|
S: Kuchaytirgich deb nimaga ataladi?
|
| bet | 1/2 | | Sana | 19.02.2024 | | Hajmi | 0.75 Mb. | | #158866 |
Bog'liq test yakuniy E va S 2 lotin 1. Anketa (talabalar), 3-mavzu, conference, 12 labaratoriya ishi, Маълумотлар тузилмаси ва алгоритмлар узб, Abduvositaka, Saralash algoritmlari, Akademik yozuv 2 Omonboyev Rashidbek 12, kontakt hodisalar, golosariy, Operatsion tizimlar uz, 1 - lesson (internet), 2-маруза мавзуси Симулятор, dars tahlili, 6666666666666666666666666666666666666
I:
S: Kuchaytirgich deb nimaga ataladi?
+: Diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘lagiga aytiladi.
-: Kichik quvvatli o‘zgaruvchan signalning parametrlarini buzmasdan doimiy kuchlanish manbaining quvvati hisobiga kuchaytirib beruvchi qurilmaga aytiladi.
-: Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma
-: Elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiyada ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi.
I:
S: Qanday sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan.
+: Umumiy emiter
-: Umumiy kollektor
-: Umumiy baza
-: Umumiy istok
I:
S: Quyidagi sxemani taxlil qiling.
+: Signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai EG ko‘rinishida ifodalash mumkin.
-: Qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai EG ko‘rinishida ifodalanishi mumkin.
-: Signal manbai yoki qarshilik RG bilan paralel ulangan ideal kuchlanish manbai EG ko‘rinishida ifodalash mumkin.
-: Qarshilik RG bilan ketma-ket ideal tok manbai EG ko‘rinishida ifodalanishi mumkin.
I:
S: kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti nimaga teng.
+:
-:
-:
-:
I:
S: Quyidagi rasmda qanday sxema keltirilgan
+:Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
-: Umumiy baza sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
-:Umumiy kollektor sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
-: Umumiy istok sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
I:
S: Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffitsientini temperaturaviy barqarorligini oshirish maqsadida kuchaytirgich bosqichiga qanday aloqa kiritiladi.
+: Manfiy teskari aloqa
-: Musbat teskari aloqa
-: Maxalliy aloqa
-: Umumiy aloqa
I:
S: Teskari aloqa deb nimaga aytiladi.
+: CHiqishdagi yoki biror oraliq zveno qurilmasi chiqishidagi energiyaning bir qismini uning kirishiga uzatishga aytiladi.
-: Kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanish manbai ko‘rinishida ifodalashga aytiladi.
-:Kollektor toki faqat UBE kuchlanishiga emas, balki UKE kuchlanishiga ham bog‘liqligiga aytiladi.
-:Kollektor tokiga proporsional bo‘lib, har bir tranzistorning individual xossalariga bog‘liqligiga aytiladi.
I:
S: Kirish signali fazasi bilan teskari aloqa signali fazalari bir – biriga mos keladi va ularning amplitudalari ko‘shiladi – bunday teskari aloqa nima deb ataladi.
+: Musbat teskari aloqa
-: Manfiy teskari aloqa
-: Maxalliy aloqa
-: Umumiy aloqa
I:
S: Fazalar teskari bo‘lib, amplitudalar bir - biridan ayiriladi – bunday teskari aloqa qanday nomlanadi.
+: Manfiy teskari aloqa
-: Musbat teskari aloqa
-: Maxalliy aloqa
-: Umumiy aloqa
I:
S: Kuchaytirgichlarda qanday teskari aloqa qo‘llaniladi.
+: Manfiy teskari aloqa
-: Musbat teskari aloqa
-: Maxalliy aloqa
-: Umumiy aloqa
I:
S: Manfiy teskari aloqaning kiritilishi nimalarga sabab bo‘ladi.
+: Signal kuchayishini kamaytiradi, lekin parametrlarning barqarorligi ortadi va nochiziqli buzilishlar kamayadi.
-: Kirish signali fazasi bilan teskari aloqa signali fazalari bir – biriga mos keltiradi va nochiziqli buzilishlar kamayadi
-: Signalni kuchaytiradi, lekin parametrlarning barqarorligi kamayadi va nochiziqli buzilishlar ko‘payadi.
