|
23 Том-1 Июнь -2024Bog'liq Yuqori chasototali va o’ta yuqori chastotali diodlar mavzusini mazmuni va o’tish uslublari.
http://web-journal.ru/
Часть-23_ Том-1_
Июнь -2024
ЛУЧШИЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
63
ISSN:
3030-3680
Eritib tayyorlangan diodlar asosan kremniydan tayyorlanib, chastotasi
5 kGs gacha bo'lgan toklarni to'g'rilash uchun ishlatiladi. Kremniyli, diffuziya
usuli bilan tayyorlangan diodlar yuqori chastotalarda 100 kGs gacha
ishlatilishi mumkin. Epitaksiya usuli bilan tayyorlangan kremniyli Shottki
bareri asosida ishlaydigan diodlar 500 kGs gacha boʻlgan chastotalarda
qo'llanilishi mumkin. Arsenid galliy asosida tayyorlangan to'g'rilovchi
diodlarning chastota xarakteristikalari eng yaxshi bo'lib, ular bir necha
megagerslargacha ishlay oladi. Yarimo'tkazgich diodning to'g'ri va teskari
yo'nalishlaridagi qarshiliklari bir-biridan keskin farq qiladi: to'g'ri yo'nalishda
siljitilgan diodning qarshiligi kichik, teskari siljitilgan diodniki esa - katta
bo'ladi. Shu sababdan od bir boshqaruv elektr toki yaxshi o'tkazadi, qaysi
tomondan esa - yomon o' qiladi. To'g'rilagich deb o'zgartirishni o'zgarmasga
o'zgartiruvchi elektron qurilmaga aytiladi. To'g'rilagichning ishlashdan' -
to'g'ri kirishiga berilgan sifatli yo'nalishini o'zgarganda, yuklamadan oqib
turgan tok yo'nalishini o'zgartirmay ushlab turishdan iborat. Yarimo'tkazgich
diodlar asosidagi to'g'rilagichlar ulardagi soni va loyihalari bilan farqlanadilar.
To'g'rilagichlarning ba'zi faoliyati bilan tanishamiz.
Bitta p-n o'tishga ega bo'lgan fotoelektr asbob fotodiod deb
tayyorlanadi. Fotodiodga tarmoq elektr manba bilan (fotodiod rejimi) va
tashkilot elektr manbasiz (fotovoltaik rejim) ulanishi mumkin. Boshqa elektr
manba shunday ulanadiki, bunda p-n o'tish teskari yo'nalishda siljigan bo'lsin.
Fotodiodga yorug'lik tushmaganda dioddan berilganga bog'liq bo'lmagan I,
ekstraksiya toki deb ataluvchi juda kichik qiymatga ega "qorong'ulik" toki
oqib o'tadi. Diodning - baza sohasi taqiqlangan zona kengligidan katta hv
energiyaga ega bo'lgan fotonlar bilan yoritilganda elektron-kovak juftliklar
generatsiyalanadi. Agar hosil bo'lgan juftliklar bilan p-n o'tish orasidagi
masofa zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligidan kichik bo'lsa,
generatsiyalangan kovaklar p-n o'tish maydoni yordamida ekstraksiyalanadi
|
| |
