Mavzu: Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.

Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanada (1925-yil 22-oktabrda) va Germaniyada (1928-yilda) patent olgan.

1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi.

1929-1933-yillarda Leningrad fizika-texnika institutida Oleg Losev A.F.Ioffe rahbarligi ostida yarimoʻtkazgich qurilmalar ustida bir qator tajribalar oʻtkazdi. Uning konstruktiv jihatdan nuqtaviy tranzistorning nusxasi boʻlgan karborund kristalli (SiC) ustida oʻtkazgan tajribasi natijasida kerakli kuchaytirish koeffitsiyentini hosil qilolmadi. Shundan soʻng yarimoʻtkazgichlardagi elektrolyuminessensiya hodisasini oʻrgangan Losev 90 ta turli materiallarni, asosan, kremniyli birikmalarni koʻrib chiqdi va 1939-yilda oʻzining kundaligida uch elektrodli sistema haqida qaydlar qoldirgan. Biroq, 2-jahon urushining boshlanib qolishi va 1942-yilda injenerning

Bipolar tranzistorlar asosida integral mikroshemalar tayyorlash quyidagi bosqichlardan o'tadi: 1. Shablon yaratish: Bu bosqichda, dizayn muharriri elektronlarni manba va suvlovchilardan o'tkazib, egalar va yangi xo'jaliklar uchun bir nechta biyo-integral mikroshemalarning dizaynini amalga oshiradi. 2. Litografiya: Bu bosqichda, litografiya mashinasini foydalanib, dizayn muharriri chipga bir nechta siliciy qatramli maskalarga chiqadi. Siliciy qatramlar o'rnatilgan birlayam, chip tarkibidagi har bir transistor va juda ko'p tuzilgan uyalar uchun o'tkazmalar va moduliar hal qilinadi. 3. Yuqori temperaturli diffundsiya: Ushbu bosqichda, silitsiy tarkibida tasodifiy uchuvchilar jihatidan kontsentratlar yaratish jarayoni amalga oshiriladi. Ushbu bosqichda, yuqori temperatur va qattiq yorug'likli gas atmosferasini o'z ichiga oluvchi pechka ishlatiladi

Metallizatsiya: Ushbu bosqichda, har bir oyog'iga mos bo'lgan kontaktdan mos holda metalla to'g'ridan-to'g'ri o'qlib chiqiladi. Ushbu bosqich bajarilganida, mikroshema yuqoriga PCB-maydoniga o'rnatilishi va bajarilishi uchun tayyor. Bunday bosqichlardan o'tib, bipolyar tranzistorlar asosida integral mikroshemalar tayyorlash mumkin.

Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.

misollar

• Induktivligi L = 5 Gn, aktiv qarshiligi rg’= 500 Om li induktiv g‘altak kuchlanishi U = 220 V, f=50 Gs sinusoidal kuchlanish manbaiga ulangan (rasm). Zanjirdan o'tuvchi tokni, aktiv, reaktiv, to‘la quwatlami va quwat koeffitsientini aniqlang Kuchlanishlar va tok oniy qiymatlari ifodalaxini yozing, ulaming grafigi va vektorlar diagrammasini quring

ishlanishi