Texnalogiyallar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universite ti




Download 211,35 Kb.
bet4/4
Sana06.12.2023
Hajmi211,35 Kb.
#112827
1   2   3   4
Bog'liq
ELEKTRONIKA NORMEGLIEV BOYMUROD

2-QISM
VARIANT

38

BC548C

Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.

Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш


Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC548C транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.


BC548C транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи



1-жадвал

UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

541

25

687

50

562

50

709

75

575

75

722

100

584

100

732

125

591

125

739

150

596

150

744

175

601

175

749

200

605

200

754

250

612

250

761

300

618

300

766

350

622

350

771

400

626

400

775

Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз





BC548C транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги


УЭ схемасига асосан BC548C транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.


Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади



Ib = const

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш

База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.


BC548C транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи


Iк = f(Uкэ)
2-жадвал


UКЭ

IБ=25 мкА бўлганда
IК

IБ=50мкА бўлганда
IК



IБ=75 мкА бўлганда
IК

IБ=100мкА бўлганда
IК

IБ=125 мкА бўлганда
IК

IБ=150мкА бўлганда
IК

0

0,10455

0,33189

0,61697

0,94184

1,29704

1,67662

0,5

2,313

5,446

8,315

10,914

13,301

15,5

1,0

2,319

5,462

8,34

10,948

13,342

15,549

2,0

2,333

5,494

8,39

11,014

13,423

15,643

3,0

2,346

5,527

8,441

11,085

13,503

15,737

4,0

2,36

5,56

8,491

11,156

13,585

15,831

5,0

2,382

5,593

8,545

11,222

13,666

15,927

6,0

2,398

5,624

8,594

11,289

13,747

16,021

7,0

2,412

5,659

8,642

11,355

13,829

16,116

8,0

2,427

5,693

8,693

11,424

13,911

16,21

9,0

2,442

5,725

8,745

11,489

13,991

16,307

10

2,455

5,757

8,795

11,557

14,071

16,398

15

2,524

5,924

9,049

11,889

14,477

16,872

20

2,601

6,087

9,305

12,225

14,886

17,348



30

2,728

6,416

9,805

12,886

15,689

18,289

40

2,871

6,075

10,317

13,543

16,506

19,241

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз





BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги


“А” нуқтанинг координаталри: Iбс=50 мкА, Uбэ.сок= 709 мВ.


“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=687 мВ, Uбэ2=722мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:




.h11э параметрини график усулда аниқлаш

BC548C транзисторининг кириш характеристикалари оиласи


Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. BC548C транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В


ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:


ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=709мВ – 562 мВ=147мВ



.h12э параметрни график усулда аниқлаш

h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:





BC548C транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) (Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбс = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Ек = 20В, Rк = 300 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 66,6 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 20В қийматини ажратиб оламиз.



.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =30,8 мА, Uкэ=9,8В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.


Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА


Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:


ΔIк = Iк2 – Iк1=33,3 мА – 2,3 мА = 31 мА


h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:





BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:



h22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 9,8В – 0,7В = 9,1В


Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:


ΔIк=Iк4 – Iк3=30,3мА – 28мА = 2,3мА

У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:





1.3. BC548C транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:


1.4. BC548C транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:



Download 211,35 Kb.
1   2   3   4




Download 211,35 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Texnalogiyallar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universite ti

Download 211,35 Kb.