|
O‘zbekiston respublikasi oliy va oʻrta maxsus ta’lim vazirligi
|
| bet | 1/4 | | Sana | 20.04.2023 | | Hajmi | 2.47 Mb. | | #52872 |
Bog'liq MI tavsifnoma, Документ Microsoft Word (4), 7.1-23-325-сон, 7.1-23-421 ilova, Bidosheva Saida Rajab qzi, 2, 3, Ma’naviyat va adabiyot, 5-Jismoniy tarbiya va bolalar sportining gigiyenik mohiyati., baxrom, Kompleksonometriktitrlash 18 bet rangli, Презентация Microsoft PowerPoint, Auditorliq tekseriwshi ekonomikaliq ko, Документ Microsoft Word OLIY VA OʻRTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI NAVOIY DAVLAT KONCHILIK VA TEXNOLOGIYALAR UNIVERSITETI
ELEKTRONIKA
fanidan
MUSTAQIL ISH
Bajardi: 39sA-21TJA guruhi talabasi: Maxkamov F.A.
Qabul qildi: Kalandarov I.I.
Navoiy – 2023
Maydonli tranzistorlar
M aydonli tranzistorlar deb boshlang’ich elektrod (istok) va zatvor oralig’iga tashqaridan kuchlanish berilganda ularning kanalidan o’tayotgan tok elektr maydon orqali boshqariladigan yarim o’tkazgich asbobga aytiladi. Maydonli tranzistorlardagi ish toki bir xil ishorali eltuvchilar tomonidan yuzaga keladi. SHuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ham nomlanadi. Bunday tranzistorlar ikki xil bo’ladi. p—r- o’tishli boshqaruvchi maydonli tranzistor-lar va izolyasiya zatvorga ega bo’lgan (MDP — tranzistorlar) maydonli tranzistorlar (MDP — metall, dielektrik va yarim o’tkazgich ma’nosini bildiradi). MDP tranzistorlar o’z navbatida ikki xil bo’ladi: a) ichida kanal hosil qilinib tayyorlangan, b) induksiyalangan kanalli (bunda tranzistor-ning doimiy kanali bulmaydi). Turli tipdagi maydonli tranzistorlarning tuzilishi 1-rasmda berilgan. Rasmdan ko’rinishicha, tranzistorning bir qancha sohalari va elektrodlari bor: boshlang’ich elektrod (istok)— yarim o’tkazgich kanaliga zaryad eltuvchilar haydaladigan elektrod; kanal — kristallning kesim yuzini o’zgartirib zaryad eltuvchilar oqimini boshqaradigan soha; oxirgi elektrod (stok) — zaryadlarni kanaldan chiqishda to’playdigan elektrod. Boshqaruv kuchlanishi esa zatvor deb ataladigan elektrodga beriladi.
1-rasm. Maydonli tranzistorlarning tuzilishi: a) boshqaruvchi p—r o’tish bilan, b) ichki kanalli MDP tranzistori, v) indutsirlangan kanalli. MDP tranzistori; J — istok, 2 — zatvor (to’siq), 3 — kanal, 4 — stok, 5 — dielektrik, 6 — taglik.
p—r- o’tish bilan boshqariladigan tranzistorlarda kanal zatvor sohasida kichik kesim yuzaga ega bo’lgan p yarim o’tkazgich kristallining bir qismi bilan hosil qilingan (1- rasm, a), p yarim o’tkazgichga bevosita r soha tegib turadi va natijada p—r o’tish hosil bo’ladi. Zatvor va istok orasida kuchlanishni o’zgartirib (izi) r sohaning kesim yuzini o’zgartirish, kristall o’tkazuvchanligini rostlash va asosiy zaryad tashuvchilar - elektronlarning dreyf harakati tomonidan hosil qilinayotgan, stokdan kanal orqali istokka o’tayotgan tokni boshqarish mumkin. 2- rasm, b da boshqaruv kanali bo’lgan tranzistorning VAX ko’rsatilgan, MDP tranzistorlari ishlaganda maydon effekti deb ataluvchi hodisadan foydalaniladi. Buning mohiyati shuki, kristallda tashqi manba tomonidan uning ustki qatlamining elektr o’tkazuvchanligini o’zgartiruvchi elektr maydon xosil qilinadi. Ikki xil MDP tranzistorlarining zanjirlari va tuzilishi 3- rasmda kursatilgan.
Qalinligi 150 ... 200 mkm va solishtirma qarshiligi bir necha Om*sm bo’lgan MDP tranzistorining p tipli plastinkasida kovaklar konsentratsiyam katta bo’lgan, r tipli ikkita soha (stok va istok) hosil qilinadi (3- rasm, a). Sohalar orasidagi masofa (kanal uzunligi), qatlam chuqurligi 5 mm gacha olinganda 5 ... 50 mkm ni tashkil etadi. Kristall yuzida avval yupqa dielektrik qatlam(0,1 mk atrofida), kanalning pastki qismida esa, istok, zatvor va stok tomonlaridan metall kontaktli plyonka satlami hosil qilinadi.
|
| |
