|
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq
|
| bet | 2/3 | | Sana | 04.01.2024 | | Hajmi | 81,13 Kb. | | #130318 |
Bog'liq 10- Лаборатория2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
Tadqiq etilayotgan optron printsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini yozib oling.
2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.
2.1.1. 10.7 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o’rnating.
2.1.2. E1 ni o’zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi IKIR=f(UKIR) ni o’lchang. Yorug’lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo’lganligi sababli, kirish qarshiligini IKIR= E1/R1deb oling.
10.7-rasm
O’lchash natijalarini 10.1 – jadvalga kiriting.
108.1 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.3. E2=0 deb oling. E1 ni o’zgartirib borib, fotovoltaik rejim uchun optron uzatish xarakteristikasini ICHIQ=f(IKIR) o’lchang.
O’lchash natijalarini 8.2 – jadvalga kiriting.
10.2 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.4. E2=5 V o’rnating. 2.1.3 – banddagi o’lchashlarni fotodiodli rejim uchun takrorlang. o’lchash natijalarini 10.2 – jadvalga o’xshab, 10.3 – jadvalga kiriting.
10.3 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.5. Optron chiqishidagi signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o’lchang.
10.8 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, yorug’lik diodi zanjiriga impuls generatorini ulang. Genrator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kGs bo’lgan impulsni o’rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo’luvchisi orqali ostsilograf ulang. (Ostsilografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls amplitudasini o’lchash uchun foydalaning). E2=5 V o’rnating va chiqish toki ostsilogrammasidan signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o’lchang.
E2=0 ni o’rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o’lchovlarini takrorlang.
10.8-rasm
2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.
10.9 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, E2=5 V o’rnating.
10.9-rasm
(Bu sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitatsiya qiladi).
E1 ni o’zgartirib borib, IKIR=E1/R1 va ICHIQ=IK deb olib, tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi ICHIQ=f(IKIR) ni o’lchang. O’lchash natijalarini 10.2, 10.3 jadvallarga o’xshash tarzda 10.4 – jadvalga kiriting.
10.4 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
|
| |
