|
Raqamli qurilmalarni loyixalashga kirish 2-mustaqil ish
|
| Sana | 10.07.2024 | | Hajmi | 3,2 Mb. | | #267293 |
Bog'liq PMDY 10HAM SHEFFER 9HAM-EMAS
O'zbekiston Respublikasi Axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi. Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Raqamli qurilmalarni loyixalashga kirish
2-mustaqil ish
MDYa tranzistorlari asosida bajarilgan mantiqiy elementlarning sxemalari va ularning holat jadvallari
Bajaruvchi : 412-20 guruh talabasi
Islomov Asliddin
Tekshiruvchi: Xolmonov Shodiyor Qarshiboevich
MDYa tranzistorlari asosida bajarilgan mantiqiy elementlarning sxemalari va ularning holat jadvallari
Reja:
MDYa tranzistorlari
1-topshiriq
2-topshiriq
Xulosa
Foydalanilgan adabiyotlar
TTM va EBM ishlashi yukori tezkorlikni ta'minlovchilar, ammo iste'mol quvvati va u katta bulganligi sababli, faqat kichik va urta integration darazha bulgan IMSlar nazoratidagina qo'llaniladi.
1962 yilda planar texnolog jaraen asocida oksidlangan kremniy (SiO2)
Integral BTlardan farqli ravishda MDYa integral of transistorlarda isolators chuntaklar xosil kilish talab ethylmaidi. Buning uchun, bir hil murakkablikka ega bulganda, MDA - transistors IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik ulchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda buladi.
MDYA - tranzistorlar mantiq (MDYATM) asosida yuklamashi MDYA - tranzistorlar asosidagi elektron kalit - inverterlar yotadi.
Schemada passive dasturiy ta'minotni ishlatishi, IMSlar tayorlash texnologiyasi blue soddalashtirish.
Mantiqy IMSlar ulashda n - yoki r - channels inductionalangan MDA - tranzistorlardan jo'natish mumkin.
Kwproq n - kanalli tranzistorlar qwprokat, chunki elektronlarning harakchanligi kovaklarnikiga nisbatan yukori b'lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yukori tezkorligi ta'minlanadi.
Bundan tashqari, MDYATM sxemalari bo'yicha denominations va mantiqy 0 va 1 sathlari bo'yicha TTM sxemalari bilan twliq muvofiklikka ega.
1-rasm. nMDYA asosida Invertor sxemasi
Silicon was oxidized by MDYA ISlarning asosii kamchiligi – tezcorlikning kichiligigir.
Yana bir kamchiligi - katta istemol ishlab chiqarishi bwlib, at MJA ISlarni BT ISlar bilan muvofiklashtirishni murakkablashtirish.
MDYA ISlar asosan uncha katta bulmagan tezkorlikka ega bulgan va kichik tok istemol qilinadigan mantiqy schemalar va KISlar paydo bo'lishida qo'shimcha choralar.
MJA ISlarda eng yukori integration darazhasiga erishilgan bulib, bir kristalda yuz minglab va undan kup komponentlar joylashishi mumkin
18 – variant
Multisim muhitida:
Multisim muhitida:
Xulosa. MDYA tranzistorlari hozirgi kunda ommalashgan ko’plab mantiqiy elementlarni yasashda. Integral mikrosxemalarni yasashda hozirda ko’plab qo’llanilib kelmoqda. Sababi uning soddalashgan sxemasida vazifasini tezkorlikda va aniq bajara olishida.
Foydalanilgan adabiyotlar
What is MOSFET Transistor and How to use with Arduino? - Latest Open Tech From Seeed (seeedstudio.com)
Basic Electronics - MOSFET (tutorialspoint.com)
MOSFET Basics | Types, Working, Structure, and Applications (electronicsforu.com)
Metal Oxide Semiconductor Fet (Mosfet) Stooty from S presentations
|
| |
