• Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni loyihalashni umumiy holatlari.
  • Katta integral mikrosxema




    Download 0,61 Mb.
    bet2/3
    Sana21.05.2024
    Hajmi0,61 Mb.
    #247514
    1   2   3
    Bog'liq
    4-mustaqil ishi

    Katta integral mikrosxema– deb ko`p sonli bir turli yacheykalardan tashkiltopgan ko`p o`lchamli yarimo`tkazgichli qurilmaga aytiladi. U murakkabfunksiaonal sxemaga birlashgan bo`ladi.Hozirgi kunda ishlab chiqarayotgan katta integral mikrosxemalar (KIMS) 10 mingva undan ortiq mantiq elementlaridan tashkil topadi.Barcha KIMS lar uch sinfga bo`linadi. 1) hisoblagichlar, rezistorlar, jamlagichlar, arifmetik-mantiq qurilmalari tipidagi funksional bloklar: 2) xotiras qurilmalari (XQ): 3) mikroprosessorlar (MP).

    Dastlabki KIMS lar MDP (metall dielektrik poluprovodnik lar) struktura asosidaqurilgan. Hozirgi kunda KIMS element bazasiga bipolyar strukturalar ham kiradi. Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni loyihalashni umumiy holatlari. To`g`ri elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni strukturaviy va prinspial elektrsxemalari ularni ishlash prinsplarini taxlil qilishga o`rgatadi. Ammo bu elektrsxemalar elektrik va yarim o`tkazgichli qurilmalarni konstruksiyasini belgilayolmaydi, balki ularni tuzish uchun asos bo`la oladi holos. Bunday qurilmalarniloyihalashni asosiy prinsplari haqida tushunchalar ularni ishlab chiqarishdaginaemas. Balki ulardan foydalanish uchun ham kerak bo`ladi. Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni elementlari aktiv va passiv bo`linadi. Aktiv elementlarga quyidagilar kiradi: yarimo`tkazgichli va elektrovakuumasboblar.

    Integral elektron.Integral sxema birinchiintegral mikrosxema paydo bo’ldi

    Passiv elementlarga esa: rezistorlar, kondensatorlar, transformatorlar, induktivlikg`altaklari, rele, ulagichlar, indikatorlar, sim va kabellar.Qurilma elementlari optimal holatda joylashtirilishi va mahkamlanishi lozim, birbrilari bilan prinspial sxema asosida ulanishi kerak.Zamonaviy elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni ko`pchilik qismi bosmaplatalarga joylashtirilgan. Bunday platalar dielektrik asos hisoblanib teshiklarimavjud va chizmalar ko`rsatilgan. 0,3-1,5 mm diametrda hosil qilingan teshiklarosma elementlar (integral sxemalar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)nijoylashtirish, bosma platani mahkamlash hamda teskari tomonda joylashtirilganelementlarni ulash uchun ishlatiladi. Teshik devorlari metallashtiriladi.Osma elementlarni uchlari teshiklarda qalaylanadi, chunki ularga bosim simlarkelgan. Shunday qilib bosma uzel (tugun) hosil qilinadi.


    Download 0,61 Mb.
    1   2   3




    Download 0,61 Mb.