|
-rasm. Maydon tranzistorlarning tuzilish sxemalari
|
| bet | 3/4 | | Sana | 20.04.2023 | | Hajmi | 2.47 Mb. | | #52872 |
Bog'liq MI tavsifnoma, Документ Microsoft Word (4), 7.1-23-325-сон, 7.1-23-421 ilova, Bidosheva Saida Rajab qzi, 2, 3, Ma’naviyat va adabiyot, 5-Jismoniy tarbiya va bolalar sportining gigiyenik mohiyati., baxrom, Kompleksonometriktitrlash 18 bet rangli, Презентация Microsoft PowerPoint, Auditorliq tekseriwshi ekonomikaliq ko, Документ Microsoft Word5-rasm. Maydon tranzistorlarning tuzilish sxemalari.
MDYa tranzistorlari ishlaganda maydon effekti deb ataluvchi hodisadan foydalaniladi. Buning mohiyati shuki, kristallda tashqi manba tomonidan uning ustki qatlamining elektr oʻtkazuvchanligini oʻzgartiruvchi elektr maydon hosil qilinadi.
U tashqi manba elektr maydoni ta’sirida hosil boʻlib, stok va istok oraligidagi zatvor ostidagi yuza yaqinida hosil qilinuvchi, yupqa inversion qatlam p turidagi kovakli oʻtkazuvchanlikli kanal sifatida yuzaga keltiradi.
MDYa- tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi:
Maydon tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri boʻlib tavsifi tikligi S hisoblanadi.
Uni quyidagi ifodadan aniqlash mumkin:
bu yerda boʻlgandagi maksimal tiklik. Yuqoridagi ifodalardan koʻrinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydon tranzistorining tavsifi tikligi kamayadi.
Statik tavsifilardan maydon tranzistorining boshqa parametrlarini ham aniqlash mumkin.
Tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oraligʻidagi kanal Ri qarshiligini ifodalaydi.
Toʻyinish rejimida (VAT ning tekis qismida) Ri bir necha MOmni tashkil etadi va USI ga bogʻliq emas.
Kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffitsienti tranzistorning kuchaytirish xususiyatini ifodalaydi:
Bu koeffitsient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga nisbatan qanchalik ta’sir koʻrsatishini ifodalaydi. “Manfiy” ishorali kuchlanish oʻzgarishi yoʻnalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu koeffitsientni tavsifidan aniqlab boʻlmaganligi sababli, bu kattalikni quyidagicha hisoblash mumkin:
Maydon tranzistorlari uchun bu qiymat 108 dan 1015 Om gacha boʻladi.
Chiqish differensial qarshiligi (stok zanjirida):
U 105 dan 107 Om gacha boʻlishi mumkin.
Maydon tranzistorlari tikligi bir necha un ulushlardan 3 mA/V gacha boʻlishi mumkin.
Elektrodlararo yigʻimlar - kirishdagi (Ssh), chiqishdagi (Ssi) oʻtishdagi (Szs). Elektr maydon tranzistorlaridan yuqori chastotali kuchaytirgich sxemalarida, radio signallarini oʻzgartirish va impulsli texnikada foydalaniladi.
|
| |
