Umumiy emitterli (UE) kuchaytirish kaskadi.
Yarim o‘tkazgichlar texnikasida UE sxema bo‘yicha yixilgan tranzistorli kuchaytirgichlarning kuplab variantlari mavjud. Rasm.3.3-da kup tarqalgan UE kuchaytirish kaskadi sxemasi berilgan.
UE kuchaytirish kaskadi sxemasi
Kuchaytirgich sxemasining asosiy elementlari energiya manbai Yek, boshqariluvchi element - tranzistor va rezistorlardir. Kondensatorlar C1 va S2 ajratuvchilar bo‘lib, S1 Yek - energiya manbaidan kelayotgan o‘zgarmas tokni kirish zanjiriga utishiga tusiqlik qiladi. C2 kondensator Rn nagruzkaga kelayotgan kollektor kuchlanishini o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini ajratib beradi. R1 va R2 kuchlanish bo‘lgich rezistorlari tranzistorning osoyishta ishlashini taminlaydi. Bunda tranzistor bazasi, kollektori va emitterida osoyishtalik o‘zgarmas toklari Ib.o., Ik.o., Ie.o. oqadi va osoyishtalik Ub.o., Uk.o., Ue.o. kuchlanishlari faoliyat kursatadi.
Re va R1, R2 rezistorlar manfiy teskari boxlanish (ManTB) zanjirini tashkil qiladi va tranzistorlarning osoyishtalik ish rejimini ta’minlaydi. Kondensator Se rezistor Re bilan o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlanib kaskadda o‘zgaruvchan tashkil etuvchi natijasida manfiy teskari boxlanish paydo bo‘lmasligini taminlaydi.
Sxemani umumiy emitterli (UE) deb atalishiga sabab, o‘zgaruvchan tok bo‘yicha tranzistor emitterli chiqishining kaskad kirish va chiqish zanjirlari bilan umumiyligidir.
Tranzistorning osoyishtalik ish rejimida kuchaytirgich kaskadi parametrlarini Hisoblashda grafoanalitik usuldan va tranzistorning kirish va chiqishdagi VAXdan foydalaniladi
UE kaskadning ish rejimini tranzistor xarakteristikalari bo‘yicha grafik analizi: a -chiqish; b-kirish.
UEli kuchaytirish kaskadni Hisoblashda tranzistorning chiqish xarakteristikasiga o‘zgarmas tok bo‘yicha nagruzka chiziqlari o‘tkaziladi (1 - 2 grafiklar), uning Holati kaskadning kollektor zanjiri uchun Kirxgofning ikkinchi qonuniga acocan aniqlanadi:
(3.1)
Bu chiziqni Yek tochkadan =arcctg(Rk+Re) (3.4 a - rasm) burchak ostida o‘tkazish mumkin. Amalda, chiziqlar ikki nuqtadan tranzistorning kollektor zanjiridagi salt yurish toki (1- nuqta) va qisqa tutashuv toki (2 - nuqta) orqali utadi. Nuqta 1 uchun salt yurish toki va kuchlanishi Is.yu.=0; Us.yu.=Ek; nuqta 2 uchun kuchlanish va qisqa tutashuv toki Uk.t.=0; Ik.i.=Ek/(Rk+Re).
Hisoblashlarda Ik.o.s. va Uk.o.s. qiymatlar chiqish xarakteristikalarining o‘zgarmas tok bo‘yicha o‘tkazilgan nagruzka chiziqlarining kesishuv nuqtalarida aniqlanadi. Bazaning berilgan osoyishtalik toki Ib.o. qiymati uchun topilgan nuqtalardan biri osoyishtalik nuqtasi deb ataladi va ln P bilan belgilanadi (3.4 a -rasm). P nuqtaning koordinatalaridan foydalanib, kollektorning osoyishtalik toki Ik.o. kuchlanishi Uk.o. va Rk rezistordagi kuchlanishni tushishini - URk=Ik.oRk aniqlash mumkin. Shuni aytish kerakki ushbu Holatda tranzistor aktiv rejimda ishlaydi.
Kirish signallarning dinamik rejimidagi kuchaytirish parametrlarini aniqlash uchun o‘zgaruvchan tok bo‘yicha nagruzka chizixidan foydalaniladi. Tok manbai Yek va kondensator S2 larning qarshiliklari o‘zgaruvchan tokka nisbatan ozligini Hisobga olib, nagruzkaning o‘zgaruvchan tokka nisbatan qarshiligi parallel ulangan rezistorlar Rk va Rn uchun aniqlanadi:
Kirish signalining dinamik ish rejimida tranzistorning tok va kuchlanishi o‘zgarmas va o‘zgaruvchan tashkil etuvchilardan tashkil topgan bo‘ladi va uning o‘zgaruvchan tok bo‘yicha nagruzka chizixi osoyishtalik nuqtasi P orqali utishi mumkin. Bilamizki Rk.nk.e, bu holda chiziq burchakka nisbatan n= arcctgRk.n.e katta burchakda joylashgan bo‘ladi. Absissalar uqidan kuchlanish Uk.o+Ik.oRk.n.e yig‘indiga teng bo‘lgan 3 nuqta belgilanib, undan va P nuqtadan tug‘ri (3.4 a - rasmda shtrixlar bilan belgilangan 3 - 4 chiziq) chiziq o‘tkaziladi.
