B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení

1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;

2. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;

3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;

1. Urychlují napětí větší než 1 MeV;

2. Jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV;

3. Schopnost přímého zápisu; nebo

4. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté podložky z polovodičového materiálu.
c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha, “řízená uloženým programem”, jak jsou dále uvedena:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e., a mající některé a dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi (CVD) za podpory plazmatu “řízené uloženým programem”:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a mající některou z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e. a mající některé z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním “řízené uloženým programem”, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a

2. Jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuovém prostředí pro sekvenční pracování mnoha destiček;

Poznámka: 3B001. e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.
f. Litografická zařízení “řízená uloženým programem”, jak jsou dále uvedena:

1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací (scanner) zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití foto-optických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo

b. Schopná exponovat obrazce s velikostí ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ 0,5 mikrometrů nebo menší;

a. Stopu paprsku menší než 0,2 mikrometru;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 mikrometr; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 mikrometru (3 sigma);

b. Germania; nebo

c. Sloučenin galia nebo india typu IIIIV.

Technická poznámka:

Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Menděljevovy periodické tabulky (arzenid galia, arzenid galio - hlinitý, fosfid india).
3C002 Rezistní materiály (rezisty) dále uvedené a “podložky” potažené kontrolovanými rezisty:
a. Pozitivní rezisty vyvinuté pro polovodičovou litografii optimalizované pro použití expozičního světla s vlnovou délkou pod 350 nm;
b. Všechny rezisty vyvinuté pro použití s elektronovými paprsky nebo iontovými paprsky, o citlivosti 0,01 mikrocoulombu/mm² nebo lepší;
c. Všechny rezisty pro použití s rentgenovými paprsky, o citlivosti 2,5 mJ/mm² nebo lepší;
d. Všechny rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně ’silylátovaných’ rezistů.

Technická poznámka:

’Silylační’ techniky jsou definovány jako procesy používající oxidaci povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.

b. Simuluje fyzikální uspořádání obvodů; nebo

c. Obsahuje ’simulátory litografického zpracování’ ve fázi návrhu.

Technická poznámka:

’Simulátor litografického zpracování’ je sada programů používaná ve fázi návrhu pro definováni sledu litografických, leptacích a depozičních kroků, které transformují obrazce masek do specifických topografických obrazců ve vodičích, dielektrickém nebo polovodičovém materiálu.

b. Heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou transistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární transistory (HBT) součástky využívající kvantových jevů (quantum well) nebo součástky se supermřížkami;

c. Supravodivých elektronických součástek;

d. Podložek z diamantových vrstev pro elektronické součástky;

e. Křemíkových podložek s izolátorem pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;

f. Podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;

g. “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii jiné než ty, které jsou uvedeny v 3E001 pro “vývoj” nebo “výrobu” “mikroprocesorových mikroobvodů”, “mikropočítačových mikroobvodů” a mikrokontrolových mikroobvodů majících “složený teoretický výkon” (“CTP”) 530 milionů teoretických operací za sekundu (Mtops) nebo více a aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více.

Poznámka: Poznámka k 3E001 platí také pro 3E002.g.
3E101 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “užití” zařízení nebo “softwaru” jak jsou uvedeny v 3A001.a.1. nebo 2., 3A101 nebo 3D101.
3E102 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “vývoj” “softwaru” uvedená v 3D 101.
3E201 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “užití” zařízení uvedených v 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 až 3A233.

KATEGORIE 4 - POČÍTAČE
Poznámka 1: Počítače, jejich příslušenství a “software” vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce “lokálních sítí” se musí také hodnotit podle charakteristik výkonu v kategorii 5, Část 1 (Telekomunikace).
Poznámka 2: Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky “ hlavní paměti” nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsané v kategorii 5, Část 1 (Telekomunikace).

