|
1. Yarım ótkizgishler haqqında ulıwma maǵlıwmat. Yarım ótkizgishlerdiń fizikalıq hám ximiyalıq ózgeshelikleri
|
| bet | 1/6 | | Sana | 25.03.2023 | | Hajmi | 46.95 Kb. | | #46639 |
Bog'liq Elektronika Nawrizimbet Игамбердиева Мунаввар Тухтаевна, Aziziddin Nasafiy asarlarida shaxs, ma’naviy, axloqiy tarbiyasi va xozirgi glaballashuv jarayonidagi ma’naviy uyg‘unlik sifati, ish reja materialshunoslik., Мавлиди шариф, Sayrlarda jarohatlanish sabablari va ularning turlari, Ozbekiston Respublikasi taraqqiyot strategiyasi (1) (1), Mavzu Ozbekiston Respublikasi taraqqiyot strategiyasi., article hr, 35302-Axborot matnlar bilan ishlash va media madaniyati, avtomatlashtirilgan axborot tizimi tasniflanishi, Axborot haqida tushuncha, uning turlari, xususiyatlari-fayllar.org, Algebra va sonlsr nazaryasi masalalar, 1-kurs, chizma geometriya fanidan oraliq nazorat uchun topshiriq, Reference-303201101372
Yarım ótkizgishler haqqında ulıwma maǵlıwmat. Yarım ótkizgishlerdiń fizikalıq hám ximiyalıq ózgeshelikleri. Yarım ótkizgishde kóshiw hádiyseleri.
JOBASI:
1.Yarım ótkizgishler haqqında ulıwma maǵlıwmat.
2.Yarım ótkizgishlerdiń fizikalıq hám ximiyalıq ózgeshelikleri.
3.Yarım ótkizgishde kóshiw hádiyseleri.
4.Yarım ótkizgishlerde kinetik hádiyseler.
5.Yarım ótkizgishlerde adsorblaw hádiysesi.
Yarım ótkizgishler ótkizgishhligi tárepinen metall hám dielektriklar arasındaǵı elementlar bolıp, óz fizikalıq qásiyetlerin túrli sırtqı tásirler (mısalı jaqtılandıriw, qizdırıw hám taǵı basqa ) nátiyjesinde keń intervalda ózgertira alıw ózgeshelikine iye. Yarım ótkizgishler elektronika hám mikroelektronikada júdá keń qollanilip, zamanagóy elektr úskenelerdiń derlik hámmesi - kompyuterlerden tartıp tap uyalı baylanıs telefonlarına shekem barlıǵı yarım ótkizgishli texnologiyaǵa tiykarlanǵan. Eń keń qollanılatuǵın yarım ótkizgish element kremniy bolıp, basqa elementlar da keń qollanıladı.
Yarım ótkizgishler — elektr tokın jaqsı ótkeriwshi elementler (ótkeriwshiler, tiykarlanıp, metallar) hám elektr tokın ámelde ótkermeytuǵın elementler (dielektriklar) arasındaǵı aralıq jaǵdayın iyeleytuǵın elementlar. Mendeleyev dáwirli sistemasında II, III, IV, V hám VI gruppalarda jaylasqan kópshilik elementler. Olardıń bir qatar birikpeleri yarım ótkizgishler turine kiredi. Yarım ótkizgishlerde de metallardaǵı sıyaqlı elektr ótkizgishlik elektronlardıń háreketi sebepli júzege keledi. Biraq elektronlardıń háreketleniw sharayatları metallar hám Yarım ótkeriwshilerde túrlishe boladı. Yarım ótkeriwshiler tómendegi tiykarǵı ayrıqshalıqlarǵa iye: Yarım ótkeriwshilerdiń elektr ótkizgishligi temperatura kóteriliwi menen artıp baradı (mas, temperatura 1 K ga artqanda Yarım ótkizgishlerdiń salıstırma ótkizgishligi 16—17 ret artadı ); Yarım ótkizgishlerdiń elektr ótkizgishliginde erkin elektronlardan tısqarı atom menen baylanısqan elektronlar da qatnasadı (birpara jaǵdaylarda baylanısqan elektronlar tiykarǵı rol oynaydı ); sap Yarım ótkeriwshilerge az muǵdarda qosılma kiritip, onıń ótkizgishligin keskin ózgertiw múmkin (mas, 0, 01% qosılma kiritilgende Ya. dıń ótkezgishligi 10000 ret artıp ketedi).
