Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo‘llaniladi.
Pardalar vakuumda termik purkash, materialni ionlar bilan bombardimon qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritmadan kimyoviy o‘tkazish usullari bilan hosil qilinadi. Har bir usulning afzalligi va kamchiligi mavjud.
Misol tariqasida metallashni – kristall yoki asos sirtida metall pardalar (sxemada elementlarning o‘zaro ulanishi, kontakt yuzachalar, pasiv va aktiv elementlar elektrodlari) hosil qilish jarayonini ko‘rib chiqamiz. Metallash uchun oltin, nikel, kumush, alyuminiy va Cr-Au, Ti-Au va boshqalar ishlatiladi.
Kremniy asosidagi IMSlarda metallashni amalga oshirish uchun asosan alyuminiydan foydalaniladi. Narhi qimmat bo‘lmagan holda, ko‘rsatib o‘tilgan metallar kabi, u r – kremniy bilan omik (to‘g‘rilamaydigan) kontakt hosil qiladi, kichik solishtirma qarshilikka ega va katta tokka chidaydi. Alyuminiy vakuumda termik bug‘latish usuli bilan sirtga o‘tkaziladi. n–turli soha bilan omik kontakt hosil qilish uchun undagi donorlar konsentratsiyasi 1020 sm-3 atrofida bo‘lishi kerak. Bundan yuqori konsentratsiyaga ega bo‘lgan soha n+ deb belgilanadi. Metallash jarayoni yarimo‘tkazgich plastina hajmida sxema elementlari hosil qilingandan so‘ng amalga oshiriladi. Birinchi navbatda plastina sirtida SiO2 qatlam hosil qilinadi. Shundan keyin kremniy bilan kontaktlar hosil qilinishi kerak bo‘lgan joylarda, fotolitografiya usuli bilan, SiO2 parda qatlamida «darcha»lar ochiladi. So‘ng vakuumda termik purkash usuli bilan plastina sirtida qalinligi 1 mkm atrofida bo‘lgan alyuminiy qatlam hosil qilinadi. Kontakt yuzachalari va elektr jihatdan birlashtiruvchi o‘tkazgichlarning zaruriy shakli fotolitografiya usuli bilan hosil qilinadi. Alyuminiy qatlamining ishlatilmaydigan sohalari yemirish usuli bilan olib tashlanadi, so‘ngra alyuminiy bilan kremniy orasida kontakt hosil qilish uchun plastinaga termik ishlov beriladi. Hozirgi vaqtda metallashda elektr o‘tkazuvchanligi alyuminiyga nisbatan katta bo‘lgan mis ham qo‘llanilmoqda
XULOSA
Integral mikrosxemalar, elektronika va boshqa sohalarda ishlatiladigan mikrochip va mikroprotsessorlardan iborat kompleks elektronik qurilmalardir. Ular elektronik devralarni birlashtirish, muharrirlik, ma'lumotlarni saqlash, aloqa o'rnatish va boshqalar kabi ko'plab funktsiyalarni bajarish uchun ishlatiladi.
Integral mikrosxemalar, juda kichik hajmda ishlaydigan, ammo bir nechta elektronik komponentlarni (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar, va boshqalar) bir qolga joylashtirgan silikon substratining yuqori tekislikli qoplamalari hisoblanadi. Bu komponentlar yordamida elektrikli solishtirish, hisoblash va boshqa amallar o'tkaziladi.
Integral mikrosxemalar o'rnatish tartibida, qurilmalar va zarur elektronik komponentlar bir-biriga teshkil etilgan mikrodevralar yordamida muvaffaqiyatli ishlaydi. Ular bir nechta funksiyalarni bajarishi mumkin, masalan, xotira, hisoblash, kriptografiya, aloqa, chiziq o'rnatish va boshqalar.
Integral mikrosxemalar elektronika sohasida katta ahamiyatga ega, ular avtomobillar, telefonlar, kompyuterlar, jismoniy modullar, elektronika ishlab chiqaruvchi zavodlar va boshqalar kabi bir qancha sohalarda ishlatiladi. Bu xususiyatlari bilan, integral mikrosxemalar texnologiyalarning va kommunikatsiyalar sohasidagi rivojlanishning asosiy muhim qismlaridan biri sifatida hisoblanadi.
|