Hisoblashlarni soddalashtirish maqsadida UE kaskad ish prinsipini Rn nagruzkani uzilgan holatida ko‘rib chiqamiz (o‘zgarmas tok bo‘yicha salt yurish rejimi deyiladi). Kaskadning kirishiga o‘zgaruvchan kuchlanish Ukir berilganda bazaning o‘zgaruvchan toki ib kirish xarakteristikasiga mos ravishda o‘zgaradi (3.4 b - rasm). Bu bilan birgalikda, shu qonun asosida kollektorning o‘zgaruvchan toki qiymati Ham o‘zgaradi. Masalan, kirish kuchlanishining amplitudasi o‘zgarganda baza toki ib ham ortadi. Kollektor toki ik=h21ib(h2l=5-...75) bo‘lganligi uchun u ham ortadi. Buning natijasida Rk rezistorda o‘zgaruvchi kuchlanishning pasayishi ortadi (chunki URK=ikRk), kollektroning o‘zgaruvchan kuchlanishi Uk.e=Uchik=Ek-ikRk kamayadi. Kirish signali kamaygan Holda qarama – qarshi Holat yuz beradi. Keltirilgan analizdan ko‘rinib turibdiki UE kaskadning quvvati ortishi bilan kirish signalning fazasi 180° o‘zgaradi (3.5- rasm).
Sxema Rn nagruzkani ulangan holatida ham xuddi shunday ishlaydi, lekin bunda kollektorning o‘zgaruvchan toki Rk va Rn rezistorlariga bo‘linadi va kuchayishni pasayishiga olib keladi.
UE kaskadni quvvatni kuchaytirish uchun qullanilganda tranzistorning mumkin bo‘lgan ish rejimi parametrlarini bilish kerak bo‘ladi. Bunday parametrlar uchta bo‘lib ular tranzistorning chiqish xarakteristikalari asosida kuriladi (3.4 a - rasm). Mumkin bo‘lgan quvvat sochilishi grafigi Rk.mum.=Uk.e/Ik formula bo‘yicha kurilib giperbola kurinishida bo‘ladi, kollektor tokining Ik.mum va kollektor - emitter kuchlanishlarining Uk.mum mumkin bo‘lgan chiziqlari, koordinatalar uqiga parallel bo‘lgan tug‘ri chiziqlar bo‘ladi.
UE kuchaytirgich kaskadining asosiy kursatkichlari tranzistorning h - parametrlari yordamida hisoblanadi. Bunda UE kaskadining ekvivalent sxemasidan foydalaniladi. Ekvivalent sxemaning asosini tranzistorni urnini bosuvchi sxema (shtrix chiziqlar bilan aylantirib chiqilgan) tashkil etadi.
UE kaskadining ekvivalent sxemasi
Soddalashtirilgan sxemada tranzistor - formal aktiv chiziqli turtqutblilik sifatida qaralib, uning kirishida kuchlanish Ukir va tok Ikir, chiqishida kuchlanish Uchik va tok Ichik faoliyat kursatadi.
Tok va kuchlanishning bu qiymatlari ularning harakatdagi qiymatliligi bilan, xarakterlanib, ma’lum bo‘lgan amplituda formulalari: bilan bog‘langan. Sxemada rezistor h11 kirish qarshiligini, tok generatori ekvivalenti h21Ib - kuchaytirgich xossasini, qarshilik 1/h22 - tranzistorning chiqish o‘tkazuvchanligiga teskari bo‘lgan qiymatni aks ettiradi. Ekivalent sxemada kondensatorlar va energiya manbai kursatilmagan, chunki ularning o‘zgaruvchan tok bo‘yicha qarshiliklari nolga yaqin. Shu sababli Rk va Rn rezistorlar emitter va kollektorning oralixiga ulangan. Qarshilik Rb=R1R2 o‘zgaruvchan tok bo‘yicha parallel ulangan R1, R2 rezistorlardan iborat bazaviy bulgich borligini kursatadi. 2.9 - rasmdan foydalanib R1 va R2 qarshiliklarni hisoblash formulalarini quyidagicha yozish mumkin:
Bu yerda Id - bulgich toki.
Agar Rb>>h11 deb hisoblasak, kaskadning kirish qarshiligi quyidagi formuladan aniqlanadi:
kaskadning chiqish qarshiligi Rk«l/h22 bo‘lganda quyidagicha ifodalandi:
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
tok bo‘yicha kuchaytirish:
|