Tómen tralarda Yarım ótkizgishlerdiń salıstırma qarsılıǵı júdá úlken boladı hám ámelde olar bólek ójire esaplanadı, lekin temperatura artıwı menen olarda zaryad tasıwshılardıń konsentraciyası keskin artadı. Mas, sap kremniyda 20° trada erkin elektronlar konsentraciyası ~1017 m~3 bo'lsa. 700° de 1024 m" 3 gacha, yaǵnıy million retten kóbirek artadı. Yarım ótkizgishlerde erkin elektronlar konsentraciyasınıń traga bunday keskin baǵlıqlıǵı ótkizgishlik elektronları ıssılıq háreketi tásirinde payda bolıwın kórsetedi. Yarım ótkizgish kristallda atomlar valent elektronları járdeminde óz-ara baylanısqan. Atomlardıń ıssılıq terbelisleri waqtında ıssılıq energiyası valent elektronlar arasında tegis emes bólistiriledi. Ayırım elektronlar óz atomı menen baylanısıwdı úzip, kristallda erkin kóship júriw imkaniyatın beretuǵın jetkilikli muǵdardaǵı ıssılıq energiyasına iye bolıp qalıwı hám erkin elektronlarǵa aylanıwı múmkin.
Sırtqı elektr maydan bolmaǵanda bul erkin elektronlar tártipsiz háreket etedi. Elektr maydan tásirinde bolsa maydanǵa qarsı jóneliste tártiplengen háreketke kelip, Ya. de tok payda etedi. Erkin elektronlar júzege alıp kelgen ótkizgishlik elektron yamasa ptip ótkizgishlik dep ataladı.
Baylanısqan elektrondıń óz atomın " tastap ketiwi" atomning elektr neytrallıǵın buzadı. Ol jaǵdayda " ketib qalǵan" elektron zaryadına muǵdaran teń oń zaryad — tesik payda boladı. Sırtqı elektr maydan bolmaǵanda elektronlar da, tesikler de tártipsiz háreketlenedi, sırtqı maydan bolǵanda bolsa elektronlar maydanǵa qarsı, tesikler maydan boylap kóshedi. Tesiklerdiń kóshiwi menen baylanıslı ótkizgishlik tesikli yamasa rtmp ótkezgishlik dep ataladı. Erkin elektronlar sanı menen tesikler sanı bir-birine teńligi túsinikli. Aniqlanıwınsha, olardıń háreketleniw tezligi de birdey eken. Sonday eken, Ya. dagi tok áyne waqıtta da elektron, da tesikli ótkezgishlikdan payda boladı. Bunday elektrontesikli ótkizgishlik Yarım ótkizgishlerdiń menshikli ótkizgishligi dep ataladı. Menshikli ótkezgishlik sap Ya. de baqlanadı. Biraq tábiyaatda sap Yarım ótkizgishlerde joq. Birpara qosılmalar Yarım ótkizgishlerdi erkin elektronlar menen bayica, basqa birpara qosılmalar tesikler menen bayitadi. Yarım ótkizgishlerde júzege keletuǵın bunday ótkizgishlik qosılmali ótkizgishlik dep ataladı.
Eger tiykarǵı Yarım ótkizgishler atomı ornına elementler dáwirli sistemasında odan keyingi gruppada turǵan element atomı kiritilse, bul qosılma atomning bir valent elektronı atomlar ara baylanısıwda qatnasıw etpeydi hám erkin elektronlar qatarına qosıladı, sonlıqtan, rtip ótkezgishlik artadı. hám, kerisinshe, odan aldınǵı orında turǵan element atomı kiritilse, atomlar ara tolıq baylanısıwda 1 elektron jetispeydi, tesik payda boladı. Bunda rtip ótkizgishlik artadı. Qosımsha birinshi halda donor (elektron beretuǵın ) qosılma, ekinshi halda bolsa akseptor (elektron alıwshı ) qosılma dep ataladı.
Sonday etip, Yarım ótkizgishlerdiń elektr ótkizgishligi menshikli hám qospalı ótkezgishlikler jıyındısınan ibarat boladı. Joqarı tralarda menshikli ótkizgishlik, tómen tralarda bolsa qosılmali ótkizgishlik tiykarǵı rol oynaydı.
