Kollektor va emitter toklarining o„zaro bog„lanishi baza orqali amalga oshadi. Dreyfsiz BT bazasida turli rejimlarda zaryad tashuv- chilar kontrsenatsiyasining taqsimlanishi 4.6-rasmda ko„rsatilgan.
4.6-rasm. Turli rejimlarda zaryad tashuvchilarning BT bazasida taqsimlanishi:
n E n dx E n B,
bu yerda,
n(x) – ixtiyoriy
x kesimda elektronlar konsentratsiyasi;
ЕБ (
kT /
qNA ) /(
dNA /
dx)
– akseptor kiritmalar konsentratsiyasi NA
notekis taqsimlangan bazada ichki elektr maydon kuchlanganligi.
Invers rejimda KO„ to„g„ri yo„nalishda siljitilgan bo„lib, elek- tronlar kollektordan bazaga injeksiyalanadi. Baza sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi kollektordan emitterga kamayib boradi va bu holda tok teskari yo„nalgan bo„ladi. To„yinish
rejimida, ikkala
p-n o„tish to„g„ri siljitilganda,
p-n o„tishlar yaqinida elektronlar konsentratsiyasi muvozanat holatdagiga qaraganda yuqori bo„ladi, shuning uchun
n(
x) konsentratsiyaning bazada taqsimlanishi 4-chiziq bilan ifodalanadi. Ushbu taqsimlanishni aktiv va invers rejimlardagi konsentratsiyalar taqsimlanishi yig„indisi sifatida ko„rsatish mumkin. Ikkala
p-n o„tishga teskari siljitish berilgan berk rejimda, bazaning
p-n o„tishlarga
yaqin sohalarida, elektronlar konsentratsiyasi amalda nolga teng bo„lib, muvozanat holatda bazada taqismlanganga qaraganda kamroq bo„ladi (5-chiziq).
p-n o„tishlar yaqinida hosil bo„ladigan konsentratsiya gradientlari
p-n o„tishlarning teskari toklarini aniqlaydi. Zaryad tashuvchilarning bazada taqsimlanishini bilish
p-n o„tishlarga berilgan kuchlanishlarning tranzistor elektrodlaridagi toklar qiymatiga ta‟sirini grafik ravishda yaqqol ko„rsatish imkonini beradi. Yuqorida
keltirilgan zaryad tashuvchilar taqsimlanishi o„tishlarga berilgan kuchlanishlar ta‟sirida baza sohasi kengligining o„zgarishlarini e‟ti- borga olmagan holda ko„rib chiqildi. Real BTlarda p-n o„tishlarga berilgan kuchlanishlar ta‟sirida p-n o„tish kengligi o„zgaradi, bu o„z navbatida baza sohasi kengligi LB ning o„zgarishiga olib keladi. Agar p- n o„tishlar kengaysa, baza torayadi va aksincha bo„ladi. Ushbu hodisa Yerli effekti yoki baza kengligi modulyatsiyasi deb ataladi.
Yerli effekti qanday natijalarga olib kelishi mumkinligini ko„rib chiqamiz.
Aktiv rejimda KO„dagi teskari kuchlanish qiymati
UKB ortgan
sayin baza kengligi LB kichiklashadi. Bu o„z navbatida bazaga injeksiyalangan elektronlar konsentratsiyasi gradientini oshiradi, natija- da emitter toki ortadi. Baza kengligi kamayishi bilan, emitter tokining
rekombinatsiya hisobiga yo„qolishi kamayib, tashish koeffitsiyenti
T
qiymati ortadi.
To„yinish rejimida emitter va kollektordan bazaga elektronlar in- jeksiyalanadi.
Natijada UK ortishi bilan EO„ning elektronlar toki keskin kamayadi. Emitter samaradorligi ham keskin kamayib,
UK =
UE
bo„lganda
=0 bo„ladi.
Berk rejimda
=0. Invers rejimda
p-n o„tishlar vazifalari
almashadi – KO„
boshqaruvchi, EO„ boshqariluvchi bo„lib qoladi.
Xulosa:
Bipolar tranzistorlar, NPN va PNP turlari mavjud bo'lgan ikkita asosiy turdagi tranzistorlardir. Bu tranzistorlar, katod, emittor, va kollektor elektrodalaridan iborat. Mavzusi unda yotadi: elektronlar (NPN uchun) yoki "qat'iy" (P-type, PNP uchun) qat'iyasini almashtirgan material.
NPN Tranzistor:Emittor (E): Bu elektronlarni yotadi (bolishgan tomon).
Baz (B): Bu elektrodalar orqasidan yo'l ochadi va tranzistorning ishlashi uchun talab qiladi.Kollektor (C): Elektronlarni qabul qiladi va undan olib tashlaydi.
PNP Tranzistor:
Emittor (E): Bu elektronlar "qat'iy"ni (bolishgan tomon) yotadi.
Baz (B): Bu elektrodalar orqasidan yo'l ochadi va tranzistorning ishlashi uchun talab qiladi.Kollektor (C): Elektronlarni qabul qiladi va undan olib tashlaydi.
NPN tranzistor uchun, emittor elektronlarni (elektronlar) ishlab chiqaradi va bazni alohida stanteza o'rnatilgan N-tipdagi materialdan yaratadi. Bazga tegishli voltajni o'zgartirish bilan, emittor va kolektor o'rtasidagi elektronlar ko'plab o'tadi yoki to'xtaydi, bu erda elektr emas (havfsiz) ko'chirish yuzaga chiqadi.
PNP tranzistor uchun, emittor "qat'iy"ni ishlab chiqaradi va bazni alohida stanteza o'rnatilgan P-tipdagi materialdan yaratadi. Bazga tegishli voltajni o'zgartirish bilan, emittor va kolektor o'rtasidagi elektr emas (havfsiz) ko'chirish osonlashadi.
Bipolar tranzistorlar ko'p turli elektronika
devrelarida ishlatiladi, masalan, kuchli o'tkinchli ishlovchi, amplifikatsiya qiluvchi, yo'lni boshqaruvchi o'zaro munosabatlarni o'zgartiradigan qurilmalarda.
Umuman olganda, tranzistorlar elektronika sohasida keng qo'llaniladi va ularning to'plami (IC) o'rganish uchun muhimdir.
