranzistorda bajarilgan invertor sxemasi

Sodda invertorli ТТМ mantiqiy element(Sheffer elementi)

Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo`lib, u ko'p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuziladi. KET TTM turdagi MElarning o'ziga xos komponenti hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy kollektorga ega bo`lgan tranzistorli tuzilmadir. Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL≤8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers rejimda yoki to'yinish rejimda ishlashi mumkin

Sodda invertorli ТТМ mantiqiy element

Ikki kirishli (ХАМ-EМАS) Sheffer elementning haqiqiylik jadvali

Sodda invertorli ТТМ mantiqiy element

Murakkab invertorli ТТМ mantiqiy element

Murakkab invertorli TTM sxemasi amaliyotda keng qo`llaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar, R4 rezistor va VD diod), boshqariluvchi faza ajratuvchi kaskad (VT1 tranzistor, R2 va R3 rezistorlar) dan tashkil topgan.

Murakkab invertorli ТТМ mantiqiy element

Murakkab invertorli ТТМ mantiqiy element

Mantiqiy 1 va mantiqiy 0 asimptotik qiymatlari U1 ≥ 2,4 B; U0 ≤ 0,4B, UQU=U1-U0=2V kuchlanishlar bilan ifodalanadi. Yuqorida ko'rib chiqilgan seriyalar funksional va texnik to'liqlikka ega, ya`ni turli arifmetik va mantiqiy amallarni, xotirada saqlash, yordamchi va maxsus funktsiyalarni bajaradi. Asosiy TTM turi bo'lib mantiqiy ko`paytirish inkori bilan ya`ni, HAM-EMAS amaliyotini boshqaradigan Sheffer elementi hisoblanadi.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., ToshmatovSh.T. Elektronika va sxemotexnika (darslik) Toshkent.: «Aloqachi», 2017y.

2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., ToshmatovSh.T. Sxemotexnika asoslari (darslik) Toshkent.: «Aloqachi», 2011y.