MUHAMMED AL-XOREZMIY ATINDAǴÍ
TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ UNIVERSITETI NÓKIS FILIALÍ
Kompyuter injiniringi fakulteti
Kompyuter injiniringi baǵdarı
2-kurs 301-22 topar studenti
Daribaev Adilbektin
Elektronika hám statistika 2 paninen
O'z betınshe jumısı
Tayarlaǵan _________________ Daribaev A
Qabıllaǵan__________________ Ataboyev O
Tema: Darlington juplıǵı
Joba :
Strukturalıq tranzistorlar haqqında túsinik
Uilson tok aynası sxeması
Aktiv tok transformatorı sxeması
Strukturalıq tranzistorlar. Kaskadlardıń kúsheytiw koefficiyentleri hám kirisiw qarsılıqları ushın ańlatpalardı analiz etip, olardıń maksimal bahaları UE jalǵanǵan sxemada tranzistordıń differensial tok uzatıw koefficiyenti h21E =β menen anıqlanadı dep juwmaq qılıw múmkin. h21E dıń real bahaları tranzistor strukturası hám tayarlanıw texnologiyası menen anıqlanadı hám ádetde bir neshe júzden aspaydı. Bunnan tiykarlanıp operatsion kúsheytgishlerdiń kirisiw kaskadlarida qollanılatuǵın, arnawlı superbeta tranzistorlar tısqarı.
Bir neshe (ádetde eki) tranzistordı óz-ara ulap h21E ma`nisin asırıw mashqalasın sheshiw múmkin. Jalǵanıwlar sonday ámelge asırılıwı kerek, tranzistorlardı birden-bir tranzistor dep qaraw múmkin bolsın. Bir túrli tranzistorǵa salıstırǵanda sxemalar birinshi ret Darlington tárepinen usınıs etilgen edi, sol sebepli Darlington juftligi yamasa strukturalıq tranzistorı dep ataladı.
Eki n-p-n tranzistor tiykarındaǵı Darlington tranzistorı 4. 1 - suwretde keltirilgen bolıp, bul erda B, E, K - ekvivalent tranzistor elektrodları.
4.1 – suwret. Darlington juplıǵı
Strukturalıq tranzistorda juwmaqlawshı tok uzatıw koefficiyenti bólek tranzistorlar tok uzatıw koefficiyentleriniń kóbeymesine teń. Eger β1 hám β2 lar birdey mániske iye bolsa, mısalı 100 ge, esaplab tabılǵan koefficiyent β=β1∙β2=104 boladı. Lekın, birdey VT1 hám VT2 larda β1 hám β2 koefficiyentler IK1 hám IK2 kollektor tokları birdey bolǵandaǵana bir- birine teń boladı. IE1>>IE1=IE2 bolǵanı ushın IK2 >> IK2. Sonıń ushın β1<< β2 hám β= β1 ∙β2 ámelde bir neshe mıńnan aspaydı.
Strukturalıq tranzistorlar túrli ótkiziwsheńlikke iye bolǵan tranzistorlar tiykarında da payda bolıwı múmkin. Bunday strukturalar qosımsha simmetriyaǵa iye bolǵan strukturalıq tranzistorlar dep ataladı. Komplementar BTlar tiykarındaǵı Shiklai strukturalıq tranzistorı dep atalıwshı sxemanıń dúzilisi 4.2, a - suwretde keltirilgen.
Bunda kirisiw tranzistorı retinde p-n-p ótkezgishlikke iye tranzistor, shıǵıw tranzistorı retinde bolsa n-p-n ótkezgishlikke iye tranzistor isletiledi. Juwmaqlawshı toklar baǵdarları, suwretden kórinisishe, p-n-p tranzistordıń tokları baǵdarına sáykes keledi. Tok uzatıw koefficiyenti β= β1+ β1 ∙β2 ge teń boladı hám ámelde Darlington tranzistorınıń β siga teń boladı.
