|
O’zbekiston Respublikasi Raqamli
|
| bet | 1/3 | | Sana | 25.01.2024 | | Hajmi | 250 Kb. | | #145830 |
Bog'liq Elektronika mustaqil ish 715-22 guruh Lobarxon Muxtorova 1. Anketa (talabalar), 3-mavzu, conference, 12 labaratoriya ishi, Маълумотлар тузилмаси ва алгоритмлар узб, Abduvositaka, Saralash algoritmlari, Akademik yozuv 2 Omonboyev Rashidbek 12, kontakt hodisalar, golosariy, Operatsion tizimlar uz, 1 - lesson (internet), 2-маруза мавзуси Симулятор, dars tahlili, 6666666666666666666666666666666666666
O’zbekiston Respublikasi Raqamli
Texnologiyalar Vazirligi
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Farg’ona filiali
“Kompyuter injineringi”fakulteti
715-22 guruh talabasi
Muxtorov Lobarxonning
Elektronika va sxemalar fanidan bajargan
MUSTAQIL ISHI
Bajardi: Muxtorova Lobarxon
Qabul qildi: Jo’rayeva Gulnozaxon
MT implus rejim xususiyatlari.
Reja:
1.Maydoniy transistorlar
2.MT asosiy parametrlari
3.MT implus rejmi
4.Xulosa
Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish uchun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. MT larda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. MTlarda tok hosil bo’lishida faqat bir turli — asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba‘zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda :asosiy zaryad tashuvchilarni harakatlantiruvchi elektrod-istok (tok manbai), asosiy zaryad tashuvchilar boradigan elektrod - stok, o'rtadagi boshqaruvchi elektrod esa - zatvor deyiladi.Istok bilan stok oralig'idagi qatlam kanal deyiladi.
Hozirgi zamon texnikasida tranzistorlar nihoyatda keng qo'llaniladi. Ular ilmiy sohada, sanoatda va turmushda ishlatiladigan apparatlarning elektr zanjirlarida elektron lampalarning o'rnini bosadi. Tranzistorlar va yarim o'tkazichli diodlarning elektron lampalar oldidagi afzal tomoni avvalo ancha quvvat va qizish uchun ancha vaqt talab qilib cho'g'lanadigan katodning yo'qligidir. Undan tashqari, bunasboblar elektron lampalarga qaraganda bir necha o'n va yuzlab marta kichik bo'lib, massalari ham juda ko'p marta oz.
Maydoniy tranzistor bu - chiqish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan yarimo'tkazggichli asbob. Maydoniy tranzistorlarda chiqish tokiga ta'sir qiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil qiladi. Maydonli tarnzistorlarni kirish qarshiligi juda katta bo'ladi 100 Ω dan 1000 Ω gacha bo'lib, ularni tayyorlash texnologiyasi bipolyar tranzistorlarga nisbatan osonroq, shuningdek bipolyar tranzistorlarda kirish qarshiligi kichik bo'ladi. Chunki BT larda chiqish toki baza yoki emitterning kirish toki bilan boshqariladi. Kirish qarshiligi kichik bo'lishi zarur bo'lgan hollarda bipolyar tranzistorni ishlatish mumkin. Lekin ayrim sxemalar kirish qarshiligi katta bo'lishini taqozo qiladi. Maydoniy tranzistorlarni yaxshi tomoni energiya juda kam talab qiladi va juda ham mayda joy egallaydi. Bu esa juda qulay.
Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlari: xarakteristikaligi S, differensial (ichki qarshiligi) , µ kuchaytirish koeffitsienti hisoblanadi. Maydoniy tranzistorlarning bir necha afzalliklari: 1. Katta kirish qarshiligiga ega. (p-n o'tishli maydonli tranzistorlarda zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlarda bo'ladi.) 2. Xususiy shovqin juda kam. Tok hosil qilishda faqat bitta turdagi zaryad tashuvchi ishtirok etadi, shuning uchun rekombinatsiya yo'q, rekombinatsiya shovqin yo'q. 3. Harorat va radiatsiya ta'siriga chidamli. 4. Integral sxemalarda juda katta zichlikda tranzistorlar hosil qilinadi (integratsiya darajasi yuqori).
Maydonli tarnzistorlarning chastota xususiyatlari zaryad tashuvchilarning harakat tezligi va kanal uzunligi bilan belgilanadi. Zarrachalar tezligini esa kanaldai maydonkuchlanganligini oshirib ko'paytirish mumkin. Hozirgi kunda ishlab chiqarilayotgan maydonli tranzistorlarning chastota diapazoni 1500 MGers gacha borib, uzib-ulanish vaqti 30 ns atrofida bo'ladi. Maydonli tranzistorlar bipolyar tranzistorlar kabi markalanadi. Farqi faqat ikkinchi elementida bo'lib, P harfi qo'yilgan. Boshqarishda energiya sarflari nuqtai nazaridan maydoniy tranzistorlarni boshqarish bipolyar tranzistorlarni boshqarishga qaraganda tejamliroq olinadi. Bu maydoniy tranzistorlarning hozirgi ommaviyligi orqali tushuntiriladian asosiy omillardan biri hisoblanadi. Maydonli tranzistorlarni umumiy istokli ulanish sxemasi bipolyar tranzistor uchun umumiy emitterli sxemaning o'xshahsi hisoblanadi. Bunday ulanish sxemasi quvvat va tok bo'yicha sezilarli kuchaytirishni berishi mumkinligi bois juda keng tarqalgan, bunda stok zanjiri kuchlanishining fazasi o'zgarmaydi.
Maydon tranzistorining ishlash prinsipi zatvor va istokka qo’yilgan tashqi kuchlanish hisobiga kanal o’tkazgich qatlam qalinligini o’zgarishiga asoslangan. Deylik, istok va stok oralig’iga tashqi kuchlanish qo’yilgan bo’lsin, ya‘ni istokka manbani minus qutbi ulansin. Unda kanal orqali istokdan stok tomon n-tur yarimo’tkazgich plastinkadagi potensiallar farqi ta‘sirida elektronlar harakat qila boshlaydi. Zatvorga ham tashqi kuchlanish beriladiki, ikkala p-n-o’tishlarga teskari kuchlanish beriladi. Zatvorga berilayotgan kuchlanishni o’zgartirib, n-tur yarimo’tkazgichdagi tashuvchilarni pasaytirish mumkin. Buni amalga oshishiga sabab tranzistor kanal o’tkazgich qatlamining ko’ndalang kesimini o’zgarish hisobiga bo’ladi. Bu narsa kanal qarshiligini o’zgartirib, o’z navbatida maydon tranzistorining chiqish toki Ic ni o’zgartiradi.
Maydon tranzistorini kirish kuchlanishidir. Agarda kanalga ketma-ket rezistorni ulasak, zatvor kuchlanishi o’zgarishi natijasida mos ravishda rezistorga tushayotgan kuchlanish ham o’zgaradi. Bu yerda o’tishlar teskari kuchlanish ostida bo’lganligi uchun ularning qarshiligi bo’ladi. Kirish toki esa kanal tokiga nisbatan ancha kichik. Demak, kirish quvvati uncha katta bo’lmay, chiqish quvvati va qarshilik bilan aniqlanib, kirishni ancha marta oshiradi. Shunday qilib, maydon tranzistor kuchaytiruvchi asbobdir.
Maydon tranzistorlarining U = const bo’lganda I= f (U) bilan xarakterlanadi .
|
| |
