|
Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi
|
| bet | 3/3 | | Sana | 09.07.2024 | | Hajmi | 228,96 Kb. | | #267245 |
2. Ishni bajarish tartibi
1. 10.3– rasmda keltirilgan bipolyar transistor asosidagi elektron kalit uzatish xarakteristikasini o‘lchash prinsipial sxemasi NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ing;
2. 10.1– jadvalda berilgan variant bo‘yicha parametrlarni sozlang;
3. 10.2– jadval asosida E1=UKIR kuchlanishini berilgan qiymatga mos holda oshirib borib, chiqish kuchlanishi (UCHIQ), baza toki (Ib) va kollektor toki (Ik) qiymatlarini jadvalga yozib oling;
4. Olingan natijalar 10.2– jadval asosida 𝑈𝑐ℎ𝑖𝑞 = 𝑓(𝑈𝑘𝑖𝑟); 𝐼𝑘 = 𝑓(𝐼𝑏); 𝐼𝑏 = 𝑓(𝑈𝑘𝑖𝑟); 𝐼𝑘 = 𝑓(𝑈𝑘𝑖𝑟) bog‘liq grafiklarini hosil qiling
7-variant 2N2714 RB = 10 kOm, R = 3,3 kOm, EM = E2 = 5 V.
10.3-rasmning Multisim dasturiy muhitida yig’ilgan holati
Ukir, V
|
0
|
0,2
|
0,4
|
0,6
|
0,8
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
Uchiq, V
|
4,998
|
4,998
|
4,998
|
4,976
|
2,668
|
0,138
|
0,1
|
0,098
|
0,097
|
0,097
|
Ib, mA
|
0
|
0,000028
|
0,000056
|
0,000111
|
0,0071
|
0,024
|
0,121
|
0,22
|
0,319
|
0,419
|
Ik, mA
|
0.0008
|
0,000888
|
0,000888
|
0,0071
|
0,707
|
1,473
|
1,485
|
1,486
|
1,486
|
1,486
|
Xulosa:
Men bu labaratoriya ishida bipolyar tranzistorli sodda elektron kalit sxemasida statik rejimlarni va o‘tish jarayonlarini tajriba yo‘li bilan tadqiq etdim va men bu labatoriya ishini bajarishda Multisim dasturiy muhitidan foydalandim. Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi, UB ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o‘zgarmas tokda ishlashini qo‘rib chiqamiz (24 a-rasm).
Bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo‘lib baza sohasining yetarlicha kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda W L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi). Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan: - emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi; - bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o‘tishi; - bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o‘tishga yetib kelgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraksiyasi.
Foydanilgan adabiyotlar:
1 https://uz.wikipedia.org/wiki/Bipolyar_tranzistor
2 https://kpfu.ru/portal/docs/F1437294694/Ziganshin.pdf
3 Peter Ashburn (2003). SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. New York: Wiley. Chapter 10. ISBN 978-0-470-84838-8.
4 Paul Horowitz and Winfield Hill (1989). The Art of Electronics (2nd ed.). Cambridge University Press. pp. 62-66. ISBN 978-0-521-37095-0.
|
| |
