1 – laboratoriya ishi Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishning maqsadi

R
I
U
E
R
I
БЭ
M
Э
T
2
1
2
ln



(5.5) 
hosil qilamiz. 
I
2
tokning berilgan qiymati asosida (5.5)dan foydalangan holda, R
E
rezistorning 
qarshiligini topish mumkin: 
R
I
U
E
I
R
БЭ
M
T
Э
2
1
2
ln



. (5.6) 
Ushbu sxema soddaligiga qaramasdan, temperatura bo’yicha bar-qarorlikni 
yaxshi ta’minlaydi, chunki R
E
rezistor orqali manfiy TAga ega. Hisoblashlardan 
temperatura bir gradusga o’zgarganda tokning nobarqarorligi ∆I
2
=2,5 mkAni tashkil 
etishi ma’lum. Bundan tashqari, R
E
=1 kOm (statik qarshilik) bo’lganda BTGning 
dinamik qarshiligi 1 MOmga yaqin bo’ladi. 

Bipolyat tranzistordan yig’ilgan generator sxemasi 
R
н
, 
Ом 
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 
U
RН
, 
В 
I
Н
, 
мА 
I
y
δ