Yorug‘lik ta’siri ostida elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradigan
asboblarga
fotorezistorlar deyiladi. Fotorezistorlarda material sifatida selen, talliy, svines,
vismut, kadmiy va boshqa yarimo‘tkazgichlar ishlatiladi. Yarimo‘tkazgichni
yoritishda o‘tkazuvchi maydondan o‘tadigan
elektronlar soni va elektr
o‘tkazuvchanligi ortadi.
Yorug‘lik tavsifi, volt-amper tavsifi, spektral tavsifi fotorezistorlarning asosiy
tavsiflari hisoblanadi. Fotorezistorlar integral sezgirligining yuqoriligi sababli,
ular avtomatika va telemexanikaning ba’zi bir qurilmalarida keng ishlatiladi
(2.29-
rasm)
Quyosh fotoelementlari va fotodiodlar, ularning ishlatiladigan sohasi
Ventilli fotoelementlarda yorug‘lik energiyasi to‘g‘ridan to‘g‘ri
elektr
energiyasiga aylanadi, shuning uchun ularga
begona tok manbalari kerak
bo‘lmaydi. 1954-yildan boshlab ventil fotoelementlari quyosh batareyalarini
yasashda ishlatilmoqda. Bunday quyosh batareyalarini Yerning sun’iy
yo‘ldoshlarida muvaffaqiyatli ishlatilib kelinmoqda. O‘zbekistonda
bunday
batareya Тoshkent viloyatining Kumushkon qishlog‘ida joylashgan. Quyosh
fotoelementining tuzilishi juda oddiydir. U n-tipidagi kremniy
plastinkasidan iborat
bo‘lib, unga mishyak atomi aralashma sifatida kiritilgan. Plastinka yuzasiga
diffuziya orqali vakuumda
bor elementi kirgiziladi, u teshikli elektr o‘tkazuvchi
maydon hosil qiladi (
2.30-rasm). p –elektr o‘tkazuvchanlikning qalinligi 2ч3 mkm
dan
oshmaydi, shuning uchun yorug‘lik energiyasi p-n o‘tish hududiga oson kiradi.
Elektron-teshik o‘tishi teskari qarshiligining yorug‘lik ta’sirida o‘zgarishi
xususiyatini ishlatadigan asbobga fotodiod deyiladi. Fotodiodlarning sezgirligi juda
yuqori bo‘lganligi ularni hisoblash va o‘lchov texnikasi avtomatikasi qurilmalarida
ishlatishga imkon beradi
(2.31-rasm). Fotodiodlar FD deb belgilanadi.
