• Mavzu: IMSlar asosida berilgan variant yuzasidansxemalar tahlili
  • Yarim o’tkazgichli statik raqamli integralmikrosxemalar sxemotexnikasi
  • Bajardi: Ziyadova Shahnoza qabul qildi: Rustamova. M. B




    Download 0,61 Mb.
    bet1/3
    Sana21.05.2024
    Hajmi0,61 Mb.
    #247514
      1   2   3
    Bog'liq
    4-mustaqil ishi

    O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI

    BAJARDI: Ziyadova Shahnoza

    QABUL QILDI: Rustamova.M.B

    QARSHI-2024


    TELEKOMMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARI
    FAKULTETI
    TT-11-22 GURUH TALABASINING
    ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2
    FANIDAN
    4-MUSTAQIL ISHI

    Mavzu: IMSlar asosida berilgan variant yuzasidansxemalar tahlili


    Reja:
    1.Raqamli integral mikrosxemalar.
    2.Katta integral mikrosxemalar.
    3.Elektron yarim o’tkazgichli qurilmalarniloyihalash umumiy holatlari.

    1-raqamli integral mikrosxemalar. Integral mikrosxema (IMS) – bu o`zarobog`langan bir necha tranzistorlar, diodlar, kondensatorlar. Rezistorlaryig`indisi hisoblanadi va u yagona texnologik siklda tayyorlanib (yani birpaytda), elektr signallarini o`zgartirishda ma`lum funksiyalarni bajaradi. IMS tarkibiga kirgan komponentlar undan mustaqil ajratib olinishi va mustaqilbuyum sifatida ishlatilishi mumkin emas. Ular integral elementlar deb ataladi. Ulardan farqli o`laroq ularga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalardiskret komponentlar deb ataladi. Ular asosida tuzilgan bloklar esa diskretsxemalar deb ataladi.

    Yuqori puhtalik va sifat, ihchamlik, engillik, arzonlik integral mikrosxemalarinihalq ho`jaligini barcha sohalarida keng qo`llanilishga sabab bo`lmoqda.Zamonaviy mikroelektrotexnika asosini yarimo`tkazgichli integralmikrosxemnalar tashkil etmoqda. Zamonaviy yarimo`tkazgichli IMS kristtallarinio`lchamlari 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha.

    Yarim o’tkazgichli statik raqamli integralmikrosxemalar sxemotexnikasi

    Kristall maydoni qancha katta bo`lsa unga shuncha ko`p elementli integralmikrosxemani joylashtirish mumkin bo`ladi.Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida rezistor vakondensator hosil qilish mumkin.Yarimo`tkazgichli IMS larni hususiyati shundan iboratki ularni elementlari orasidainduktivlik g`altagi yo`q, chunki shu paytgacha qattiq jismlarda elektromagnitinduksiyasiga ekvivalent bo`lgan fizik hodisa olish imkoniyati bo`lmagan.


    Download 0,61 Mb.
      1   2   3




    Download 0,61 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Bajardi: Ziyadova Shahnoza qabul qildi: Rustamova. M. B

    Download 0,61 Mb.