9
Murakkab invertorli TTM sxemasi amaliyotda keng qo’llaniladi.
VA-EMAS mantiqiy elementini kirish qismida ko’p
emitterli n-p-n
tranzistorlardan (KET) foydalaniladi. KET ni 2tadan 8-tagacha
emitteri mavjud
bo’ladi. Ishni bajarishda KET hosil qilish uchun
kirishlar soniga qarab n ta
tranzistor olinib, ularni bazalari va kollektorlari bir biriga ulanadi.
Emitterlari
kirish signallariga ulanadi (2.3-rasm).
2.3 – rasm. Ko’p emitterli tranzistor sxemasi.
2.4 – rasm. Sodda invertorli TTM ME sxemasi
10
3.5 – rasm. 2VA-EMAS mantiqiy elementi TTM da yig’ilgan sxemasi
3.6 – rasm. 2YOKI-EMAS mantiqiy elementi TTM da yig’ilgan sxemasi
2. Amaliy ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1.
Sodda invertorli 3VA-EMAS TTM sxemasini yig’ing,
va xarakteristikalarini
oling.
2.2.
Murakkab
invertorli
3VA-EMAS
TTM
sxemasini
yig’ing, va
xarakteristikalarini oling.
2.3. Sodda invertorli
4VA-EMAS TTM sxemasini yig’ing, va xarakteristikalarini
oling.
2.4.
Murakkab
invertorli
4VA-EMAS
TTM
sxemasini
yig’ing, va
xarakteristikalarini oling.
2.5. Sodda invertorli
5VA-EMAS TTM sxemasini yig’ing, va xarakteristikalarini
oling.
2.6.
Murakkab
invertorli
5VA-EMAS
TTM
sxemasini
yig’ing, va
xarakteristikalarini oling.
