|
XIVBOB. IKKI KIRISHLI KUCHAYTIRGICHLAR. KUCHAYTIRISH SXEMALARI. KUCHAYTIRGICHLAR
|
| bet | 118/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)
§ 13.4.Kuchaytirgichlarda shovqin 184
XIVBOB. IKKI KIRISHLI KUCHAYTIRGICHLAR. KUCHAYTIRISH SXEMALARI. KUCHAYTIRGICHLAR. 190
§14.1.Kuchaytirgichning tuzulma sxemasi 190
§ 14.2.Kuchaytirgichlarning asosiy parametrlari va tavsiflari 191
§ 14.3.Kuchaytirgich kaskadining asosiy parametrlarini hisoblash 194
§ 14.4.Operatsion kuchaytirgich asosiy parametrlari 198
XV BOB INTEGRAL MIKROSXEMALAR 200
§ 15.1. Umumiy ma’lumotlar 200
§15.2Mikrosxema elementlari 200
§15.3 Mikrosxemalarni belgilash 201
§ 15.4.Pardali va gibrid mikrosxemalar 203
§ 15.5Yarim o’tkazgichli IMSlar 203
Glossary 208
Foydalanilgan adabiyotlar 215
СОДЕРЖАНИЕ
Введение.................................................................................................................3
I ГЛАВА. РОЛЬ И ЗНАЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОМ ТРАНСПОРТЕ
§ 1.1 Введение..........................................................................................................4
§ 1.2. Этапы развития электроники………...........................................................4
§ 1.3. Обзор основных материалов, используемых в электронике, и их свойств. Электропроводность твердых тел...................................................5
§ 1.4. p — n переходное событие ……………………………….................7
II ГЛАВА. СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ………………………………15
§ 2.1. Распределение уровней энергии................................................................18
§ 2.2. Чистая и смешанная электропроводность.................................................20
§ 2.3 Смешанная проводимость полупроводников………................................22
§ 2.4. Процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках……............25
III ГЛАВА. p-n ПЕРЕХОД В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ, ПРИНЦИПЫ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ЕГО ОСНОВЕ...................................................................29
§ 3.1. p — n переходное событие..........................................................29
§ 3.2. Полупроводниковые диоды.......................................................................31
|
| |
