• TT-12-22 guruh talabasi Xayrullayev Ibrohimning Elektronika va sxemalar 2 fanidan bajargan Mustaqil ish 1 Bajardi
  • Umumi y bаzаli sхеmа - UB Umumi y еmittеrli sхеmа - UЕ Umumi y kоllеktоrli sхеmа – UK
  • Npn tranzistoriga asoslangan umumiy asosli sxema boʻyicha kuchaytirish bosqich
  • NPN umumiy emitter kuchaytirgich bosqichi (tuproqli emitter davri)
  • O‘zbekiston espublikasi Raqamli texnologiyalar vazirligi Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Qarshi filiali




    Download 201,5 Kb.
    bet1/5
    Sana30.05.2024
    Hajmi201,5 Kb.
    #257794
      1   2   3   4   5
    Bog'liq
    1-mustaqil --ish IBROHIM


    O‘zbekiston espublikasi
    Raqamli texnologiyalar vazirligi
    Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi
    Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
    Qarshi filiali

    Telekommunikatsiya texnologiyalari” fakulteti
    Telekommunikatsiya texnologiyalari yo‘nalishi
    TT-12-22 guruh talabasi Xayrullayev Ibrohimning
    Elektronika va sxemalar 2 fanidan bajargan

    Mustaqil ish 1


    Bajardi: Xayrullayev I
    Qabul qildi: Rustamova M

    Bipоlyar trаnzistоrlаrning sхеmаgа ulаnishi


    Rеjа:

    1. Trаnzistоrlаrning sхеmаgа ulаnishi

    2. Umumiy еmittеrli sхеmа

    3. Umumiy kоllеktоrli sхеmа

    4. Umumiy bаzаli sхеmа

    5. Trаnzistоrning kuchаytirish kоеffisiyеnti

    Bipоlyar trаnzistоrlаrning uch хil ulаnish sхеmаsi mаvjud.

    Umumiy bazali ulanish
    Umumiy bazaga ega kuchaytirgich bosqichi (qisqartma — HAQIDA) bipolyar tranzistor yordamida elektron kuchaytirgichlarni qurish uchun uchta tipik sxemadan biridir.
    Dala effektli tranzistor holatida umumiy eshikli kuchaytirgichga (kaskad) yoki elektrovakuum triodidan foydalanganda umumiy tarmoqqa ega kaskadga mos keladi.

    Tokning kuchayishi yoʻqligi (birlikka yaqin, lekin birlikdan bir oz kamroq), yuqori kuchlanish kuchayishi va oʻrtacha (umumiy emitent sxemasiga nisbatan) quvvat ortishi bilan tavsiflanadi.


    Npn tranzistoriga asoslangan umumiy asosli sxema boʻyicha kuchaytirish bosqich


    Umumiy еmittеrli sхеmа


    Umumiy emitter (CE) sxemasida bipolyar tranzistor yoqilganda, kirish signali emitterga nisbatan bazaga qoʻllaniladi va chiqish signali emitterga nisbatan kollektordan olinadi. Bunday holda, chiqish signali kirishga nisbatan teskari boʻladi (juda yuqori boʻlmagan chastotali harmonik signal uchun chiqish signalining fazasi kirishga nisbatan 180 ° ga siljiydi, yuqori chastotalarda faza almashinuvi 180 dan farq qiladi. ° tranzistorning inertsiyasi tufayli).
    Transistorning bunday kiritilishi sizga eng koʻp quvvatni olish imkonini beradi, chunki oqim ham, kuchlanish ham kuchayadi.

    NPN umumiy emitter kuchaytirgich bosqichi (tuproqli emitter davri)



    Download 201,5 Kb.
      1   2   3   4   5




    Download 201,5 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    O‘zbekiston espublikasi Raqamli texnologiyalar vazirligi Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Qarshi filiali

    Download 201,5 Kb.