|
Najmiyev Mirjalol Elektronika va sxemalar 2
|
| Sana | 04.06.2023 | | Hajmi | 0.79 Mb. | | #69556 |
Bog'liq Intgral injeksion mantiq Document.tm, TheBalance Letter 2062972 2022
Muxammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnalogiyalari Unversiteti Samarqand filiali TT 21-04 guruh talabasi
" Telekommunikatsiya texnologiyalari va kasb ta’limi " fakulteti
"Telekommunikatsiya texnologiyalari" kafedrasi
Najmiyev Mirjalol
Elektronika va sxemalar 2
Fanidan mustaqil ishI
Bajardi: Najmiyev M.M
Tekshirdi: Jumanov X.A
Mavzu: Intgral injeksion mantiq
Reja:
1.intgral injeksion mantiq I2M negiz elementi .
2. I2M ME zanjiri.
3. MDY — va BTIar asosidagi invertorlarni taqqoslash.
4.Xulosa.
Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0’KIS larni keng qo‘llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari ortmoqda: ishonchlilik, xalaqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lcham- lari, narxi kamaymoqda va h.k. KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDY — texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshi- rish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan ВТ asosida integral-injeksion mantiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.
I2M negiz elementi sxemasi 1- a-rasmda keltirilgan. Element VT1
(p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nech- ta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. I2M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbayi bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’minlaydi.
Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda o‘zgartirib uning tezkorligini o'zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA 1 mA gacha o‘zgarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o‘zgartirish mumkin.
1-rasm: I2M negiz elementning prinsipial sxemasi (a), topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (c).
I2M IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi (1, b-rasm), u o‘z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko'rsatilgan). n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning o‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bo‘lib hisob- lanadi. Elementlaming bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyi ladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I2M elementi rezistorlardan xoli ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristalda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.
Elementning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan I2M elementlar zanjiri 2-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchla nish U°KIR < U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistoming ikka la o‘tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan tok IM, qayta ula-nuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VJ21 tranzistoring to‘g‘ri siljitilgan p-n o‘tishi kuchlanishiga teng bo‘ladi, ya’ni U1 CHIQ = U' 0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish UIkir > U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2 sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to‘yinish rejimiga o‘tadi. P2soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistoming emitter-baza o‘tishi to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi va elektro- nlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. Kollek- torga kelayotgan elektronlar P2sohadan kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada kollektor potensiali pasayadi va baza potensiali- dan kichik bo‘ lib qoladi. VT2 tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi va element chiqishi- da to'yingan tranzistor kuchlanishiga teng bo‘lgan kichik sathli kuchla nish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 0,1 0,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz ME uchun quyidagi munosabatlar haqiqiydir: U° = 0,1 0,2 V; U1 = 0,6 0,7 V. Bundan I2M negiz ME uchun mantiqiy o'tish UM0’ = 0,4 0,6 V ekanligi kelib chiqadi.
2-rasm: I2M ME zanjiri.
1-rasmdagi sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YOKI- EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin. Masaian, 3-ra- smda ikkita invertorni metall o‘tkazgichlar bilan tutashtirish yo‘li bilan 2YOK1-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1 tranzistorda hosil qilingan yagona ko‘p kollektorli (ikki kollektorli) injektordan ta’minlanadi. Keltirilgan sxemadan ko‘rinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi o‘zgaruvchilarga nisbatan umumiy nuqtaga parallel ulansa YOKI- EMAS mantiqiy amal bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa HAM amali bajariladi. Shuni ta’kidlash kerakki, invertorlaming ikkinchi kollektorlari yordamida qo‘shimcha kirish signallarini inkor etish mantiqiy amalini ( X1 ,X 2 ) bajarish mumkin, bu esa o‘z navbatida ME imkoniyatlarini kengaytiradi.
I2M sxemalar tezkorligi injeksiya toki I1 ga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda AQU ozg in a ortadi va 4 0,2 pDjni
tashkil etadi. Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 10 100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quwat iste’moli 1-2 tartibga kichik bo‘ladi. Mantiqiy o‘tish ki- chikligi tufayli I2M elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20 50 mV) bo‘ladi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va 0 ‘KISlar tarki- bida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qo‘lla- niladi.
3-rasm: YOKI-EMAS amalini I2M mantiqiy elementlar asosida tashkil etish sxemasi.
1-jadval: MDY — va BTIar asosidagi invertorlarni taqqoslash
I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy lga mos kuchlanish berilganda manba LMdan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. Bu kamchilikni 1-jadvalda keltirilgan komplementar ВТ (КВТ) larda tuzilgan invertor sxemalar yordamida bartaraf etish mumkin KBTlarda injeksiya — voltaiк rejimda ishlovchi ikki (n-p-n va p-n-p) turli BTIar ketma-ket ulanadi. Jadvaldan I2M invertori n-M DY tranzis- torli, n-p-n dinamik yuklamali p-n-p BTda bajarilgan invertor esa p-M DY tranzistorli invertor analogi ekanligi ko‘rinib turibdi.
KBTlarda bajarilgan “4HAM-EMAS” ME 4-rasmda va “4YOKI-EMAS” ME 5-rasmda ko‘rsatilgan.
4-rasm: “4HAM-EMAS” MEsxemasi.
5-rasm: “4YOKI-EMAS” MEsxemasi
Xulosa:Dastlab mantiqiy elementlarni ishlash tezligi past bulga shining uchun integral injeksion mantiqiy elementlarni birinchi negiz element-lari ishlab chiqilgan ularning tarkibi (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan . injektor toki 1 nA 1 mA gacha oraliqda buladi.Injektorlarni uzini ishlash tok voltlari mavjud ular shu oraliqlarda haqiqiydir.Men bu mustaqil ishda shu mvzuga oid uzimga tushunchalar hosil qildim.
Foydalangan adabiyotlar:
Enternet saytlari;Ziyo.uz, Ziyonet
Elektronika: Aripov X.K, Abdullayev A.M kitobi.
Foydalanilgan adabiyotlar:
Sadiku, M. N. (2013). Elements of Electromagnetics. Oxford University Press.
Hayt, W. H., & Buck, J. A. (2011). Engineering Electromagnetics. Tata McGraw-Hill Education.
Cheng, D. K. (1993). Field and wave electromagnetics. Addison-Wesley Publishing Company.
Kraus, J. D. (1984). Electromagnetics. McGraw-Hill Education.
|
| |