-: Kirish signallari fazalari bir biriga mas keladi, nochiziqli buzilishlar ko‘payadi.
I:
S: rasmda qanday kuchaytirgich sxemasi keltirilgan.
+: n – kanalli r–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan.
-: p – kanalli r–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan.
-: p-n-p tipli bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan.
-: n-p-n tipli bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan.
I:
S: Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlarida foydali ish koeffitsienti nima bilan ifodalanadi.
+: bilan
-: bilan
-: bilan
-: bilan
I:
S: Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti birga yaqin bo‘lgan, kirish signal qutbini o‘zgartirmaydigan va katta kirish va kichik chiqish differensial qarshilikka ega bo‘lgan kuchaytirgichlar nima deb ataladi.
+: Qaytargich deb ataladi.
-: Ikki taktli deb ataladi
-: Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar deb ataladi
-: Xarakteristika tikligi deb ataladi
I:
S: Integral mikrosxema deb nimaga aytiladi?
+: Elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi.
-: Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti birga yaqin bo‘lgan, kirish signal qutbini o‘zgartirmaydigan va katta kirish va kichik chiqish differensial qarshilikka ega bo‘lgan kuchaytirgichlarga aytiladi.
-: Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlarida foydali ish koeffitsienti ifodalovchi qurilmalar
-: Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffitsientini temperaturaviy barqarorligini oshirishiradigan qurilma.
I:
S: IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud ular …
+: konstruktiv va texnologik.
-: yarim o‘tkazgichli va pardali
-: yarim o‘tkazgichli va dielektrik
-: qalin pardali va yupqa pardali
I:
S: integral mirosxemalarning xususiyatlarini ko‘rsating
+: yuqori ishonchlilikka va kichik tan narxga ega.
-: tan narxi baland lekin, energiya tejamkor
-: yuqori sifatli va xajmi katta
-: ishlash tezligi past va xajmi kichik
I:
S:Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning qanday prinsipial turilari mavjud:
+: YArim o‘tkazgichli, pardali va gibrid.
-: Dielektrikli, plastinali va aralash
-: YArim o‘tkazgichli va plastinali
-:dielektrikli va yarim o‘tkazgichli
I:
S:IMS ning Element deb nimaga aytiladi?
+: Biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi
-: Diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
-: Dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxemaga aytiladi.
-: Pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxemaga aytiladi.
I:
S: IMS komponentasi deb nimaga aytiladi?
+: Diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
-: Biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi
-: Dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxemaga aytiladi.
-: Pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxemaga aytiladi.
I:
S: IMSning qaysi qismi asosiy konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib hisoblanadi.
+: IMSning asos turi
-: IMSning elementi
-: IMSning komponentasi
-: IMSning tuzilishi
I:
S: Asos turi ko‘ra IMSlar necha turga bo‘linadi?
+: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.
-: YArim o‘tkazgichli, pardali va gibrid.
-: Dielektrikli, plastinali va aralash
-: Dielektrikli, pardali va gibrid
I:
S: Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida qaysi moddalar keng qo‘llaniladi.
+: Kremniy va galliy arsenidi
-: Germaniy va vor
-: Mishyak va kremniy
-: Surma va germaniy
I:
S: Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzal taraflarini ko‘rsating?
+: elementlarning juda yaxshi izolyasiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.
-: elmentlarning juda katta integratsiya darajasi, nominal parametrlari diapazoni juda cheklanganligi, bir - biridan izolyasiyalanganligi.
-:nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati.
-: keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati, MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi.
I:
S: Pardali IS deb nimaga aytiladi.
+: Dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema.
-:Pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema.
-: Diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
-: Biror elektroradioelement funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
I:
S: Parda hosil qilish usuli ko‘ra IMS qanday turlarga bo‘linadi?
+: YUpqa pardali va qalin pardali
-: Gibridli va metal qobiqli
-: Qalin pardali va aralash
-: YArim o‘tkazgichli va dielektrikli
I:
S:
|
| |
