|
1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish
|
| bet | 5/8 | | Sana | 12.06.2024 | | Hajmi | 27,23 Kb. | | #263024 |
Bog'liq 1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifika-fayllar.orgPardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo‘llaniladi.
Pardalar vakuumda termik bug‘latish, materialni ionlar bilan bombardimon qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritmadan kimyoviy o‘tkazish usullari bilan hosil qilinadi. Har bir usulning afzalligi va kamchiligi mavjud.
Misol tariqasida metallashni – kristall yoki asos sirtida metall pardalar (sxemada elementlarning o‘zaro ulanishi, kontakt yuzachalar, pasiv va aktiv elementlar elektrodlari) hosil qilish jarayonini ko‘rib chiqamiz. Metallash uchun oltin, nikel, kumush, aluminiy va Cr-Au, Ti-Au va boshqalar ishlatiladi.
Kremniy asosidagi IMSlarda metallashni amalga oshirish uchun asosan aluminiydan foydalaniladi. Narhi qimmat bo‘lmagan holda, ko‘rsatib o‘tilgan metallar kabi, u r – kremniy bilan omik (to‘g‘rilamaydigan) kontakt hosil qiladi, kichik solishtirma qarshilikka ega va katta tokka chidaydi. Aluminiy vakuumda termik bug‘latish usuli bilan sirtga o‘tkaziladi. n–turli soha bilan omik kontakt hosil qilish uchun undagi donorlar konsentratsiyasi 1020 sm-3 atrofida bo‘lishi kerak. Bundan yuqori konsentratsiyaga ega bo‘lgan soha n+ deb belgilanadi. Metallash jarayoni yarimo‘tkazgich plastina hajmida sxema elementlari hosil qilingandan so‘ng amalga oshiriladi. Birinchi navbatda plastina sirtida SiO2 qatlam hosil qilinadi. Shundan keyin kremniy bilan kontaktlar hosil qilinishi kerak bo‘lgan joylarda, fotolitografiya usuli bilan, SiO2 parda qatlamida “darcha”lar ochiladi. So‘ng vakuumda termik bug‘latish usuli bilan plastina sirtida qalinligi 1 mkm atrofida bo‘lgan aluminiy qatlam hosil qilinadi. Kontakt yuzachalari va elektr jihatdan birlashtiruvchi o‘tkazgichlarning zaruriy shakli fotolitografiya usuli bilan hosil qilinadi. Aluminiy qatlamining ishlatilmaydigan sohalari yemirish usuli bilan olib tashlanadi, so‘ngra aluminiy bilan kremniy orasida kontakt hosil qilish uchun plastinaga termik ishlov beriladi. Hozirgi vaqtda metallashda elektr o‘tkazuvchanligi aluminiyga nisbatan katta bo‘lgan mis ham qo‘llanilmoqda.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish
|
