|
Roboto texnika asoslari
|
| bet | 9/17 | | Sana | 08.01.2024 | | Hajmi | 303,68 Kb. | | #132603 |
Bog'liq Fotorezistor va uning imkoniyatlari.......Chegaraviy chastota – yorug‘lik oqimini modellashtiruvchi sinusoidal signalning chastotasi fcheg bo‘lib, unda fotorezistor sezgirligi modullashtirilmagan oqimdagi (fcheg≈103…105 Gs) sezgirlik bilan taqqoslaganda marta kamayadi.
Ayrim hollarda fotorezistorlarning chastotaviy xossalari 1.18, a, b – rasmda, yuqori (egri chiziq 1) va past (egri chiziq 2) qorong‘ulik o‘tkazuvchanligiga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlar uchun keltirilgan o‘tish tavsifi bilan tavsiflanadi.
1.18–rasm. Kirish signali (a), o‘tish (b) va harorat (c) tavsifi hamda uning shartli belgilanishi (d)
Fototokning harorat koeffitsiyenti fotorezistor parametrini harorat o‘zgarishi bilan o‘zgarishini tavsiflaydi:
(1.19)
Sanoatda ishlab chiqarilgan fotorezistorlarda αt≈–103…10-4 grad-1. Ba’zida atrof muhitning harorati o‘zgarganda qarshilikning nisbiy o‘zgarishini tasvirlovchi fotorezistorning harorat tavsifi ishlatiladi.
Ostonaviy oqim – fotorezistorni o‘zining xususiy shovqin fonida aniqlashi mukin bo‘lagn oq oqimning minimal qiymati. oq o‘rtacha kvadrat sinusoidal – modullashtirilgan yorug‘lik oqimi sifatida aniqlanib, uning ta’sirida o‘rtacha kvadratik chiqish elektr signali fotorezistor shovqininnig o‘rtacha kvadratik qiymatiga teng bo‘ladi.
Fotorezistor yarimo'tkazgichli qurilma bo'lib, yorug'lik bilan nurlantirilganda qarshiligini o'zgartiradi. Pn birikmasi yo'q, shuning uchun oqim oqimining yo'nalishidan qat'i nazar, u bir xil o'tkazuvchanlikka ega.
Nurlanishning to'g'ridan-to'g'ri ta'siri tufayli yarim o'tkazgichning elektr qarshiligining o'zgarishi hodisasi fotorezistiv effekt yoki ichki fotoelektrik effekt deyiladi [1] .
Materiallar, dizayni[tahrir | manbasini tahrirlash]
Fotorezistorlar ishlab chiqarish uchun hal qilinayotgan muammo uchun optimal bo'lgan taqiqlangan zonali yarimo'tkazgichli materiallar qo'llaniladi. Shunday qilib, ko'rinadigan yorug'likni qayd qilish uchun kadmiy selenid va kadmiy sulfid va Se dan tayyorlangan fotorezistorlar ishlatiladi. Infraqizil nurlanishni qayd etish uchun ko'pincha past haroratlarda sovutilgan Ge ( Au, Cu yoki Zn aralashmalari bilan toza yoki qo'shilgan), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe ishlatiladi. Yarimo'tkazgich shisha yoki kvarts substratida nozik bir qatlam shaklida qo'llaniladi yoki bitta kristaldan yupqa plastinka shaklida kesiladi. Yarimo'tkazgich qatlami yoki plastinka ikkita elektrod bilan ta'minlangan va himoya korpusiga joylashtirilgan.
Parametrlari[tahrir | manbasini tahrirlash]
Fotorezistorning qarshiligining yorug'likka bog'liqligi grafigi
|
| |
