|
O‘zbekiston respublikasi oliy va oʻrta maxsus ta’lim vazirligi
|
| bet | 2/4 | | Sana | 20.04.2023 | | Hajmi | 2.47 Mb. | | #52872 |
Bog'liq MI tavsifnoma, Документ Microsoft Word (4), 7.1-23-325-сон, 7.1-23-421 ilova, Bidosheva Saida Rajab qzi, 2, 3, Ma’naviyat va adabiyot, 5-Jismoniy tarbiya va bolalar sportining gigiyenik mohiyati., baxrom, Kompleksonometriktitrlash 18 bet rangli, Презентация Microsoft PowerPoint, Auditorliq tekseriwshi ekonomikaliq ko, Документ Microsoft Word2- rasm. boshqaruv p-n o’tishli maydonli transistor.
3-rasm. MDP tranzistorning zanjirlari.
Zatvorga musbat potensial berilganda kanal - istok - stok qismning qarshiligi shtta va asbob berk bo’ladi (Iist = 0). Bu xilda elektr maydon kanaldan kovaklarni itarib chiqaradi va uning asosiy tashuvchilarini siyraklashtiradi (ya’ni kamaytiradi). Zatvorga manfiy potensial berilsa, maydon kovaklarni kanal ichiga «tortadi» va uni zaryad tashuvchilar bilan boyitadi (ya’ni kupaytiradi). Kanaldan o’tayotgan tok ortadi. SHunday qilib, zatvor kuchlanishi (U3) ning miqdori, va qutbini o’zgartirib kanalning o’tkazuvchanligini uzgartirish va undan utayotgan tokni modulyasiya qilish mumkin. Induksiyalashgan kanalli MDP - tranzistorlarida (3-rasm, b) kanalning uzi texnologik yul bilan hosil qilinmaydi. U tashqi manba elektr maydoni ta’sirida hosil bulib, stok va istok oralig’idagi zatvor ostidagi yuza yaqinida hosil qilinuvchi, yuqori inversion qatlam —r tipidagi kovakli o’tkazuvchanlikli kanal sifatida yuzaga keltiradi. MDP-tranzistorlarning VAX 4-rasmda kursatilgan.
4- rasm. «n» tipidagi ichki kanalli MDP tranzistorinish VAX:
a— stokdagi, b — kirishdagi.
MDP- tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi:
1. Kirish differensial qarshiligi (istok zanjirida):
Maydonli tranzistorlar uchun bu qiymat 108 dan YU15 Om gacha.
2. CHiqish differensial qarshiligi (stok zanjirida):
U 105 dan 107 Om gacha bulishi mumkin.
3. Istok bo’yicha tiklik xarakteristikasi:
Maydonli tranzistorlar tikligi bir necha un ulushlardan 3 mA/V gacha bulishi mumkin.
4. Taglik bo’yicha xarakteristika tikligi:
5. Elektrodlararo yig’imlar—kirishdagi (Ssh), chiqishdagi (Ssi ) o’tishdagi (Szs). Ular undan bir ulushli pf ni tashkil etadi. Elektr maydonli tranzistorlardan yuqori chastotali kuchaytirgich sxemalarida, radio signallarini o’zgartirish va impulsli texnikada foydalaniladi.
Nazorat savollari:
1. Tranzistor nima?
2. Tranzistorlarning turlarini ayting.
3. Bipolyar transistor qanday qismlardan tuzilgan?
4. Baza emitter va kollektorni aniqlash usullarini ayting.
Maydon tranzistorlar deb boshlangich elektrodi istok va zatvor oraligʻiga tashqaridan kuchlanish berilganda ularning kanalida oʻtayotgan tok elektr maydon orqali boshqariladigan yarim oʻtkazgichli asbobga aytiladi. Maydon tranzistorlardagi ishchi toki bir xil ishorali eltuvchilar tomonidan yuzaga keladi. SHuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ham nomlanadi. Bunday tranzistorlar ikki xil boʻladi. p-n oʻtishli boshqaruvchi maydon tranzistorlar va izolyasiya zatvorga ega boʻlgan (MDYa - tranzistorlar).
Maydon tranzistorlar (MDYa — metall, dielektrik va yarim oʻtkazgich ma’nosini bildiradi). MDYa tranzistarlar oʻz navbatida ikki xil boʻladi:
a) ichida kanal hosil qilinib tayyorlangan;
b) induksiyalangan kanalli (bunda tranzistorning doimiy kanali boʻlmaydi).
Turli turdagi maydon tranzistorlarning tuzilishi 243-rasmda berilgan. Rasmdan koʻrinishicha, tranzistorning bir qancha xossalari va elektrodlari bor: boshlangich elektrod (istok) - yarim oʻtkazgich kanaliga zaryad eltuvchilar elektrod; oxirgi elektrod (stok) - zaryadlarni kanaldan chiqishda toʻplaydigan elektrod. Boshqaruv kuchlanishi esa zatvor deb aytiladigan elektroddan beriladi.
|
| |