POZN.: Ke kontrolnímu režimu “softwaru “ speciálně navrženému pro přepojování paketů viz 5D001.
Poznámka 3: Počítače, jejich příslušenství nebo “software” vykonávající šifrovací funkce kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele, nebo které omezují elektromagnetickou kompatibilitu (EMC), se musí rovněž vyhodnocovat podle charakteristik v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”).
4A Systémy, zařízení a součásti
4A001 Elektronické počítače a jejich příslušenství uvedené dále a “elektronické sestavy” a speciálně konstituované součásti:

Viz také 4A101

1. Určené pro práci při okolní teplotě pod 228 K (-45 °C) nebo nad 358 K (85 °C);

2. Jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:

a. Celková radiační dávka 5 x 10³ Gy (křemík);

b. Narušení při rychlosti dávky 5 x 10⁶ Gy (křemík)/s; nebo

c. Narušení způsobené jednorázovým dějem 1 x 10^-7 chyb/bit/den;
b. Mají charakteristiky nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”)

Poznámka: 4A001 nekontroluje elektronické počítače a jejich příslušenství, které má jejich uživatel pro osobní potřeby.
4A002 “Hybridní počítače” uvedené dále a jejich “elektronické sestavy” a speciálně konstruované součásti:

Viz také 4A102

b. Obsahující analogově číslicové nebo číslicově analogové převodníky, které mají obě dále uvedené charakteristiky:

1. 32 kanálů nebo více; a

2. Rozlišení 14 bitů (plus znaménkový bit) nebo větší, s převodní rychlostí 200000 převodů za sekundu nebo více.

b. “Neuronové počítače”;

c. “Optické počítače”.
4A101 Analogové počítače, “číslicové počítače” nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než specifikované ve 4A001.a.1 které jsou vybaveny pro práci ve ztížených podmínkách a konstruovány nebo upraveny k použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v 9A104.
4A102 “Hybridní počítače” speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v 9A004 nebo sondážních raket uvedených v 9A104.
Poznámka: Tato kontrola se provede pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se “softwarem”specifikovaným ve 7D103 nebo 9D103.
4B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení
Žádné
4C Materiály
Žádné
4D Software
Poznámka: Kontrolní status “softwaru” pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení popsaných v jiných Kategoriích je uveden vždy v příslušné Kategorii. Kontrolní status “softwaru” pro zařízení popsaná v této Kategorii je popsán v tomto odstavci.
4D001 “Software” speciálně určený nebo upravený pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení nebo “softwaru” uvedený ve 4A001 až 4A004 nebo 4D.
4D002 “Software” speciálně určený nebo upravený pro podporu “technologie” uvedené ve 4E.
4D003 Specifický “software”:
a. “Software” operačních systémů, nástroje pro vývoj “softwaru” a překladače speciálně určené pro zařízení na “zpracování vícenásobného toku dat” ve “zdrojovém kódu”;
b. “Expertní systémy” nebo “software” pro inferenční stroje “expertních systémů” poskytující současně:

1. Časově závislá pravidla; a

2. Zákonitosti (primitives) pro manipulaci s časovými charakteristikami pravidel a faktů;
c. “Software” mající charakteristiky nebo vykonávající funkce, které překračují meze v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”);

Poznámka: 4D003.c. nekontroluje “software”, který doprovází uživatele a je určen pro jeho osobní potřeby.
d. Operační systémy speciálně konstruované pro zařízení se “zpracováním v reálném čase”, které zaručují “celkovou čekací dobu přerušení” menší než 20 mikrosekund.
4E Technologie
4E001 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení nebo “softwaru” uvedeného ve 4A nebo 4D.
TECHNICKÁ POZNÁMKA KE “SLOŽENÉMU TEORETICKÉMU VÝKONU” (“CTP”)
Zkratky používané v této technické poznámce
“CE” “výpočetní prvek” (typicky aritmeticko-logická jednotka)

FP pohyblivá řadová čárka

XP pevná řadová čárka

t doba výpočtu (provádění operací)

XOR logická funkce nonekvivalence

CPU základní (centrální) jednotka

TP teoretický výkon (jednoho “CE”)

“CTP” složený teoretický výkon (více “CE”)

R efektivní výpočetní rychlost

WL délka slova

L nastavení délky slova

* násobení

Doba výpočtu t se vyjadřuje v mikrosekundách, TP a “CTP” se vyjadřuje v milionech teoretických operací za sekundu (Mtops) a WL se vyjadřuje v bitech.
Shrnutí metod výpočtu “CTP”
“CTP” je mírou výpočetního výkonu udaného v Mtops. Při výpočtu “CTP” konfigurace výpočetních prvků (“CE”) se požadují následující tři kroky:
1. Vypočítejte efektivní výpočetní rychlost R pro každý výpočetní prvek “CE”;

2. Použijte nastavení délky slova (L) k výpočtu efektivní výpočetní rychlosti R a k získání teoretického výkonu (TP) pro každý výpočetní prvek (“CE”);

