|
O'zbekiston Respublikasi Axborot Texnologiyalari va
|
| bet | 5/5 | | Sana | 03.02.2023 | | Hajmi | 2.25 Mb. | | #40940 |
Bog'liq 732-21 - Labaratoriya ishi Ergashev Abdushukur 1 matematika 35ta (2), 800 та саволга 800 та жавоб, Mustaqil ish 2, Korxona iqtisodiyoti3 - LABORATORIYA ISHI
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan.
a) b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda
, bo’lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda
h- parametrlar formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)
3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va
- aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
va bo’lganda
Xulosa
Men mavzu davomida UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik harakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, harakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishib chiqdim.
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik harakteristikalari, umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanishi, ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda harakteristikalar oilasi kabi tushunchalarga ega bo’ldim.
|
| |