Principte strukturalıq tranzistor maydaniy hám bipolyar tranzistorlar tiykarında payda etinishi múmkin. 4. 2, b - suwretde n - kanalı p-n ótiw menen basqariluvchi MT hám n-p-n strukturalı BT tiykarında payda etińan strukturalıq tranzistor sxeması keltirilgen. Bul sxema maydaniy hám bipolyar tranzistorlardıń qásiyetlerin ózinde sáwlelengenlestirgen - bul kútá úlken kirisiw qarsılıgına hám tok boyınsha, sonday eken quwat boyınsha da, júdá úlken kúsheytiw koefficiyentine iyeliginen ibarat.
b)
4. 2 - súwret. Komplementar BTlar (a), BT hám MTlar tiykarındaǵı (b)
strukturalıq tranzistor sxemaları.
Injeksion - Voltaik tranzistor tiykarındaǵı strukturalıq tranzistor sxeması 4. 3, a hám b - súwretlerde keltirilgen. Olar temperatura hám kernew dáregi bahaları ózgeriwine salıstırǵanda joqarı turaqlılıqqa iye.
b)
4. 3 - súwret. Injeksion - Voltaik tranzistor tiykarındaǵı strukturalıq tranzistor Darlington (a) hám Shiklai (b) juftligi sxemaları.
Mısalı, 4. 4 - suwretde BTGning ush tranzistorlı sxeması (Uilson tok aynası ) keltirilgen. Ol jaǵdayda basqarıwshı VT1 hám VT2 tranzistorlarnig baza tokları qarama - qarsı jónelgen.
Sxemadan
kórinip turıptı.
VT1 hám vT2 tranzistorlar egiz. Olardıń islew rejimleri bir- birinkidan kollektor - baza kernew boyınsha parıq etedi. VT1 tranzistordıń kollektor - baza kernewi VT2 tranzistordıń emitter - baza kernewine teń, yaǵnıy manisi kishi. VT2 tranzistordıń kollektor - baza kernewi bolsa R rezistordagi hám RYU shınjır daǵı kernew tómenlewleri menen anıqlanadı hám sezilerli dárejede úlken bolıwı múmkin.
Lekin, baza tokı kollektor - baza kernewi manisine tómen baylanısqan, sol sebepli IB1= IB2. Emitter tokları da ápiwayı BTG sxeması daǵı jaǵday sebeplerine kóre bir- birine teń IE1= IB2. Nátiyjede
Bul ańlatpadan 3. 2 - suwretde keltirilgen sxemada kirisiw hám shıǵıw toklarınıń qaytarılıwı 4. 4 - sxemadagiga qaraǵanda joqarıraqlig'i kórinip turıptı.
4. 4 - súwret. Uilson tok aynası sxeması. 4. 5 - súwret. Aktiv tok t transformatorı.
Qatar integral sxemalarda tayansh tokı I1 (I2 << I1) ma`nisi úlken bolǵan kishi júzimli BTGlar talap etiledi. Bul jaǵdaylarda ápiwayı BTGning jetilisken sxemasınan paydalanıladı (4. 5 - súwret).
Bul sxema tok transformatorı sxeması dep ataladı. Onıń ushın
; (4.1)
ańlatpa orınlı.
Ideallastırılgan ótiw vAX den paydalanıp,
; (4.2)
jazıw múmkin.
(2. 4) hám (2. 5) ańl atpalardan
(4.3)
payda etemiz.
I2 júzimdiń berilgen ma`nisi tiykarında (4. 3) den paydalanǵan halda RE rezistorning qarsı lıǵın tabıw múmkin.
(4.4)
Bul sxema ápiwayılıǵına qaramastan, temperatura boyınsha turaqlılıqtı jaqsı támiyinleydi, sebebi RE rezistor arqalı teris TA ga iye. Esaplawlardan temperatura bir gradusqa ózgergende júzimdiń nobarqarorligi ∆I2=2, 5 mkA ni qurawı málim. Bunnan tısqarı, RE=1 kOm (statikalıq qarsılıq ) bolǵanda BTGning dinamikalıq qarsılıǵı 1 MOmga jaqın boladı.
Paydalanılg'an a'debiyatlar
1. Nigʻmatov „Radioelektronika“ kitobi
2. N. I. Chistyakova. Radio havaskor dizayneri uchun maʼlumotnoma / „Ommaviy radio kutubxonasi“ seriyasi, 1147-son. — Moskva: Radio va aloqa, 1990. — S. 306-322. — 622 b.
3. Elli, Charlz; Atvud, Kennet (1973). Elektron uskunalar. Nyu-York va London: John Wiley & Sons. 534-bet. ISBN 0-471-02450-3.
|
