rasmda fotoeffektli fotoelementlarning xarakteristikasi keltirilgan.
II.ASOSIY QISM Fotoelektron ko‘paytirgichlar Fotoelektron ko‘paytirgich tashqi fotoeffektli elektrovakuum
fotoelementlarning xili hisoblanadi. Fotoelektron ko‘paytirgichlar rus injeneri
L.A.Kubetskiy tomonidan 1930-yilda ixtiro qilingan.
Fotoelektron ko‘paytirgich deb, shunday fotoeffektli fotoelementga aytiladiki,
unda fototok kuchayishi ikkilamchi elektron emissiyadan foydalanish yo‘li bilan
amalga oshiriladi (2.28-rasm). Fotoelektron ko‘paytirgichlarning kamchiligi vaqt
o‘tishi bilan sezgirligining pasayishi (qarishi) hisoblanadi, undan tashqari ularga
katta kuchlanishli manba talab qilinadi (2300 V gacha).
Fotorezistorlar
Yorug‘lik ta’siri ostida elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradigan asboblarga
fotorezistorlar deyiladi. Fotorezistorlarda material sifatida selen, talliy, svines,
vismut, kadmiy va boshqa yarimo‘tkazgichlar ishlatiladi. Yarimo‘tkazgichni
yoritishda o‘tkazuvchi maydondan o‘tadigan elektronlar soni va elektr
o‘tkazuvchanligi ortadi.
Yorug‘lik tavsifi, volt-amper tavsifi, spektral tavsifi fotorezistorlarning asosiy
tavsiflari hisoblanadi. Fotorezistorlar integral sezgirligining yuqoriligi sababli,
ular avtomatika va telemexanikaning ba’zi bir qurilmalarida keng ishlatiladi (2.29- rasm) Quyosh fotoelementlari va fotodiodlar, ularning ishlatiladigan sohasi Ventilli fotoelementlarda yorug‘lik energiyasi to‘g‘ridan to‘g‘ri elektr
energiyasiga aylanadi, shuning uchun ularga begona tok manbalari kerak
bo‘lmaydi. 1954-yildan boshlab ventil fotoelementlari quyosh batareyalarini
yasashda ishlatilmoqda. Bunday quyosh batareyalarini Yerning sun’iy
yo‘ldoshlarida muvaffaqiyatli ishlatilib kelinmoqda. O‘zbekistonda bunday
batareya Тoshkent viloyatining Kumushkon qishlog‘ida joylashgan. Quyosh
fotoelementining tuzilishi juda oddiydir. U n-tipidagi kremniy plastinkasidan iborat
bo‘lib, unga mishyak atomi aralashma sifatida kiritilgan. Plastinka yuzasiga
diffuziya orqali vakuumda bor elementi kirgiziladi, u teshikli elektr o‘tkazuvchi
maydon hosil qiladi (2.30-rasm). p –elektr o‘tkazuvchanlikning qalinligi 2ч3 mkm
dan
oshmaydi, shuning uchun yorug‘lik energiyasi p-n o‘tish hududiga oson kiradi.
Elektron-teshik o‘tishi teskari qarshiligining yorug‘lik ta’sirida o‘zgarishi
xususiyatini ishlatadigan asbobga fotodiod deyiladi. Fotodiodlarning sezgirligi juda
yuqori bo‘lganligi ularni hisoblash va o‘lchov texnikasi avtomatikasi qurilmalarida
ishlatishga imkon beradi (2.31-rasm). Fotodiodlar FD deb belgilanadi.