3. Je-li těchto výpočetních prvků (“CE”) více než jeden, teoretické výkony TP slučte a získáte složený teoretický výkon (“CTP”) pro konfiguraci.
Podrobnosti těchto kroků jsou vysvětleny v následujících odstavcích.
Poznámka 1: Pokud je konfigurace více “CE” taková, že některé z nich sdílejí paměťové subsystémy a další je nesdílejí, provádí se výpočet “CTP” hierarchicky ve dvou krocích: za prvé se sdružují skupiny “CE”, které sdílejí paměť; za druhé se počítají “CTP” skupin s použitím výpočetní metody pro násobné “CE”, které nesdílejí paměť.
Poznámka 2: Výpočetní prvky “CE”, jejichž funkce je omezena na funkce vstupu/výstupu a periferní funkce (např. řídicí jednotky disků, řadiče komunikačních a zobrazovacích jednotek) se nezahrnují do výpočtu “CTP”.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K “CTP”
Dále uvedená tabulka ukazuje způsob výpočtu efektivní výpočetní rychlosti R pro každý výpočetní prvek (“CE”):
Krok 1: Efektivní výpočetní rychlost R

Pro výpočetní prvky (“CE”) realizující: Poznámka: Každý “CE” musí být vyhodnocován nezávisle

Efektivní výpočetní rychlost R

Jenom XP

Když se nevykonává sčítání, použijte:

použijte nejrychlejší dostupnou aritmetickou operaci, a to:

Jenom FP	,
(Rfp)	Viz poznámky X & Y
Jak FP, tak XP
(R)	Vypočítejte Rxp, Rfp,
Pro jednoduché logické procesory nevykonávající žádnou ze specifikovaných aritmetických operací.
	Kde tlog je doba výpočtu pro XOR nebo nejrychlejší jednoduchá logická operace u logického obvodu nerealizujícího XOR Viz poznámky X& Z
Pro speciální logické procesory nepoužívající žádnou ze specifikovaných aritmetických nebo logických operací	R = R'*WL/64 kde R' je počet výsledků za sekundu, WL je počet bitů, na kterých probíhá logická operace, a 64 je normalizační faktor na 64-bitové operace.

t = –————–————–————–————–————

počet identických operací ve strojové m cyklu
Výpočetní prvky (“CE”), které vykonávají různé typy aritmetických nebo logických operací v jednom strojovém cyklu se pokládají za více samostatných výpočetních prvků, které pracují současně (např. výpočetní prvek provádějící sčítání a násobení v jednom cyklu se bere jako dva výpočetní prvky, z nichž první vykonává sčítání v jednom cyklu a druhý provádí násobení, rovněž v jednom cyklu).
Pokud jeden výpočetní prvek provádí skalární i vektorovou funkci, pak použijte hodnotu s kratší dobou výpočtu.
Poznámka Y Jestliže “CE” neprovádí žádné sčítání nebo násobení s pohyblivou řádovou čárkou (FP) ale provádí dělení s pohyblivou řádovou čárkou, pak:


Jestliže “CE” vykonává operaci převrácené hodnoty v pohyblivé řádové čárce, ale nevykonává FP sčítání, násobení nebo dělení, pak:

Nerealizuje-li se žádná ze specifikovaných instrukcí, je efektivní FP rychlost rovna nule.
Poznámka Z V jednoduchých logických operacích vykonává jedna instrukce jednu logickou manipulaci s ne více než dvěma operandy daných délek. Ve složitých logických operacích vykonává jedna instrukce více logických manipulací, aby vytvořila jeden nebo více výsledků ze dvou nebo více operandů.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K “CTP”
Rychlosti je třeba počítat pro všechny podporované délky operandů uvažujíce jak standardní režim zpracování tak “pipeline” (pokud přichází v úvahu) za použití nejrychlejší výkonné instrukce pro každou délku operandu v pořadí:

1. Pipelinové operace a operace registr - registr. Vypusťte extrémně krátké operační časy, které se mohou vyskytnout pro operace na předem určeném operandu nebo předem určených operandech (například násobení nulou nebo 1). Nerealizují-li se žádné operace registr - registr, pokračujte podle bodu (2).

2. Rychlejší z operací registr - paměť nebo paměť - registr; pokud tyto také neexistují, pokračujte podle bodu (3).

3. Paměť - paměť.