O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al‑xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti sirtqi bo‘lim Telekomunukatsiya

I_E  I_En

• 
  I_Ep
  

, (4.1)

bu yerda, I_En, I_Ep – mos ravishda elektronlar va kovaklar injeksiya toklari.

Emitter tokining I_Er tashkil etuvchisi kollektor orqali oqmaydi va shuning uchun foydasiz tok hisoblanadi. I_Ep qiymatini kamaytirish uchun bazadagi aktseptor kiritmalar konsentratsiyasi qiymati emitterdagi donor kiritmalar konsentratsiyasiga nisbatan ikki tartib kichik qilib olinadi.
Emitter tokida elektronlarning injeksiya toki I_En ulushini injeksiya koeffitsiyenti deb ataluvchi kattalik ifodalaydi. U emitter ishlash sama- radorligini belgilab, emitter tokidagi foydali tok ulushini ko„rsatadi

_{ } ^IEn
I_E
. (4.2)

Odatda, ^ =0,990-0,995ni tashkil etadi. Bazaga injeksiyalangan elek- tronlar, bazada kollektor tomonga diffuziyalanib KO„gacha yetib boradi. So„ngra kollektorga ekstraksiyalanadi (KO„ning elektr maydoni ta‟siri- da kollektorga tortib olinadi) va kollektor toki I_Kn ni hosil qiladi.

Kollektorga o„tish davomida injeksiyalangan elektronlarning bir qismi baza sohadagi kovaklar bilan uchrashib rekombinatsiyalanadi va ularning konsentratsiyasi kamayadi. Yetishmovchi kovaklar tashqi zanjir orqali kirib (elektr neytrallik sharti bajarilishi uchun), baza tokining rekombinatsiya takshil etuvchisi I_BRЕK ni hosil qiladi. I_BRЕK qiymati katta bo„lgani uchun uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bunga baza keng- ligini kamaytirish bilan erishiladi.
Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokining baza sohasida rekombinatsiya hisobiga kamayishi elektronlarni tashish koeffitsiyenti deb ataluvchi kattalik bilan ifodalanadi:

_{ } ^IKn
T _I
. (4.3)

En
Real tranzistorlarda _T =0,980 † 0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning KO„ teskari yo„nalishda siljitilgan (U_KB bilan amalga oshiriladi) ligi sababli, kollektor zanjirida xususiy tok

tashkil topgan. Natijada p-n o„tishning teskari toki
^IK 0
 I _pn  I_np
amal-

da teskari kuchlanishga bog„liq bo„lmaydi va xona temperaturasida kremniyli o„tishlarda I_K0=10^-15 A ni tashkil etadi. Shunday qilib, emitter toki boshqaruvchi, kollektor toki esa boshqariluvchidir. Shuning uchun BT tok bilan borshqariluvchi asbob deyiladi.
Kollektor toki ikki tashkil etuvchidan iborat


I_K  I _Kn  I_{K 0 .}

Agar I_Kn emitterning to„liq toki bilan bog„liqligi e‟tiborga olinsa, u

holda
^{IK  IE  IK 0} , (4.4)

bu yerda,
  
– emitter tokini uzatish koeffitsiyenti. ^  1 bo„lga-

T
ni uchun UB ulangan BT tokni kuchaytirmaydi ( _{IK  IE} ).
Baza elektrodidagi tok rekombinatsiya tashkil etuvchi I_BRЕK dan tashqari, EO„ning injeksiyalangan kovaklar toki I_Ep va KO„ning xususiy toki I_K0 dan tashkil topadi. Ko„rinib turibdiki,

^IB.REK
 (1  
)I_En
. (4.5)

Т
Baza tokining rekombinatsiya I_B.RЕK va injeksiya I_Ep tashkil etuvchilari yo„nalishlari bir xil. Agar KO„ga qo„yilgan kuchlanish teskari yo„nalishda bo„lsa, uning xususiy toki I_K0 teskari yo„nalgan bo„ladi. Shuning uchun

T En Eр K 0 E K 0

К
I  (1 )I  I  I  (1)I  I ^{. (4.6)}

Tok bo„yicha katta kuchaytirish koeffitsiyentini ta‟minlovchi sxe- ma 4.2-b rasmda keltirilgan bo„lib, unda BT UE sxemada ulangan. Ush- bu sxemada umumiy elektrod bo„lib emitter, kirish toki bo„lib – baza toki, chiqish toki bo„lib esa – kollektor toki xizmat qiladi.

Kirxgofning birinchi qonuniga muvofiq emitter toki tranzistorning boshqa elektrodlari toklari bilan quyidagi munosabat orqali bog„langan:
I_E  I_B  I_К ^.
(4.4) va (4.5) munosabatlarni e‟tiborga olgan holda UE ulangan sxemada kollektor toki uchun tenglama quyidagi ko„rinishga ega bo„ladi:

K

B

K 0
I   I  I  I ^.
К

Bundan
I  ^ I
^K 1   ^B


_ 1 _I
1   ^{K 0}

. (4.7)

Agar
_{ } 
1
deb belgilansa, (4.7) ifodani quyidagi ko„rinishda

K 0
yozish mumkin



K
I  I



B
 (


_1)I . (4.8)

^ koeffitsiyent baza tokini uzatish koeffitsiyenti deb ataladi.
^ ning qiymati 10 † 1000 bo„lib, UE sxemada ulangan BT yaxshi tok kuchaytirgich hisoblanadi.