• 3.2-rasm. n – MDYa tranzistorli YOKI mantiqiy elementi Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib HAM
  • 3.3-rasm. n – MDYa tranzistorli HAM mantiqiy elementi
  • 2-qism masalalar




    Download 1.17 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet7/22
    Sana18.02.2024
    Hajmi1.17 Mb.
    #158470
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   22
    Bog'liq
    ASOSIY VOSITALAR , Inklyuziv ta’lim adabyotlar, O’zbekiston Respublikasi, МАЬЛУМОТНОМА, 1 боб Қурилиш материалларининг асосий хоссалари, Isroilov Husniddin , Botiraliyev Feruza, Abu Rayhon Muhammad ibn Ahmad Al, kontrakti shartnomasi (3), wepik analiz trexfaznyx elektriceskix cepei teoriia i primenenie, Jurayev Toxir, MS DOS operasio-WPS Office, Bosh-ozlashtiruvchi-hujjatlari, Hujjat (4) (1), Lug\'at 2
    HAM, YOKI-EMAS hamda HAM-EMAS mantiqiy elementlari quriladi. 
    3.1-rasm.
    Dinamik yuklamali MDYA – tranzistorli kalit. 
     
    Dinamik yuklamali MDYA – tranzistorli kalit( EMAS ME) sxemasida 3.1– 
    rasmda keltirilgan. Bu sxemada yuklama sifatida ishlatilayotgan VT2 tranzistor
    doim ochiq holatda bo’ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining 
    musbat qutbiga tutashgan. U tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini 
    bajaradi. 
    Agar qayta ulanuvchi VT1 tranzistorni kirishidagi potentsial U
    0
    dan kichik 
    bo’lsa, ya’ni U
    KIR
    <U
    0
    (mantiqiy 0) bo’lsa, u holda bu tranzistor berk bo’ladi. Bu 
    vaqtda yuklamadagi VT2 tranzistor stok toki ham nolga teng bo’ladi. Shu sababli, 
    sxemaning chiqishida manba kuchlanishi E
    M
    qiymatiga yaqin bo’lgan, ya’ni 
    mantiqiy birga mos kuchlanish o’rnatiladi. 
    Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib YOKI mantiqiy 
    elementini yig’ish uchun VT1 va VT2 tranzistorlarini stoklari manbaning musbat 
    qutbiga ulanadi, istoklari ketma-ket holda VT0 tranzistoriga ulanadi
    (3.2-rasm).


    13 
    3.2-rasm.
     n – MDYa tranzistorli YOKI mantiqiy elementi 
     
    Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib HAM mantiqiy 
    elementini yig’ish uchun VT1 va VT2 tranzistorlarini ketma-ket ulab, ya’ni VT1 
    tranzistorni stokiga VT2 tranzistorni istogi ulanadi. VT2 tranzistorni stogi 
    manbaning musbat qutbiga ulanadi, VT1 tranzistorning stogi ketma-ket holda 
    VT0 tranzistoriga ulanadi
    (3.3-rasm).
    3.3-rasm.
     n – MDYa tranzistorli HAM mantiqiy elementi 
     
    Sodda 2YOKI-EMAS ME sxemalari 3.4 – rasmda keltirilgan. Bu sxemada 
    yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bo’ladi, 
    chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan.
    Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 2YOKI-EMAS 
    sxemada VT1 va VT2 tranzistorlar parallel ulanadi. 2YOKI –EMAS elementda 
    biror kirishga yuqori sath kuchlanishi (U
    1
    KIR

    U
    0
    ) berilsa, mos ravishda VT1 yoki 
    VT2 tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U
    0
    ChIQ 

    U
    0
    ) o’rnatiladi. 


    14 
    Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk bo’ladi. 
    Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi – mantiqiy 1 o’rnatiladi. 

    Download 1.17 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   22




    Download 1.17 Mb.
    Pdf ko'rish