|
Planar bipolyar n-p-n tranzistorining soddalashtirilgan tasavvurlar diagrammasi
|
| bet | 2/5 | | Sana | 27.07.2024 | | Hajmi | 13,36 Kb. | | #268735 |
Bog'liq 1. Bipolyar tranzistorlarning ulanish sxemalari Dinistor tuzilma-kompy.infoPlanar bipolyar n-p-n tranzistorining soddalashtirilgan tasavvurlar diagrammasi
Bipolyar tranzistor o'zgaruvchan turdagi nopoklik o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan uchta yarimo'tkazgich qatlamidan iborat: emitent ("E", inglizcha E bilan belgilanadi), tayanch ("B", inglizcha B) va kollektor ("K", inglizcha C) . Qatlamlarning almashinish tartibiga qarab n-p-n (emitter - n-yarimo'tkazgich, asos - p-yarim o'tkazgich, kollektor - n-yarim o'tkazgich) va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Supero'tkazuvchilar to'g'rilanmaydigan kontaktlar qatlamlarning har biriga ulanadi.
Supero'tkazuvchilar turlari nuqtai nazaridan emitent va kollektor qatlamlari farq qilmaydi, ammo ishlab chiqarish jarayonida ular qurilmaning elektr parametrlarini yaxshilash uchun doping darajasida sezilarli darajada farqlanadi. Kollektor qatlami engil doping bilan qoplangan, bu esa ruxsat etilgan kollektor kuchlanishini oshiradi. Emitent qatlami katta miqdorda qo'llaniladi: emitent ulanishining teskari kuchlanishining kattaligi juda muhim emas, chunki tranzistorlar odatda oldinga yo'naltirilgan emitent aloqasi bo'lgan elektron zanjirlarda ishlaydi. Bundan tashqari, emitent qatlamining og'ir dopingi asosiy qatlamga ozchilik tashuvchisini yaxshiroq in'ektsiya qilishni ta'minlaydi, bu umumiy tayanch davrlarida oqim o'tkazish koeffitsientini oshiradi. Asosiy qatlam engil doping bilan qoplangan, chunki u emitent va kollektor qatlamlari orasida joylashgan va yuqori elektr qarshiligiga ega bo'lishi kerak.
Ish printsipi
Faol kuchaytiruvchi ish rejimida tranzistor yoqilgan bo'lib, uning emitent birlashmasi oldinga yo'naltirilgan [2] (ochiq) va kollektor birikmasi teskari yo'naltirilgan (yopiq).
n-p-n tranzistorida emitentdagi ko'pchilik zaryad tashuvchilar (elektronlar) tayanch hududiga ochiq emitent-bazaning ulanishi (in'ektsiya qilinadi) orqali o'tadi. Ushbu elektronlarning ba'zilari bazadagi (teshiklar) ko'pchilik zaryad tashuvchilar bilan qayta birlashadi. Biroq, asos juda nozik va nisbatan engil doplanganligi sababli, rekombinatsiya vaqti nisbatan uzoq bo'lganligi sababli, emitentdan yuborilgan elektronlarning aksariyati kollektor hududiga tarqaladi. Teskari yo'nalishli kollektor birikmasining kuchli elektr maydoni bazadan (elektronlardan) ozchilik tashuvchilarni ushlaydi va ularni kollektor qatlamiga o'tkazadi. Shunday qilib, kollektor oqimi amalda emitent oqimiga teng bo'ladi, bazadagi kichik rekombinatsiya yo'qolishi bundan mustasno, bu asosiy oqimni tashkil qiladi.
|
| |
