|
-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan
|
| bet | 3/3 | | Sana | 05.12.2023 | | Hajmi | 3.84 Mb. | | #111229 |
Bog'liq Bipolyar tranzistorning Suv hisobi yangi, Sherzodbek 2-lab, 1-mustaqil ish.docx Nafisa elektronika, fizika 8 sinf dars ishlanma, Feruza Qosimova Avesto kitobi (1), Elektron biznes, Kompyuterni tashkil etish Mustaqil ish-1 Marjona, 10 ta farq top, AVTOMOBIL VA DVIGITELLARGA TEXNIK XIZMAT KORSATISH, TAMIRLASDH, New Microsoft Word Document, Labaratoriya 4, 63-maktab talabnoma spartakiyada, wepik-sifatning-maieno-turlari-zbek-tilida-taqdim-etis-ucun-sarlava-20231116135432YhQo, 829078231956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Umumiy emitentli bipolyar tranzistorni yoqish sxemasi.
Ushbu sxema kuchaytiruvchi xususiyatlari bilan mashhurlikka erishdi. Barcha davrlarning ichida u eng katta oqim va kuchlanishni beradi, mos ravishda signal kuchining oshishi ham katta. Ushbu sxemaning nochorligi shundaki, qozonish xususiyatlariga harorat va signal chastotasining ko'tarilishi katta ta'sir ko'rsatadi.
Biz barcha sxemalar bilan tanishdik, endi biz bipolyar tranzistorda (umumiy emitent bilan) so'nggi (lekin unchalik muhim bo'lmagan) kuchaytirgich sxemasini batafsil ko'rib chiqamiz. Avvalo, uni biroz boshqacha tasvirlaylik:Bu erda bitta kamchilik bor - tuproqli emitent. Transistor shu tarzda yoqilganda, chiqishda chiziqli bo'lmagan buzilishlar mavjud bo'lib, ularga qarshi kurashish kerak. Lineer bo'lmaganlik, kirish voltajining emitent-bazaning o'tish kuchlanishiga ta'siridan kelib chiqadi. Haqiqatan ham, emitrning zanjirida "ortiqcha" narsa yo'q, butun kirish voltaji baza-emitent birikmasiga aniq qo'llaniladi. Ushbu hodisa bilan kurashish uchun emitent sxemasiga qarshilik qo'shaylik. Shunday qilib, biz olamiz salbiy teskari aloqa.
Xulosa Men ushbu mustakil ishni o'zimga belgilangan variantga mos keluvchi parameterlardan foydalanib bajardim.Ushbu mustakil ishda berilgan labaratoriya mashg'ilotini virtual sxemasini NI Multsim 13.0 dasturi yordamida yig'ib chiqdim va o'lchab topilishi kerak bo'lgan parametrlarni o'lchab topdim . Mustakil ishni bajarish davomida davomida BC848 tranzistoridan foydalandim. Olingan natijalar asosida xisob kitob kilib kiymatlarni topdim . Ushbu olingan qiymatlardan foydalanib parametrlarni bir-biriga bog'liqlik grafiklarini Microsoft Excel yordamida chizdim.
Etiboringgiz uchun raxmat
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan
|
