• 2-QISM. BIPOLYAR TRANZISTOR XARAKTERISTIKALARINI O‘LCHASH VA ASOSIY PARAMETRLARINI HISOBLASH
  • Reja: kirish. 1-qism. Nazariy qism




    Download 3.55 Mb.
    bet1/7
    Sana12.04.2024
    Hajmi3.55 Mb.
    #193730
      1   2   3   4   5   6   7
    Bog'liq
    Радиоэлектроника, www.idum.uz 7 sinf Geometriya fanidan test, 3x4-texnologiyasi, Microsoft Word - молфиз тит.do33c, 152371205, 41dona yangi interfaol metodlar, Tactics-Developing, Statistik axborotlarni qayta ishlashda va pragnoz masalalarida d, Buxoro davlat universiteti


    REJA:
    KIRISH.
    1-QISM. NAZARIY QISM
    1. Tranzistorlar haqida umumiy ma’lumotlar
    2.Tranzistorlarning statik tavsifi
    3. Bipolar tranzistorning ulanish sxemalari
    4. Bipolar tranzistorning asosiy (h) parametrlari


    2-QISM. BIPOLYAR TRANZISTOR XARAKTERISTIKALARINI O‘LCHASH VA ASOSIY PARAMETRLARINI HISOBLASH
    1. 2N2219 bipolyar tranzistori kirish va chiqish xarakteristikalarini o‘lchash.
    2. 2N2219 bipolyar tranzistori asosiy parametrlarini hisoblash.
    UMUMIY XULOSA
    FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
    1-QISM. NAZARIY QISM
    Tranzistorlar haqida umumiy ma’lumotlar

    1948 –yilda D.Bardin, V.Bratteyn va V.Shoklilar nuqtali n-p o‘tishlar bilan ishlab turib, ikki n-p o‘tishli qurilma quvvati bo‘yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo‘lishdi. Bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“Transfer” - o‘zgartiruvchi va “resistor” - qarshilik - ingliz so‘zlaridan olingan). Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi.

    Bipolar tranzistor (1957) va operatsion kuchaytirgich (1967). (1-rasm).

    Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil ishlashi shunga olib kelindiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab chiqariladi. Yassi tranzistor yarim o‘tkazuvchining monokristalli bo‘lib, unda ikki hudud bir tipdagi o‘tkazuvchanlikka ega, qarama-qarshi tipdagi o‘zgaruvchanlikka ega bo‘lgan hudud bilan bo‘lingan. Bu asboblarni asosiy vazifasi elektr tebranishlarni kuchaytirish yoki generatsiyalashdan iborat. Oddiy p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistorlar quyidagi rasmlarda o‘z aksini topgan (2-3-rasm).




    Tranzistorlar maksimal ishchi chastotaga qarab quyidagilarga bo‘linadi.
    - Past chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =3- 30 mGs :
    -Yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f=30-300 mGs :
    -O’ta yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f=300 mGs:
    Yarim o‘tkazgichli triod elektron asboblarining bir turi bo‘lib, tranzistor deb ataladi. Tuzulishi va ishlash usuliga qarab tranzistorlar bipolyar va unipolyar tranzistorlarga ajratiladi.Bipolyar tranzistorlarning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, unipolyar tranzistorning ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishiga asoslangan.Bipolyar tranzistor yarim o‘tkazgich monokristalda ikkita p-n o‘tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Uni o‘tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Agar monokristallning hajmi bilan chegaralangan bo‘lsa, hosil bo‘lgan yassi tranzistor p-n-p turdagi tranzistor deyiladi. Aksincha, kovak o‘tkazuvchanlik soha orasida bo‘lsa n-p-n turdagi tranzistor hosil bo‘ladi. Bu tranzistorlarning sxemada belgilanishi va potensial to‘sig‘ining ko‘rinishi 4-rasmda ko‘rsatilgan.






    4-rasm.

    Tiristorlar to‘rt qatlamli, ya’ni uchta p-n o‘tishli yarim o‘tkazgich asbobdir.
    Chetki p-qatlam anod n-qatlam – katod deb ataladi. Ichki p va n-qatlamlar boshqaruvchi elektrodlar yoki ba‘za deyiladi.(5-rasm).

    5-rasm. Tristorning tuzilishi

    Bipolyar tranzistorlar uchta chegaraviy muhitni o‘z ichiga oladi va p-n o‘tish bilan ajratilgandir. O’rta chegaradagi elektr o‘tkazuvchanlik ikki chekkadagi elektr o‘tkazuvchanligiga qarama-qarshi holatda bo‘ladi. Agar tranzistor p-n-p strukturaga ega bo‘lsa, n-soha baza bo‘lib xizmat qiladi, n-p-n strukturaga ega bo‘lsa R-soha tranzistorning bazasi bo‘ladi. 6 va 7- rasmga qarang.


    Trazistordagi baza p-n-p va n-p-n qatlamlaridan o‘tayotgan toklarni boshqarib turadi. Tranzistorlarning asosiy ko‘rsatgichlaridan biri tok kuchaytirish koeffitsienti bo‘lib, quyidagicha ifodalanadi:


    Tranzistorlar elektr zanjiriga quyidagi uslubda ulanadi:

      1. Yaxlit baza bo‘yicha ulash a-rasm;

      2. Yaxlit kollektor bo‘yicha ulash v-rasm;

      3. Yaxlit emitter bo‘yicha ulash s-rasm; (8-rasm).

    Tranzistorlarni s-rasmda ko‘rsatilgandek umumiy emitter usulda ulashda quvvatni kuchaytirish koeffitsienti katta qiymat oladi; Amaliy elektronikada umumiy emitter chizmasi bo‘yicha tranzistorlarni ulash keng tarqalgandir. Murakkab elektron qurilmalar hammasi shu chizma asosida yig‘ilgandir.



    Download 3.55 Mb.
      1   2   3   4   5   6   7




    Download 3.55 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Reja: kirish. 1-qism. Nazariy qism

    Download 3.55 Mb.