Yarım ótkizgishler hám dielektriklar fizikasi házirgi zaman fizikasining eń tiykarǵı bólegi bolıp, onıń jetiskenlikleri tiykarında ásbapsazliq, radiotexnika hám mikroelektronika tarawları rawajlanadı. Yarım ótkizgishler elektr ótkizgishligi boyınsha metallar menen dielektriklar aralıǵindaǵı elementlar toparına kiredi hám T=0 de olardıń valent zonası elektronlar menen bánt bolıp qadaǵan etilgen zonasınıń keńligi úlken emes (1 ev). Atom elektron bulti menen oralǵan yadrodan shólkemlesken.
Yarım ótkizgishlerge sonday materiallar kiredi, olardıń bólme temperaturası daǵı salıstırma elektr qarsılıǵı 10 -5 ten 1010 om sm ge shekem boladı. (yarım ótkizgishli texnikada 1 sm3 kólem degi materialdıń qarsılıǵın ólshew qabıl etilgen). Yarım ótkeriwshiler sanı metall hám dielektriklar sanınan artıq, júdá kóp jaǵdaylarda kremniy, arsenid galliy, selen, germaniy, tellur hám hár túrlı oksidler, sulfidlar hám karbidlar sıyaqlı yarım ótkezgish materiallardan paydalanıladı.
Yarım ótkizgish materiallarınıń elektrofizik qásiyetlerin úyreniw tiykarında jańa fizikalıq ásbaplar jaratıw múmkinshiligi tuwıladı. Ásirese, qattı deneler fizikasining yarım ótkizgishler fizikasi bólegin úyrenetuǵın materiallar tiykarında házirgi zaman talaplarına juwap beretuǵın fizikalıq ásbaplar hám qurılmalar jaratıladı.
Elementar yarım ótkizgish bolǵan kremniy hám germaniy elementlerinen, sonıń menen birge quramalı strukturalı yarım ótkeriwshiler qásiyetlerin úyreniw, olardıń sırtqı tásir astında qásiyetleri ózgeriwin baqlaw arqalı da kerekli ózgesheliklerge iye bolǵan ásbaplar jaratıw múmkinshiligi tuwıladı.
Ásirese, kremniy elementi kristallınan ásbapsazlı hám mikroelektronikada júdá kóp qollanıladı. Sol sebepli de bul elementtiń elektrofizik, mexanik, optikalıq hám basqa qásiyetlerin úyreniw úlken áhmiyetke iye esaplanadı. Sırtqı tásir: nurlanıw, basım, deformasiya hám basqa tásirinlerde kremniydıń qásiyetleri ózgeriwin úyreniw aktual mashqala bolıp tabıladı.
Yarım ótkizgish bolǵan kremniyda erkin zaryad tasıwshılar (elektronlar hám gewekler) konsentrasiyasi (p, r), jıldamlıq (Mr, Mp) ni ólshewdiń bir qansha usılları bar. Ol yamasa bul usıldıń qollanılıwı olardıń meterologik xarakteristikaına, ólshenip atırǵan shamalardı túsindiriw maǵlıwmatlarǵa baylıǵı, ólshew usıllarınıń fizikalıq tiykarları, úlginiń elektrofizik ózgeshelikleri, geometriyalıq forması hám ólshemlerine baylanıslı. Bulardıń hámmesi Xoll effektine tiykarlanǵan usıl bolıp tabıladı. Bul usıl menen kremniy úlgisinen pmp ni ólshewden tısqarı, elektr ótkizgishligin de anıqlaw múmkin.
Kremniy Si (Silicimin) Mendeleyev dáwirli sisteması daǵı IV-gruppa elementi, atom nomeri 14, atom massası 28, 0856 bolıp, metallemesler toparına kiredi. Sonlıqtan, onıń jalǵız atomında 14 elektronı bolıp, 10 ı bekkem ishki qobığında 5 qáddin toldırǵan, qalǵan 4 ewi eki tábiyiy kremniy 3 ta stabil izotopdan 2814 Si (92, 28 %), 2914 Si (4, 67 %), 30 14 Si (3, 05%) hám eki radiaktiv izotopi 27 14 Si (+, 4. 9 s), 31 14 Si (-, 170 min) den ibarat.
Elektron strukturası - 1 S2 2 S2 2 P6 3 S2 3 P2 ge teń.
|
| |
