1. Gers vibratorlari

. pastroq bo'ladi termal shovqin xona haroratida kam quvvatli qurilmalarga; uning to'g'ridan-to'g'ri tarmoqli bo'shliq unga yanada qulayroq beradi optoelektronik xususiyatlari bilvosita tasma oralig'i kremniy; u uchlamchi va to'rtinchi darajali kompozitsiyalar bilan qotishma bilan ta'minlanishi mumkin, bantlar oralig'i kengligi sozlanib, tanlangan to'lqin uzunliklarida yorug'lik chiqarilishini ta'minlaydi, bu esa optik tolalar orqali eng samarali uzatiladigan to'lqin uzunliklariga mos kelishini ta'minlaydi. GaAlarni yarim izolyatsion shaklda ham o'stirish mumkin, bu GaAs moslamalari uchun panjaraga mos keladigan izolyatsion substrat sifatida mos keladi.

• 
  . pastroq bo'ladi termal shovqin xona haroratida kam quvvatli qurilmalarga; uning to'g'ridan-to'g'ri tarmoqli bo'shliq unga yanada qulayroq beradi optoelektronik xususiyatlari bilvosita tasma oralig'i kremniy; u uchlamchi va to'rtinchi darajali kompozitsiyalar bilan qotishma bilan ta'minlanishi mumkin, bantlar oralig'i kengligi sozlanib, tanlangan to'lqin uzunliklarida yorug'lik chiqarilishini ta'minlaydi, bu esa optik tolalar orqali eng samarali uzatiladigan to'lqin uzunliklariga mos kelishini ta'minlaydi. GaAlarni yarim izolyatsion shaklda ham o'stirish mumkin, bu GaAs moslamalari uchun panjaraga mos keladigan izolyatsion substrat sifatida mos keladi.
  
• 
  Aksincha, kremniy mustahkam, arzon va oson ishlov beradi, GaA esa mo'rt va qimmat bo'lib, faqat oksidli qatlamni o'stirish orqali izolyatsiya qatlamlarini yaratish mumkin emas; Shuning uchun GaAs faqat silikon etarli bo'lmagan joyda qo'llaniladi.
  
• 
  Bir nechta birikmalarni qotishma bilan, ba'zi yarimo'tkazgich materiallari sozlanishi, masalan, in tarmoqli oralig'i yoki panjara doimiy. Natijada uchlamchi, to'rtinchi va hatto kvinari kompozitsiyalar mavjud.
  
• 
  Uchlamchi kompozitsiyalar tasma oralig'ini ishtirok etgan ikkilik birikmalar oralig'ida sozlash imkonini beradi.
  

Shu bilan birga, to'g'ridan-to'g'ri va bilvosita tarmoqli oralig'i materiallari birlashtirilgan taqdirda, bilvosita tarmoqli oralig'i ustun bo'lgan va optoelektronika uchun foydalanish imkoniyatini cheklaydigan nisbat mavjud; masalan. AlGaAs LEDlar 660 nm bilan cheklangan. Aralashmalarning panjarali konstantalari ham har xil bo'lishga moyil bo'ladi va aralashma nisbatiga bog'liq bo'lgan panjaraning substratga mos kelmasligi nomuvofiqlik kattaligiga bog'liq miqdordagi nuqsonlarni keltirib chiqaradi; bu erishiladigan radiatsion / nurlanmagan rekombinatsiyalar nisbatiga ta'sir qiladi va qurilmaning yorug'lik samaradorligini aniqlaydi. To'rtlamchi va undan yuqori kompozitsiyalar bir vaqtning o'zida tarmoqli bo'shliqni va panjara konstantasini sozlash imkonini beradi, bu esa to'lqin uzunliklarining keng diapazonida nurlanish samaradorligini oshirishga imkon beradi; masalan, AlGaInP LED uchun ishlatiladi. Yorug'likning hosil bo'lgan to'lqin uzunligiga shaffof materiallar foydalidir, chunki bu materialning asosiy qismidan fotonlarni samaraliroq olish imkonini beradi

• 
  Shu bilan birga, to'g'ridan-to'g'ri va bilvosita tarmoqli oralig'i materiallari birlashtirilgan taqdirda, bilvosita tarmoqli oralig'i ustun bo'lgan va optoelektronika uchun foydalanish imkoniyatini cheklaydigan nisbat mavjud; masalan. AlGaAs LEDlar 660 nm bilan cheklangan. Aralashmalarning panjarali konstantalari ham har xil bo'lishga moyil bo'ladi va aralashma nisbatiga bog'liq bo'lgan panjaraning substratga mos kelmasligi nomuvofiqlik kattaligiga bog'liq miqdordagi nuqsonlarni keltirib chiqaradi; bu erishiladigan radiatsion / nurlanmagan rekombinatsiyalar nisbatiga ta'sir qiladi va qurilmaning yorug'lik samaradorligini aniqlaydi. To'rtlamchi va undan yuqori kompozitsiyalar bir vaqtning o'zida tarmoqli bo'shliqni va panjara konstantasini sozlash imkonini beradi, bu esa to'lqin uzunliklarining keng diapazonida nurlanish samaradorligini oshirishga imkon beradi; masalan, AlGaInP LED uchun ishlatiladi. Yorug'likning hosil bo'lgan to'lqin uzunligiga shaffof materiallar foydalidir, chunki bu materialning asosiy qismidan fotonlarni samaraliroq olish imkonini beradi
  
• 
  Ya'ni, bunday shaffof materiallarda engil ishlab chiqarish faqat sirt bilan chegaralanmaydi. Sinish indeksi ham tarkibga bog'liq va materialdan fotonlarni olish samaradorligiga ta'sir qiladi