• (har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi
  • Qisqacha nazariy ma’lumot: Tranzistor
  • 1 – laboratoriya ishi Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishning maqsadi




    Download 0.97 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet2/8
    Sana23.05.2023
    Hajmi0.97 Mb.
    #63611
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    1 – laboratoriya ishi Mavzu ims tayyorlash texnologiyasi va kla
    26-mavzu, payvandlash ishi, hkhkh — копия, 54-maktab 03.02.2024 xolatiga






    IMS prinsipmal sxemalari 
    - berilgan схемаларда asosiy belgilanishlari; 
    - berilgan схемаларда har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika; 
    - yarimo‘tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni; 
    void setup() { 
    pinMode(13, OUTPUT); // объявляем пин 13 как выход 

    void loop() { 
    digitalWrite(13, HIGH); // зажигаем светодиод 
    delay(1000); // ждем 1 секунду 


    digitalWrite(13, LOW); // выключаем светодиод 
    delay(1000); // ждем 1 секунду 

    (har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis 
    tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi). 
    Nazorat savollari 
    1. Integral mikrosxema (IMS) nima ? 
    2. IMS asosiy xususiyati nimada ? 
    3. IMS elementi va komponentasi deb nimaga aytiladi ? 
    4. Pardali, gibrid va yarim o‘tkazgichli IMSlarning bir – biridan farqi nimada? 
    5. Nima sababli tranzistorli tuzilma turli IMS elementlari yasashda asosiy hisoblanadi 

    6. Integral mikrosxema elementlarini izolyasiyasi qanday amalga oshiriladi ? 
     
     
    2 – laboratoriya ishi 
    Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish 
    Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda 
    yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash. 
    1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
    Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar 
    tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi. 
    Qisqacha nazariy ma’lumot: 
    Tranzistor (
    inglizcha
    : transfer — koʻchirmoq va rezistor) — 
    elektr
     
    tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun 
    moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika 
    qurilmalarining asosiy elementi.
    Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga 
    ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda 
    ikkala turdagi (
    p-tipli
    va 
    n-tipli
    ) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar 
    ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan 
    p-n oʻtish
     hisobiga ishlaydi va 
    baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi 
    (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar 
    tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. 
    Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali 
    amalga oshiriladi.
    Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro 
    atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli 
    texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib 
    chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng 
    miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — 
    IGBT ishlab chiqildi.



    Download 0.97 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 0.97 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    1 – laboratoriya ishi Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishning maqsadi

    Download 0.97 Mb.
    Pdf ko'rish